内存选购全攻略:DDR3和DDR4究竟有何不同?
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中非常重要的一部分,而在選擇內(nèi)存時(shí),很多人常常會(huì)遇到一個(gè)問題:ddr3和ddr4有什么區(qū)別呢?作為一名電腦硬件愛好者,我想通過這篇文章來解答大家的疑問。
1.架構(gòu)不同
DDR3和DDR4之間最明顯的區(qū)別在于它們的架構(gòu)。DDR3采用了傳統(tǒng)的平面排列方式,而DDR4則采用了更為先進(jìn)的堆棧排列方式。這種堆棧排列方式可以讓內(nèi)存芯片更加緊湊地堆疊在一起,從而提高了內(nèi)存的容量和帶寬。
例如,DDR3內(nèi)存每個(gè)芯片可以容納8個(gè)存儲(chǔ)單元,而DDR4內(nèi)存每個(gè)芯片可以容納16個(gè)存儲(chǔ)單元。這就意味著相同數(shù)量的芯片下,DDR4內(nèi)存可以提供更高的容量和更快的速度。
2.電壓不同
除了架構(gòu)上的差異,DDR3和DDR4之間還存在著電壓方面的差異。DDR3內(nèi)存通常工作在1.5V的電壓下,而DDR4內(nèi)存則工作在1.2V的電壓下。雖然看似只是一個(gè)小小的差別,但實(shí)際上這個(gè)差別對于功耗和散熱有著很大的影響。
由于DDR4內(nèi)存工作時(shí)電壓更低,相同頻率下的DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存可以節(jié)省約20%的能量。
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的内存选购全攻略:DDR3和DDR4究竟有何不同?的全部內(nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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