op的形态和自激
圖1a:典型的非軌到軌運放拓撲。
圖1a顯示了一個非軌到軌放大器的框圖。輸入端控制gm模塊,gm模塊再驅動增益節點,最后經緩沖輸出。補償電容Cc是主要的頻率響應元件。如果有接地引腳的話,Cc回路應該接到地。然而一般運放沒有地,電容電流只能返回到一個或兩個電源端。
圖1b:典型的軌到軌運放拓撲。
圖1b是支持軌到軌輸出的最簡單放大器的框圖。輸入gm模塊的輸出電流經“電流耦合器”分成兩路驅動電流到兩個輸出晶體管。頻率響應主要取決于兩個處于并聯狀態的Cc /2電容。以上兩種拓撲描述了絕大多數使用外部反饋的運放。
圖1c:運放的理想化頻率響應。
圖4:加載反饋網絡的寄生電容 CPAR
減小cpar效應的方法;增加了rin的同相放大器電路
減小cpar效應的方法;反相配置
減小Cpar效應的方法;補償同相放大器中Cpar的優選方法
減小Cpar效應的方法;針對反相放大器的等效Cpar補償電路
電源旁路電容細節
電源
需要考慮的最后一個振蕩源是電源旁路電容。圖10顯示了一部分輸出電路。Lvs+和Lvs-是封裝、IC綁定線、旁路電容物理長度(跟任何導體一樣也是電感性質)以及電路板走線電感串聯起來的必不可少的電感。另外包含在內的還有將局部旁路電容與電源總線余下部分(如果不是電源層的話)連接在一起的外部電感。雖然3-10nH看起來不多,但在200MHz時也有3.8到j12Ω。如果輸出晶體管傳導的是大的高頻輸出電流,那么在電源電感上將產生壓降。
總結
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