在我們應(yīng)用開(kāi)發(fā)時(shí)，經(jīng)常會(huì)有一些程序運(yùn)行參數(shù)需要保存，如一些修正系數(shù)。這些數(shù)據(jù)的特點(diǎn)是：數(shù)量少而且不需要經(jīng)常修改，但又不能定義為常量，因?yàn)槊颗_(tái)設(shè)備可能不一樣而且在以后還有修改的可能。將這類數(shù)據(jù)存在指定的位置，需要修改時(shí)直接修改存儲(chǔ)位置的數(shù)值，需要使用時(shí)則直接讀取，會(huì)是一種方便的做法。考慮到這些數(shù)據(jù)量比較少，使用專門的存儲(chǔ)單元既不經(jīng)濟(jì)，也沒(méi)有必要，而STM32F103內(nèi)部的Flash容量較大，而且ST的庫(kù)函數(shù)中還提供了基本的Flash操作函數(shù)，實(shí)現(xiàn)起來(lái)也比較方便。

以大容量產(chǎn)品STM32F103VE為例，其Flash容量達(dá)到512K，可以將其中一部分用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。如下是大容量的Flash組織模式：

根據(jù)上面的Flash組織模式，我們可以根據(jù)自己的使用方便來(lái)作相應(yīng)的定義。因?yàn)榇笕萘棵總€(gè)扇區(qū)定義為2K，而小容量和中容量都定義為1K，所以我們做如下宏定義：

#define FLASH_SIZE 512????????? //所選MCU的FLASH容量大小(單位為K)#if FLASH_SIZE<256#defineSECTOR_SIZE?????????? 1024??? //字節(jié) #else#defineSECTOR_SIZE?????????? 2048??? //字節(jié) #endif

雖然ST的庫(kù)函數(shù)比較全面，但都是基本操作，為了使用方面，根據(jù)我們自己的需要對(duì)其進(jìn)行再次封裝。

對(duì)于讀操作相對(duì)比較簡(jiǎn)單，內(nèi)置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，就像讀取變量一樣。

//從指定地址開(kāi)始讀取多個(gè)數(shù)據(jù) void FLASH_ReadMoreData(uint32_tstartAddress,uint16_t *readData,uint16_t countToRead) {uint16_tdataIndex;for(dataIndex=0;dataIndex<countToRead;dataIndex++){readData[dataIndex]=FLASH_ReadHalfWord(startAddress+dataIndex*2);} }//讀取指定地址的半字(16位數(shù)據(jù)) uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address) {return*(__IO uint16_t*)address; }//讀取指定地址的全字(32位數(shù)據(jù)) uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) {uint32_ttemp1,temp2;temp1=*(__IO uint16_t*)address;temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);return(temp2<<16)+temp1; }

對(duì)于寫操作相對(duì)來(lái)說(shuō)要復(fù)雜得多，寫操作包括對(duì)用戶數(shù)據(jù)的寫入和擦除。為了防止誤操作還有寫保護(hù)鎖。但這些基本的操作ST的庫(kù)函數(shù)已經(jīng)為我們寫好了，我們只需要調(diào)用即可。

STM32復(fù)位后，FPEC模塊是被保護(hù)的，只有在寫保護(hù)被解除后，我們才能操作相關(guān)寄存器。STM32閃存的編程每次必須寫入16位，任何不是半字的操作都會(huì)造成錯(cuò)誤。如下圖是Flash寫的過(guò)程：

STM32的FLASH在編程的時(shí)候，也必須要求其寫入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必須是0XFFFF），否則無(wú)法寫入。Flash的擦除要求必須整頁(yè)擦除，所以也必須整頁(yè)寫入，否則可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。如下圖是Flash頁(yè)擦除過(guò)程：

如下為Flash全擦除過(guò)程，

?

根據(jù)以上圖示我們便寫數(shù)據(jù)寫入函數(shù)如下：

//從指定地址開(kāi)始寫入多個(gè)數(shù)據(jù) void FLASH_WriteMoreData(uint32_tstartAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite) {if(startAddress<FLASH_BASE||((startAddress+countToWrite*2)>=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE))){return;//非法地址}FLASH_Unlock();???????? //解鎖寫保護(hù)uint32_toffsetAddress=startAddress-FLASH_BASE;?????????????? //計(jì)算去掉0X08000000后的實(shí)際偏移地址uint32_tsectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE;??????????? //計(jì)算扇區(qū)地址，對(duì)于STM32F103VET6為0~255uint32_tsectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE;??? //對(duì)應(yīng)扇區(qū)的首地址FLASH_ErasePage(sectorStartAddress);//擦除這個(gè)扇區(qū)uint16_tdataIndex;for(dataIndex=0;dataIndex<countToWrite;dataIndex++){FLASH_ProgramHalfWord(startAddress+dataIndex*2,writeData[dataIndex]);}FLASH_Lock();//上鎖寫保護(hù) }

在擦除之前應(yīng)該將頁(yè)面上的數(shù)據(jù)讀取出來(lái)與要寫入的數(shù)據(jù)合并，待擦除后再寫入，但這樣數(shù)據(jù)量很大（大容量是2K一個(gè)扇區(qū)），所以考慮到是少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，所以每次都將全部數(shù)據(jù)同時(shí)寫入，簡(jiǎn)化操作，也減少數(shù)據(jù)處理量。經(jīng)測(cè)試以上程序?qū)懭牒妥x出數(shù)據(jù)均正確，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部Flash的讀寫操作。需要更深入了解可以參考《STM32F10xxx 閃存編程參考手冊(cè)》。

歡迎關(guān)注：

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的STM32F103使用内部Flash保存参数的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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