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20N20-ASEMI低功耗場效應管20A 200V

型號：20N20

品牌：ASEMI

封裝：TO-220F

正向電流：20A

反向耐壓：200V

引腳數量：3

芯片個數：1

漏電流：

芯片材質：

封裝尺寸：如圖

特性：低功耗場效應管

工作溫度：-55℃~+150℃

MOS場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。

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ASEMI全系列封裝圖

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總結

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