據中國電子科技集團有限公司(中國電科)官方消息，近日，該公司46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。

氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。

不過，氧化鎵具有高熔點、高溫分解、易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶的制備極為困難。

中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設計出發，成功構建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結構。

這一成果突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術，具有良好的結晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關產業發展。

近年來，中國電科在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導體材料領域取得了重大突破和標志性成果，有力支撐了我國超寬禁帶半導體材料的發展。

總結

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