..添加目錄欄目 2021/11/23 ..修改文中以前的問題，增加后續問題說明（數據存儲大小端模式） 2021/11/23 ..增加后續問題2.4.3（STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問題） 2021/12/27 ..更新一下STM32L071 EEPROM讀寫全字問題最后解決說明 2022/3/24

目錄

• 前言
• 1、STM32L051內部存儲模塊地址范圍
• 2、讀寫函數的設計
• • 2.1 讀取函數
  • 2.2 EEPROM寫函數
  • • 寫入問題說明修改
  • 2.3 Flash寫函數
  • 2.4 讀寫EEPROM的后續問題
  • • 2.4.1 問題的出現和解決
    • 2.4.2 問題的分析（大小端模式數據格式）
    • <font color=#FF0033>2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問題
    • • 讀問題的出現
      • 寫問題的出現
      • <font color=#FF0033>最后問題的解決
• 總結

前言

今天開始測試L051 flash的讀寫。

本系列博文目錄：

STM32L051測試 （一、使用CubeMX生成工程文件 — ST系列芯片通用）
STM32L051測試 （二、開始添加需要的代碼）
STM32L051測試 （三、I2C協議設備的添加測試）

1、STM32L051內部存儲模塊地址范圍

開始找到F103的FLASH圖復習了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash， 然后我驚奇的發現還有2KB的EEPROM。

發現L051系列的地址與F103完全不同，F103的flash每頁的長度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各種資料，
查了2個小時，

還是不知道L051的flash 每頁長度是 128Byte 還是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

還是請教了一下大佬，發現直接在J-Flash中可以找到答案，先上個F103的圖：

然后來看個L051的圖：

圖中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明顯的看出地址，flash 512頁，每頁128bytes，EEPROM只有4頁，每頁512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起來了。

最后還需要確定的一點事，最小擦除單元是128bytes，還是256bytes，按以前的認知，刪除是按照一個Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些網上的例子和資料，有的是說256bytes，所以后面需要自己確定一下。

其實在HAL庫的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有過 FLASH_PAGE_SIZE 的定義，就是128bytes ：

#define FLASH_SIZE (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U) #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint32_t)128U) /*!< FLASH Page Size in bytes */

對于flash的操作，有一些基礎知識補充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area
? Programming in the Flash memory performed by word or half-page
? Programming in the Option bytes area performed by word
? Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte
? Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option
bytes)

STM32L051寫Flash必須字，讀 字節、半字、字都支持。（這句話也是錯誤的，這是以前哪里看到的，實際測試寫可以根據字，半字，字節來寫）。

一些基本概念：

定義字是根據處理器的特性決定的。

首先ARM是32bit處理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；
字節不論在哪個CPU上都是8bit。

1 Byte = 8 bits（即 1B=8b）
1 KB = 1024 Bytes

Bit意為“位”或“比特”，是計算機運算的基礎，屬于二進制的范疇；

Byte意為“字節”，是計算機文件大小的基本計算單位；

2、讀寫函數的設計

HAL庫中肯定是有對flash和EEPROM進行操作的函數，我們這里新建一個stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函數分別放在對應位置，進行自己的函數設計。

庫中Flash與EEPROM的函數看樣子是分別放在
stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我們先使用EEPROM，因為提供EEPROM，就是讓用戶可以保存一些掉電后的數據的嘛。

測試完EEPROM，再去測試下flash，因為怕有時候數據不夠放……

2.1 讀取函數

//讀取指定地址的半字(16位數據) uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address) {return *(__IO uint16_t*)address; }//讀取指定地址的全字(32位數據) uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) {return *(__IO uint32_t*)address; }

簡單測試一下：

u32 read_data1=0XFFFFFFFF; u32 read_data2=0XFFFFFFFF; ... read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR); printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1); read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE); printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

沒有寫入數據讀取的值應該都是0。

2.2 EEPROM寫函數

對EEPROM的寫函數：
stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函數如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

通過函數看來，可以直接用，但是這里有一個問題

需要測試一下，擦除是否會擦除整個扇區，有待驗證！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某個地址的字，不會擦除整個片區

EEPROM的操作相對Flash，比較簡單，直接使用HAL庫中的函數即可完成

HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); ... if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);} ... if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);}

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不會影響DATA_EEPROM_START_ADDR地址的開始寫入的數據
寫入一樣，如果不在意以前的數據，直接寫入就可以。

