2021年，Intel宣布了全新的制造工藝路線圖，包括Intel 7、4、3、20A、18A，其中20A、18A將引領(lǐng)進(jìn)入埃米時(shí)代，并同時(shí)采用PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術(shù)。

快科技6月6日消息，Intel官方宣布，率先在代號(hào)為“Blue Sky Creek”產(chǎn)品級(jí)測(cè)試芯片上實(shí)現(xiàn)了背面供電技術(shù)，將于2024年上半年在Intel 20A工藝節(jié)點(diǎn)上正式落地。

傳統(tǒng)的正面供電技術(shù)，信號(hào)走線、供電走線都位于晶圓的正面，需要共享甚至爭(zhēng)奪每一個(gè)金屬層的資源，必須竭力擴(kuò)大金屬層引腳間距，進(jìn)而增加成本和復(fù)雜度。

背面供電技術(shù)，則將信號(hào)走線、供電走線分離，后者轉(zhuǎn)移到晶圓背面，可以分別單獨(dú)優(yōu)化，帶來更高性能、更低成本，不過也面臨良品率、可靠性。散熱、調(diào)試等各方面的挑戰(zhàn)。

為了加速研發(fā)，Intel選擇了PowerVia、RibbonFET兩項(xiàng)技術(shù)分開研發(fā)的方式，率先推進(jìn)的就是PowerVia。

Intel通過測(cè)試證實(shí)，PowerVia技術(shù)確實(shí)能顯著提高芯片的使用效率，大部分區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)單元利用率都超過了90％，同時(shí)晶體管體積大大縮小，單元密度大大增加，因此能顯著降低成本。

同時(shí)，PowerVia已在測(cè)試中達(dá)到了相當(dāng)高的良率和可靠性指標(biāo)，證明了這一技術(shù)的預(yù)期價(jià)值。

測(cè)試還顯示，PowerVia將平臺(tái)電壓降低了30％，并帶來了6％的頻率增益。

為了應(yīng)對(duì)這種全新的晶體管供電方式，Intel開發(fā)了全新的散熱技術(shù)，展示了良好的散熱特性，可避免出現(xiàn)過熱。

同時(shí)，調(diào)試團(tuán)隊(duì)也開發(fā)了新技術(shù)，確保這種新的晶體管設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在調(diào)試中出現(xiàn)的各種問題都能得到適當(dāng)解決。

，Intel PowerVia技術(shù)的測(cè)試芯片采用了Intel 4制造工藝，22個(gè)金屬層，單個(gè)核心面積僅為2.9平方毫米，1.1V電壓下達(dá)到了3GHz頻率。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的Intel PowerVia背面供电测试成功！“2nm”工艺见、频率提升6％的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。