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H20R1203可以使用電磁爐IGBT管FGA25N120進行替換。

IGBT管的性能不能光看它的電流與反壓。還有飽和壓降、62616964757a686964616fe4b893e5b19e31333431353338頻率響應都是重要指標。就后倆參數來講，H20R1203優(yōu)于FGA25N120。但差別不大。

所以FGA25N120是正品的話，一般都可以代換H20R1203。FGA25N120為內帶阻尼管的場效應管。一般IGBT有三個電極, 分別稱為柵極G、集電極C及發(fā)射極E。

擴展資料：

在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。

IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態(tài)。

在IGBT 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。

動態(tài)特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。

總結

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