總結來說EEPROM的使用還是很好用而且簡單的。

而且EEPROM是可以按照字節，半字，全字寫入的，測試了一下，是右對齊

右對齊什么意思呢，打個比方就是如果在地址 addr 中，本來寫入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 這個地址，寫入半字 0xFFFF， 再讀取全字的話，addr 地址的全字就變成了 0x1234FFFF ，這個具體的為什么在地址寫入半字，不會直接從地址開始占用2個字節，是因為地址的類型為 uint32_t ，所以該地址就是 4個字節類型的數。

寫入問題說明修改

2021/11/23 修改說明 上面一段的解釋有誤，這里修改一下，不是因為地址類型為uint32_t，地址類型永遠是這個，是因為定義的數據類型為uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是從地址的最后開始保存，4個字節的全字，第一個字節放在地址開始+4 的位置，第二個字節放在地址開始+3的位置，所以如果調用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);

關鍵在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式寫入半字，那么內核會自動分配4個字節的寬度，半字的第一個字節放在寫入地址+4 的位置，第二個字節放在寫入地址+3的位置，所以導致了上面的結果

HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

最后在 stml0_flash.h 中把函數完善聲明一下，使得主函數中的程序更加簡潔。

void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); }

那么L051 的EEPROM的測試就到這里，其實有EEPROM，在項目中的保存數據的功能就問題不大了，但是我們既然開始了，就把L051 Flash的讀寫也測試一下。

2.3 Flash寫函數

Flash的讀取其實和EEPROM一樣，主要是寫函數，來看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函數

/* IO operation functions *****************************************************/ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);/* FLASH IRQ handler function */ void HAL_FLASH_IRQHandler(void); /* Callbacks in non blocking modes */ void HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue); void HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);/*** @}*//** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2* @{*/ /* Peripheral Control functions ***********************************************/ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

有點忙，Flash的后面再也，看了幾個demo，只需要做幾個測試就可以；

2021.8.5 今天有空來接著測試一下L051 Flash的讀寫，看了下HAL_FLASH_Program函數：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;/* Process Locked */__HAL_LOCK(&pFlash);/* Check the parameters */assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);if(status == HAL_OK){/* Clean the error context */pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;/*Program word (32-bit) at a specified address.*/*(__IO uint32_t *)Address = Data;/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);}/* Process Unlocked */__HAL_UNLOCK(&pFlash);return status; }

這里也再次說明了，L051的寫必須以字的方式寫入。

不管了，先測試一下，不擦除直接寫入，這里先定義一下寫入的地址，前面我們已經知道了L051 flash一共 512頁，每頁128bytes，所以我們直接拿最后面的幾頁來測試

#define ADDR_FLASH_PAGE_505 0X08000000 + 128*504 // #define ADDR_FLASH_PAGE_506 0X08000000 + 128*505 // #define ADDR_FLASH_PAGE_507 0X08000000 + 128*506 // #define ADDR_FLASH_PAGE_508 0X08000000 + 128*507 // #define ADDR_FLASH_PAGE_509 0X08000000 + 128*508 // #define ADDR_FLASH_PAGE_510 0X08000000 + 128*509 // #define ADDR_FLASH_PAGE_511 0X08000000 + 128*510 // #define ADDR_FLASH_PAGE_512 0X08000000 + 128*511 //最后一頁

開始先不擦除，直接在最后一頁寫入一個字讀取一下試試，整理一下寫入函數：

void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_FLASH_Unlock(); if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}HAL_FLASH_Lock(); }

測試一下；

MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

在沒有寫入flash之前，該地址讀出來的數據為0，寫入后讀出來是正常寫入的數據

這里有個疑問，按理來說，flash存儲器有個特點，就是只能寫0，不能寫1，所以flash的寫入，比需先擦除，或者至少檢查一下該數據區是否可以寫入，但是L051 怎么初始的時候讀出來是0？ 難道L051的有區別，需要測試一下

先在一個地址寫0XFFFFFFFF ，然后寫完了再寫一次別的數據看看能否直接寫入，結果是寫入了0XFFFFFFFF ，不能繼續直接寫數據，說明，估計L051是相反的，這里具體是不是我只看測試結果，結論的話我自己知道就可以應用，希望有權威大神指正。

