光刻技术加工
光刻過(guò)程的典型步驟是勻膠,蓋上掩模板,光刻,顯影,制備微米級(jí)或納米級(jí)的圖形。
光掩模
目前光刻圖形化使用的掩模版常為均膠鉻板,即在高潔凈度、平整度的玻璃(蘇打玻璃或石英玻璃)上鍍鉻金術(shù),覆蓋一層防反射物質(zhì)(Anti-Reflective,AR),最后涂一層感光膠制備而成。
光刻膠(光阻)
光刻膠也叫光阻聚合物,像膠水一樣粘稠。和相機(jī)的底片感光一樣,在受到照射后會(huì)發(fā)生變化,非化學(xué)放大型光刻膠分為正膠、負(fù)膠以及雙型膠
| 正膠 | 被光照的部分在顯影后會(huì)被去除,被掩模版遮擋而未受到光照的地方不會(huì)被顯影去除。 聚合物成分常為酚醛或環(huán)氧樹脂,常使用醋酸鹽類溶劑 |
| 負(fù)膠 | 被光照的部分在顯影后會(huì)被保留,被掩模版遮擋而未受到光照的地方會(huì)被顯影去除。 最普遍的負(fù)膠是聚異戊二烯,常使用二甲苯為溶劑 |
| 雙型膠 | 根據(jù)顯影液不同可以分別表現(xiàn)出正膠特性或負(fù)膠特性 |
勻膠
將光刻膠涂于基底上,放入勻速轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)
勻膠厚度為
$ T = \frac{KC\beta\eta\gamma}{\omega^\alpha} $
其影響因素有轉(zhuǎn)速、分子質(zhì)量、溶液濃度以及平臺(tái)固有的一些屬性。
光刻
光刻系統(tǒng)常分為接觸式、透射投影式和反射投影式。
以負(fù)膠為例,在進(jìn)行光刻時(shí),被曝光的光刻會(huì)膠形成不溶于顯影液的交聯(lián)聚合物,未被曝光的部分會(huì)被顯影液分解掉。
光學(xué)光刻的分辨率
| 接觸式 | R=3λ(s+Z2)R=3\sqrt{\lambda(s+\frac{Z}{2})}R=3λ(s+2Z?)? |
| 透射或反射投影式 | R=k?λNAR=\frac{k·\lambda}{NA}R=NAk?λ? |
λ\lambdaλ為波長(zhǎng),s為光學(xué)掩模和光刻膠的距離,Z為光刻膠厚度,NA為數(shù)值孔徑,k為與實(shí)際相關(guān)的系數(shù),在0.5~1.0間,一般為0.8
光源
光源采用波長(zhǎng)短的紫外光
| 近紫外(Near UV) | 300~600 nm |
| 遠(yuǎn)紫外(Far UV) | 250~300 nm |
| 深紫外(Deep UV) | 100~250 nm |
總結(jié)
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