HSPICE 电平触发D触发器仿真
一、 HSPICE的基本操作過程
打開HSPICE程序,通過OPEN打開編寫好的網(wǎng)表文件。
按下SIMULATE進行網(wǎng)表文件的仿真。
按下AVANWAVES查看波形圖(仿真結(jié)果)。
二、 網(wǎng)表文件結(jié)構(gòu)總結(jié)
HSPICE輸入文件包括電路標題語句,電路描述語句,分析類型描述語句,輸出描述語句,注釋語句,結(jié)束語句等六部分構(gòu)成。
電路描述語句:電路元器件,元器件模型,電路的輸入激勵和源,子電路。
分析類型描述:瞬態(tài)分析語句,交流分析語句,直流掃描語句,可選項語句。
三、 在紙上手畫D觸發(fā)器的晶體管級電路
圖1-與非門原理圖
圖2-非門原理圖
圖3-D觸發(fā)器原理圖
四、 寫出D觸發(fā)器的網(wǎng)表文件
.title inverter
.option post accurate probe
.lib 'D:hspice2007modelPTM45nm
mos90.lib' TT
.lib 'D:hspice2007modelPTM45nmpmos90.lib' TT
V1 1 0 dc=1.8
.SUBCKT feimen 1 0 in out
Mp0 out in 1 1 pmos W=20u L=180n
Mn0 out in 0 0 nmos W=10u L=180n
.ENDS
.SUBCKT yufei 1 0 A B vo
Mp1 vo A 1 1 pmos W=20u L=180n
Mp2 vo B 1 1 pmos W=20u L=180n
Mn1 vo A vn vn nmos W=10u L=180n
Mn2 vn B 0 0 nmos W=10u L=180n
.ENDS
X1 1 0 D 3 feimen
X2 1 0 D CLK 2 yufei
X3 1 0 CLK 3 4 yufei
X4 1 0 2 QF Q yufei
X5 1 0 Q 4 QF yufei
V2 CLK 0 pulse(0 1.8 0.1n 0.1n 0.1n 0.2u 0.4u)
V3 D 0 pulse(0 1.8 0.1n 0.1n 0.1n 1u 2u)
.op
.tran 0.1n 5u
.probe v(CLK) v(D) v(Q) v(QF)
.end
五、 總結(jié)書寫與非門網(wǎng)表文件中的注意事項
注意庫文件的引用及模型名稱的編寫。
換行繼續(xù)應(yīng)用+號標注。
對節(jié)點命名時應(yīng)注意不要有相同的的節(jié)點名。
六、 HSPCIE仿真結(jié)果
(一)、電平觸發(fā)D觸發(fā)器仿真結(jié)果圖
圖4-電平觸發(fā)D觸發(fā)器仿真結(jié)果
(二)、結(jié)論
電平D觸發(fā)器在CLK=1期間輸出Q與輸入D的狀態(tài)相同,當(dāng)CLK變?yōu)榈碗娖揭院螅|發(fā)器將保持CLK變?yōu)榈碗娖街暗臓顟B(tài)。觸發(fā)器特性表如表1所示。
表1-電平觸發(fā)D觸發(fā)器的特性表
| CLK | D | Q | Q* |
|---|---|---|---|
| 0 | X | 0 | 0 |
| 0 | X | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 0 |
| 1 | 0 | 1 | 0 |
| 1 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 1 |
七、 實驗過程中的收獲和體會
通過本次集成電路課程設(shè)計,我收獲良多。對于MOS管的原理,與非門的原理,非門的原理,電平觸發(fā)D觸發(fā)器的原理有了更加深刻的理解,對于HSPICE仿真軟件的使用更加熟悉,本次實驗課學(xué)會了將復(fù)雜的電路原理圖分解成簡單的子電路以及子電路的調(diào)用方法,而且加深了對于網(wǎng)編文件的調(diào)試能力.
總結(jié)
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