https://www.cnblogs.com/yeungchie/

MOS管就像一個(gè)開關(guān)，柵極(Gate)決定源極(Souce)到漏極(Drain)的溝道(Channel)是開還是關(guān)。
以NMOS為例，圖中綠色代表（N型）富電子區(qū)域，黃色代表（P型）富空穴區(qū)域。P型和N型交界處會(huì)有一層耗盡層分隔（也叫空間電荷區(qū)，如圖中白色分界所示）。
(V_{T}) 是開關(guān)的閾值，超過閾值就開，低于閾值就關(guān)。柵電壓越大，下方吸引的電子越多，形成的溝道就越深。柵與溝道之間有氧化層隔離。在源漏沒有電壓時(shí)溝道寬窄是一樣的，這很好理解。

當(dāng)漏極電壓升高，柵極靠近漏極的相對(duì)電壓就小，因此溝道受其影響寬窄不同。由于電流是連續(xù)的，所以窄的地方電流密度大，這也好理解，如下圖所示。這是源漏電流 (I_{DS}) 是隨其電壓 (V_{DS}) 增大而線性增大的線性區(qū)。

要注意的是，這時(shí)柵極電壓絕對(duì)值并沒有降低，靠近漏極溝道變窄的原因，是柵極的影響力部分被漏極抵消了。一部分本來可以柵吸引形成溝道的電子，就被漏極正電壓拉過去了。

當(dāng)漏極電壓繼續(xù)升高，如果超過柵電壓，造成溝道右邊不滿足開通條件而夾斷。之所以出現(xiàn)夾斷點(diǎn)，是因?yàn)樵谶@個(gè)點(diǎn)，柵極對(duì)電子的吸引力被漏極取代。這時(shí)候 MOS 管進(jìn)入飽和區(qū)，電流很難繼續(xù)隨電壓增大。

既然這時(shí)候溝道夾斷了，不是應(yīng)該截止了嗎？為什么還會(huì)繼續(xù)有電流？

原因是雖然理論上溝道已經(jīng)夾斷，但這個(gè)夾斷點(diǎn)很薄弱。為什么說它薄弱？因?yàn)閵A斷點(diǎn)后面支撐它的不是原來P型區(qū)域，而是電壓升高更吸引電子的漏極及其空間電荷區(qū)。因此電子沖入空間電荷區(qū)，就相當(dāng)于幾乎沒有阻擋的準(zhǔn)自由電子快速被漏極收集。如圖3所示。

可以想象，隨著靠近漏極的溝道越來越細(xì)，很多高速的電子沖過來，一部分?jǐn)D過夾斷點(diǎn)進(jìn)入空間電荷區(qū)，然后被漏極正電場(chǎng)高速收集（形成示意圖中紫色電流）。漏極電壓越高，夾斷點(diǎn)越后退，造成電子越難穿越，因此飽和區(qū)電流不再隨電壓增大而線性增大，畢竟不是所有電子都能沖過夾斷點(diǎn)。源漏電流電壓曲線下圖所示。

當(dāng)然，如果漏極的電壓繼續(xù)上升，它的空間電荷區(qū)持續(xù)擴(kuò)張達(dá)到源極，那么源極的電子就會(huì)不受溝道和柵壓的控制，直接經(jīng)過空間電荷區(qū)高速到達(dá)漏極，這就是源漏直接穿通了，這時(shí) MOS 管也就直接損壞了。

內(nèi)容來自百度。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的MOS 预夹断到底是什么的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。