這幾天做東西用到了stm32f103的內(nèi)置flash模擬eeprom，其中有個(gè)32位的數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)，但是正點(diǎn)原子的例程并沒(méi)有給出直接存取32位數(shù)據(jù)的函數(shù)，于是乎自己寫了個(gè)。

首先復(fù)習(xí)概念，在stm32f103中：
8比特（bit）=1字節(jié)（Byte）
4字節(jié)（Byte）=1字（Word）

存入32位數(shù)據(jù)**（錯(cuò)誤示范）**

void STMFLASH_WriteOneWord(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite) {u16 temp16[2];temp16[0]=(u16)(DataToWrite>>16);temp16[1]=(u16)DataToWrite;STMFLASH_Write(WriteAddr,temp16,2); }

原理很簡(jiǎn)單就是把傳入的32位數(shù)直接拆成高16位和低16位再由正點(diǎn)的函數(shù)存進(jìn)去。官方給的函數(shù)FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);實(shí)際也是把32位的數(shù)存了兩次16位。
接下來(lái)就是讀取了，那么問(wèn)題來(lái)了，正點(diǎn)原子給了讀半字的程序：

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr) {return *(vu16*)faddr; }

那我們讀一字（1 Word = 4 Byte = 32 bit）的時(shí)候能不能直接讀呢，或者像存的時(shí)候那樣分開讀再拼起來(lái)？
為了測(cè)試，先向地址addr=0x800F000+42中存入0xaa,再向地址addr=0x800F000+44中存入0x55，模擬了用上面的方法在addr=0x800F000+42處存入數(shù)據(jù)0x00aa0055。
首先是直接讀，程序如下簡(jiǎn)單粗暴：

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr) {return *(vu32*)faddr; }

這個(gè)方法得到的值是?5570730?，也就是?0x005500AA?，由此可知這種方法并不可行，順便得出了結(jié)論：stm32f103是低位優(yōu)先的硬件。（相關(guān)文章鏈接）
在這種條件下，有兩種方法解決這個(gè)問(wèn)題讓:
1.反著存 2.反著讀。我選擇1。
所以改動(dòng)存的函數(shù)為：

void STMFLASH_WriteOneWord(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite) {u16 temp16[2];temp16[1]=(u16)(DataToWrite>>16);temp16[0]=(u16)DataToWrite;STMFLASH_Write(WriteAddr,temp16,2); }

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的STM32F103 flash地址与数据存入时高低位的关系的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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