相關(guān)文章

既生Flash，又何生EEPROM？

存儲器Flash頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別

這是我一個知識星球朋友的提問

剛開始我沒有認(rèn)真去思考這個問題，之后我仔細(xì)查了下資料，里面的內(nèi)容還挺多。

先看看EMMC的結(jié)構(gòu)

EMMC 是在nand flash的基礎(chǔ)上增加了一個控制器，cpu和emmc交流實際上是和它的控制器進(jìn)行交流。相當(dāng)于emmc多了一個管家。

NAND FLASH的特點

1)? 初始存儲為1

2）寫0只要操作一個page

3）寫1需要操作整個block，1個block包含多個page

---

假裝解釋下為什么寫 FLASH前，要先判斷里面的內(nèi)容

從讀寫速度上解釋

上面是我從一個EMMC的規(guī)格書上截圖出來的資料，EMMC的讀寫速度是不同的，不同的讀寫速度肯定是存在不同的讀寫時序，既然讀寫時序不同，那當(dāng)然應(yīng)該讓代碼越快越好。

所以，從這點上看，先讀判斷數(shù)值是應(yīng)該的。

EMMC 可以無限次讀寫嗎？

剛開始在微信群里面討論的時候，得到的信息是，EMMC可以無限次讀，但是不能無限次寫。

因為寫會意味著需要對存儲區(qū)進(jìn)行擦擦操作，這個我是可以理解的。

但是實際上是怎樣的，我還是一知半解

然后，得到一個小姐姐指導(dǎo)之后，大概的理解是這樣的。

EMMC完全寫滿后擦除算一次，普通的EMMC可以擦除3000次，所以容量*3000 就是EMMC可以寫入的內(nèi)容大小。「計算壽命這點我還是持懷疑態(tài)度」

后面查資料了解到，不同的flash顆粒，它的擦除次數(shù)和速度是不同的，這就是不能無限寫的關(guān)鍵原因。

我們平時使用的EMMC是TLC種類，這樣的EMMC一個cell有3個bit位，可以表示 2^3 = 8中電平狀態(tài)。

狀態(tài)越少，需要表示的電平就約不精細(xì)，計算也就會越快，當(dāng)然了，價格越貴，體積會越大，這樣反而不利于消費電子。

如上圖，SLC的速度很快，只需要兩個電壓級別。

TLC的速度會比較慢，需要8個電壓級別來表示。

為什么EMMC的規(guī)格書上面都不寫上最大擦除或者寫入的次數(shù)？「也就是emmc的壽命」

到目前我也沒有得到特別準(zhǔn)確的答案，有了解的同學(xué)可以在評論區(qū)回答。我猜測是，因為EMMC有控制器，如果你不斷的擦除一個位置，即使的超過最大次數(shù)，但是因為EMMC的控制器存在，它可以改變實際存儲的EMMC地址，讓你做不到在同一個區(qū)域不斷的擦除。再加上容量的不確定，就不好確定EMMC的壽命了。

特斯拉召回是怎么回事？

我猜測，可能這個系統(tǒng)上的EMMC配置很小，可能就真的存在某個程序在不斷的寫入，導(dǎo)致EMMC擦除次數(shù)達(dá)到上限。

參考：

https://blog.csdn.net/weixin_42151788/article/details/114577735

https://szlin.me/2017/08/23/kernel_seccomp/

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的写flash，要不要加个判断？的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。