12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商長鑫存儲（CXMT）近日出席在舊金山舉辦的第 69 屆 IEEE 國際電子器件會議（IEDM），發表了一篇論文，展示了環繞式閘極結構（Gate-All-Around，GAA）技術，適用于尖端 3nm 芯片。

注：專利中提及 GAA 技術適用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在內的 3nm 以下芯片，但這并不代表著長鑫存儲當前具備制造 3nm 的能力。

根據《南華早報》報道，長鑫存儲雖然沒有發布相關的樣品，但本次論文的發布，引發了行業分析師對該公司下一代內存的廣泛關注，表明長鑫在面對美國封鎖下，不斷加強自主芯片開發能力。

華邦電子的儲存芯片專家 Frederick Chen 表示，長鑫存儲的進展令人印象深刻，因為代表這家公司不斷追趕，縮小在技術方面的差距。

長鑫存儲發表聲明稱，該論文描述了與 DRAM 結構和 4F2 設計可行性相關的基礎研究，與長鑫存儲當前的生產工藝無關，暗示該設計紙張還遠未成為一種適銷對路的產品。

據長鑫存儲官網顯示，長鑫存儲推出了最新 LPDDR5 DRAM 存儲芯片，是國內首家推出自主研發生產的 LPDDR5 產品的品牌，實現了國內市場零的突破，同時也令長鑫存儲在移動終端市場的產品布局更為多元。

長鑫存儲 LPDDR5 系列產品包括 12GB 的 LPDDR5 顆粒，POP 封裝的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片目前已在國內主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5 是長鑫存儲面向中高端移動設備市場推出的產品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲 DRAM 芯片的產品布局。

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總結

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