FPGA:数字电路简介
文章目錄
- 數字電路的歷史
- 電子管時代
- 晶體管時代
- 半導體集成電路IC 時代
- IC的發展階段
- EDA (Electronics Design Automation) 技術
- 數字集成電路的分類
- 數字集成電路的集成度分類
- 從器件導電類型不同
- 從器件類型不同
數字電路的歷史
數字電路是數字計算機和自動控制系統的基礎,它的發展是以電子器件的發展為基礎的,器件的發展可以大致上分為3個階段:
- 電子管(1906年)
- 晶體管(1947年)
- 集成電路(Integrated Circuit,簡稱IC,1958年)
器件發展的幾個階段:
數字電路發展特點: 以電子器件的發展為基礎
電子管時代
電壓控制器件: 電真空技術
1906年,福雷斯特等發明了電子管;電子管體積大、重量重、耗電大、壽命短。目前在一些大功率發射裝置中使用。
1946年2月由賓州大學研制成功ENIAC
重達30 t
占地250m2
啟動功耗150000 W
1.8萬個電子管
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晶體管時代
電流控制器件半導體技術
1947年12月,Bell實驗室的John Bardeen(巴丁)、Walter H. Brattain(布拉頓)及William Shockley(肖克利) 共同發明了晶體管,1956年獲諾貝爾物理學獎。
器件 半導體二極管、三極管
半導體集成電路IC 時代
集成電路(Integrated Circuit, IC)把構成具有一定功能電路所需的晶體管、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上,然后焊接封裝在一個管殼內,其封裝外殼有圓殼式、雙列直插式、扁平式或球形柵格陣列式等多種形式。
1958年美國 TI (Texas Instruments)公司的Jack Kilby(杰克?基爾比)研制出世界上第一個集成電路(相移振蕩和觸發器: 由12個器件構成)。
IC的發展階段
20世紀60~70代:IC技術迅速發展:SSI、MSI、LSI 、VLSI。10萬個晶體管/片。
20世紀80年代后:ULSI , 10億個晶體管/片 、 ASIC 制作技術成熟
20世紀90年代后:97年一片集成電路上有40億個晶體管。
目前:芯片內部的布線細微到納米(90~5 nm)量級,微處理器的時鐘頻率高達3GHz(109Hz)
將來:高分子材料或生物材料制成密度更高、三維結構的電路
電路設計方法伴隨器件變化 從傳統走向現代
(a)傳統的設計方法:
采用自下而上的設計方法;由人工組裝,經反復調試、驗證、修改完成。所用的元器件較多,電路可靠性差,設計周期長。
(b)現代的設計方法:
現代EDA技術實現硬件設計軟件化。采用從上到下設計方法,電路設計、分析、仿真、修訂等全部通過計算機完成。
EDA (Electronics Design Automation) 技術
EDA技術以計算機為基本工具、借助于軟件設計平臺,自動完成數字系統的仿真、邏輯綜合、布局布線等工作。最后下載到芯片上,實現系統功能。使硬件設計軟件化。
1.設計
在計算機上利用軟件平臺進行設計
設計方法?{原理圖設計?Verilog?HDL設計?狀態機設計?\text { 設計方法 }\left\{\begin{array}{l} \text { 原理圖設計 } \\ \text { Verilog HDL設計 } \\ \text { 狀態機設計 } \end{array}\right. ?設計方法??????原理圖設計??Verilog?HDL設計??狀態機設計??
2.仿真
3.下載
4.驗證結果
數字集成電路的分類
根據芯片內部集成的邏輯門數目(集成度)
早期把數字集成電路分為小、中、大三類。隨著技術的進步,后來出現的規模更大的集成電路稱為超大規模集成、甚大規模五類(SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI)。
實際上,LSI與VLSI之間的界限有些模糊不清,并且后來趨向于以晶體管的個數而不是以邏輯門的個數來界定IC,凡是超過100萬個晶體管的IC就是VLSI 。
從器件導電類型不同
- 將使用BJT的芯片稱為雙極型集成電路。
- 將使用MOSFET的芯片稱為單極型集成電路。
數字集成電路的集成度分類
| 小規模 | 最多12個 | 邏輯門、觸發器 |
| 中規模 | 12~99 | 計數器、加法器 |
| 大規模 | 100~9999 | 小型存儲器、門陣列 |
| 超大規模 | 10 000以上 | 大型存儲器、微處理器、可編程邏輯器件等 |
從器件導電類型不同
將使用BJT的芯片稱為雙極型集成電路,典型代表是基于TTL(Transistor-Transistor Logic)技術的7400系列。
將使用MOSFET的芯片稱為單極型集成電路,典型代表是基于CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)技術的4000系列。
TTL是1964年由TI 公司作為標準產品推出的,TI 公司稱之為54/74邏輯系列。
54系列為軍用型產品,而74系列為商用型產品。兩個系列相應型號的功能一樣,但性能不同。
從器件類型不同
將使用BJT的芯片稱為雙極型集成電路,典型代表是基于TTL(Transistor-Transistor Logic)技術的7400系列。
將使用MOSFET的芯片稱為單極型集成電路,典型代表是基于CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)技術的4000系列。
第一個CMOS集成電路在1968年就被研發出來,功耗低,但速度較慢,其應用范圍受到一定的限制。
經過長期研究與改良,CMOS IC 性能大大提高。
到20世紀90年代后期,CMOS電路便逐漸取代TTL電路而成為當前數字集成電路的主流產品。
| 74 | 標準TTL (出現得最早) | —— |
| 74L | 低功耗型 | Low-power |
| 74S | 肖特基型 | Schottky |
| 74LS | 低功耗肖特基型(應用廣泛) | Low-power Schottky |
| 74AS | 增強型肖特基型 | Advanced Schottky |
| 74ALS | 增強型低功耗肖特基型 | Advanced low-power Schottky |
| 74F | 快速型 | Fast |
| 74H | 高速型 | High-speed |
| 74LV | 低電源電壓型 | Low-voltage |
| 4000 | 最早出現的CMOS,供電電源為3~18V |
| 74HC | 與TTL芯片的引腳兼容、編號相同的高速CMOS ,供電電源為2~6V |
| 74HCT | 類似于74HC,并能與TTL直接相連,供電電源為4.5~5.5V |
| 74AC | 增強型CMOS,供電電源為3.0~5.5V |
| 74ACT | 類似于74AC,并能與TTL直接相連,供電電源為4.5~5.5V |
| 74AHC | 增強型高速CMOS,供電電源為2.0~5.5V |
| 74AHCT | 類似于74AHC,并能與TTL直接相連,供電電源為4.5~5.5V 具有TTL輸入電平的快速CMOS,供電電源為4.75~5.25V |
| 74FCT | 低電源電壓型,供電電源為2.0~3.6V |
| 74LVC |
早期CMOS IC典型代表是4000系列,其供電電源在3~18 V之間,后來為了能與TTL芯片兼容,多數CMOS芯片使用5V或者更低的電源?,F在,CMOS有4000、74HC、74AC、74HCT等系列。
參考文獻:
總結
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