在CPU工藝上，Intel之前提出了一個非常激進的戰(zhàn)略，4年內掌握5代CPU工藝的宏大目標，分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A（等效2nm，其中A代表埃米，1nm=10埃米，下同）、18A(等效1.8nm)。

現(xiàn)在Intel 7工藝已經在12代、13代酷睿上量產了，Intel中國研究院院長宋繼強在會議上透露了最新工藝進展。

接替Intel 7的Intel 4工藝已經準備就緒，為投產做好了準備，預計2023年下半年在新一代酷睿Meteor Lake上首發(fā)，也就是14代酷睿。

Intel 3工藝則是Intel 4的改進版，正在按計劃進行。

在之后的20A、18A工藝對Intel來說尤為重要，預計在2024年上半年及下半年量產，是Intel 2025年重奪半導體王者的關鍵工藝。

宋院長透露，20A及18A工藝已經有測試芯片流片，不過具體是什么芯片就沒有透露了，很大可能是Intel自家CPU，也有一定可能是Intel的代工客戶，此前Intel確認18A工藝會有多家半導體設計公司感興趣。

Intel還會在20A、18A上首發(fā)兩大突破性技術，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。

該技術加快了晶體管開關速度，同時實現(xiàn)與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。

總結

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