上一篇文章（芯片級解密YMTC NAND Xtacking 3.0技術(shù)），我們結(jié)合TechInsights獲取芯片級信息梳理了國產(chǎn)NAND芯片廠商YMTC的技術(shù)演進(jìn)之路，從2016公司成立，2018年發(fā)布Xtacking 1.0 NAND架構(gòu)，2019年發(fā)布Xtacking 2.0 NAND架構(gòu)，2022年發(fā)布Xtacking 3.0 NAND架構(gòu)，創(chuàng)新速度令人振奮，實(shí)乃國產(chǎn)芯之光。

結(jié)合上篇內(nèi)容的分析，因?yàn)?strong>從市場和官方信息獲悉長江存儲的消費(fèi)級PCIe 4.0 SSD固態(tài)硬盤TiPlus 7100使用的Xtacking 3.0架構(gòu)的產(chǎn)品，基于TLC NAND，PCIe Gen4x4，采用DRAM-less無緩存架構(gòu)。NAND接口速率達(dá)到2400 MT/s，與上一代相比速度提高50%，支持HMB機(jī)制和SLC緩存。

TechInsights為了分析Xtacking 3.0的技術(shù)，針對TiPlus 7100進(jìn)行的全面的分析，最終發(fā)現(xiàn)NAND是YMTC CDT2A芯片128L，并非期望的232L NAND。這著實(shí)讓大家失望了一把。其實(shí)這個(gè)128L，在YMTC的角度也是Xtacking 3.0，NAND接口速率從1600MT/s提升到了2400MT/s，屬于Xtacking 2.0和Xtacking 3.0的融合過渡版本，從外界的角度稱作Xtacking 2.5更為合適。

不過，這并沒有影響TechInsights探尋Xtacking 3.0 232L NAND的熱情。念念不忘，必有回響。近日，TechInsights透露，目前已經(jīng)在海康威視新上市的CC700中，找到了Xtacking 3.0 232L NAND的蹤跡。

拆解CC700 2TB SSD, 發(fā)現(xiàn)PCB上間隔貼了2個(gè)1TB NAND顆粒，這款盤依然采用的是聯(lián)蕓的主控芯片，DRAM-Less無緩存的架構(gòu)。TBW寫入壽命達(dá)到3600TB。

與之前TiPlus 7100 128L CDT2A NAND芯片一致，NAND Die采用132-pin BGA MCP封裝，尺寸大小18.0 mm× 12.0 mm × 0.9 mm。

每個(gè)1TB NAND Die Package封裝了8個(gè)NAND Die。

NAND芯片的型號為EET1A，終于看到了2x3的 6 Planes架構(gòu)。

根據(jù)2022年FMS上的介紹，基于Xtacking 3.0架構(gòu)的NAND芯片X3-9070，采用了2x3的6 Planes架構(gòu)。每個(gè)Plane在中央位置具有獨(dú)立的X-DEC解碼器，可以實(shí)現(xiàn)multi-plane獨(dú)立異步操作，使得Xtacking 3.0的IO速率提升50%。與edge X-DEC相比，Center X-DEC設(shè)計(jì)將WL電容減少了一半，并降低了RC負(fù)載和RC延遲(tRC), 最終性能相較edge X-DEC得到15~20%的提升。

Xtacking 3.0采用了存儲單元晶圓的背面源連接(BSSC，back side source connect), 好處是對工藝進(jìn)行了簡化，最終得到了降低成本的優(yōu)勢。下圖即是基于Xtacking 3.0架構(gòu)實(shí)現(xiàn)的232L NAND，至此，真正的Xtacking 3.0架構(gòu)終于現(xiàn)身。

從Xtacking 2.0 128L Die CDT1B芯片，到Xtacking 2.5 128L Die CDT2A芯片，再到Xtacking 3.0 232L Die EET1A芯片，Die面積逐漸增加，存儲密度接近翻了一倍。

2022年7月份，Micron對外正式宣布開始量產(chǎn)232L 3D TLC NAND，讀寫性能都得到大幅提升，采用的是雙堆棧技術(shù)。

在Micron宣布232層之后，海力士Sk Hynix也接著發(fā)布了238層 512Gb TLC 4D NAND。海力士這個(gè)4D NAND叫法，噱頭大于實(shí)際意義，實(shí)際也是3D-NAND的變形，類似CuA架構(gòu)，就是把電路單元放在存儲單元之下(Peri Under Cell, PUC)而已. 預(yù)計(jì)在2023上半年開始量產(chǎn)。

三星在2021年中已開始打樣第8代V-NAND 200L，目前市場上看到的最新消息是三星已在2022年下半年正式量產(chǎn)1Tb TLC V8-NAND。三星方面并未透露V8 NAND的具體層數(shù)，不過宣稱具有超過200L的技術(shù)能力。三星預(yù)計(jì)2024開始量產(chǎn)V9 NAND，更有噱頭的是，三星還計(jì)劃在2030開發(fā)超過1000層的V-NAND，希望三星早日吃上“千層餅”。

與Micron/Hynix/Samsung的超過200L的NAND對比，雖然YMTC目前232L主要應(yīng)用在消費(fèi)級產(chǎn)品，整體來看，YMTC已基本進(jìn)入全球NAND廠商第一技術(shù)陣營。希望再接再厲，更創(chuàng)輝煌！

參考來源：Techinsights官網(wǎng)和YMTC官網(wǎng)

精彩推薦:

• Backblaze 2022 Q3 硬盤故障質(zhì)量報(bào)告解讀

• 漫談云數(shù)據(jù)中心的前世今生

• 多維度深入剖析QLC SSD硬件延遲的來源

• 漫談固態(tài)硬盤SSD全生命周期的質(zhì)量管理

• 如何快速debug定位SSD延遲問題？

• 汽車存儲SSD面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇

• 超大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心對存儲的訴求有哪些？

• SSD寫放大的優(yōu)化策略要統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)了嗎？

• 阿里云Optane+QLC存儲實(shí)踐案例分享

• “后Optane時(shí)代”的替代存儲方案有哪些？

• 淺析數(shù)據(jù)中心存儲發(fā)展趨勢

• 淺析PCIe鏈路LTSSM狀態(tài)機(jī)

• 淺析Relaxed Ordering對PCIe系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響

• 實(shí)戰(zhàn)篇｜淺析MPS對PCIe系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響

• 淺析PCI配置空間

• 淺析PCIe系統(tǒng)性能

• PLC SSD雖來但遠(yuǎn)，QLC SSD火力全開

• Backblaze2022中期SSD故障質(zhì)量報(bào)告解讀

• 最全電腦固態(tài)硬盤SSD入門級白皮書

• 存儲隨筆《NVMe專題》大合集及PDF版正式發(fā)布！

• 加權(quán)循環(huán)仲裁WRR特性對NVME SSD性能有什么影響？

• Linux NVMe Driver學(xué)習(xí)筆記之9: nvme_reset_work壓軸大戲

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的YMTC X3 NAND 232L 终露真容,全球领先｜国产芯之光的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。