這里我們得用到一個關鍵的函數 ，這個函數是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 這個文件中的，是flash的擦除函數：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以這里我們知道了以后，可以優化一下寫入函數，我們項目中用到的是可以直接對某個地址的寫入，然后也不需要保存，此頁其他的數據，所以我們把函數改成如下：

void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;uint32_t checkdata;uint32_t PAGEError = 0;checkdata = FLASH_ReadWord(Address);HAL_FLASH_Unlock(); /*如果是0，直接寫*/if(checkdata == 0){ if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}}/*否則擦除再寫*/else{__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址EraseInitStruct.NbPages = 1;if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK){// 如果刷除錯誤printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);}if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}}HAL_FLASH_Lock(); }

自己修改了一個函數， 改成這樣以后，就能直接在想寫入的地方寫入數據了，到這里，flash足夠我項目中的使用了。但是還有最后一個疑問，就是擦除的一頁到底是不是128bytes我來驗證一下。

u32 write_data1 = 0X12345678; u32 write_data2 = 0X87654321; u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF); read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);} if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){// printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");// MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);}

因為地址位置如果有數據的話會擦除一頁再寫入，所以我們看了一下508頁最后一個地址，和510頁的第一個地址數據，對509頁的數據進行了操作，結果發現不會改變508 和510的數據，509頁的數據會全部清除!

所以得出的結論顯而易見，flash擦除按照一頁一頁擦除，
在L051上面一頁為128bytes，而且擦除后數據全部為 0；

2.4 讀寫EEPROM的后續問題

最近有一個項目，因為缺貨 STM32L051R系列缺貨，買了 STM32L071RBT6 替代：

看了一下地址，其實我們上面所有的測試代碼基本都是可以直接用的，代碼直接用STM32L051的代碼也是可以的，實際項目中，還是使用EEPROM比較方便，所以在使用EEPROM的時候，發現了一個問題（并不是換了芯片的問題），還是數據讀取和寫入的問題。

2.4.1 問題的出現和解決

下面程序的硬件平臺是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一個寫ID的函數：

寫入IO是通過字節的方式 byte 寫入的，寫了6個字節（藍牙設備的ID）。

然后最初讀取的函數用的是：

使用這個讀ID的函數，問題就出來了。

上圖代碼中，我讀取ID使用的是半字讀取，處理方式是把讀到的半字前面8位給ID1， 后面8位給ID2， 但是測試中發現數據讀出來與想要的相反，什么意思呢，看下面的測試說明：

上電打印出EEPROM中讀取的一個地址的，每個ID（每個ID是uint8_t類型）的數據，在代碼開始定義了測試數據：

BlueID_STRUCT test; ... /* CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck() {CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);return PowerOn_ID; } */ BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上電先把ID讀出來做比較 //打印一個出來測試，看結果 printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);test.ID1= 0XFF; //結構體每個元素是 uint8_t 類型 test.ID2= 0XEE; test.ID3= 0XDD; test.ID4= 0XCC; test.ID5= 0XBB; test.ID6= 0XAA;while (1){...}

在程序中通過操作，寫入測試數據，調用上面提到過的寫ID的函數，寫ID的函數是每個字節每個字節寫的：

按我們希望的結果來說，讀出來按照順序打印，應該是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。測試實際上是：

為了確實是讀的問題還是寫的問題，添加了讀字節的函數：

打印的結果：

說明確實是ID的讀取函數出的問題，是因為使用的半字讀取，問題處理不麻煩，我們把讀取函數修改一下：

BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address) {BlueID_STRUCT u48id;// uint16_t temp1,temp2,temp3; /**(__IO uint16_t*)address; */// temp1=*(__IO uint16_t*)address; // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);// u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);// temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);// u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);// u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);// temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);// u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);// u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF); u48id.ID1 = FLASH_Readbyte(address);u48id.ID2 = FLASH_Readbyte(address+1);u48id.ID3 = FLASH_Readbyte(address+2);u48id.ID4 = FLASH_Readbyte(address+3);u48id.ID5 = FLASH_Readbyte(address+4);u48id.ID6 = FLASH_Readbyte(address+5);return u48id; }

測試結果才正常了，如下圖：

2.4.2 問題的分析（大小端模式數據格式）

出現上面的問題，其實是和我們經常說的大端模式和小端模式有關的。

STM32使用的是小端模式，簡單介紹一下大端模式小端模式數據存放的方式，如下圖：

知道上面的知識，我們在開始的讀取函數中是直接讀取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我們寫入的時候是一個字節一個字節寫入，上面的例子所以我們內存中的數據實際上如下圖所示：

使用(__IO uint16_t*)address; 去讀取，讀取出來的數值一個uint16_t類型的數值：

假設是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 會有 a = 0xEEFF; 所以高8位變成了 0xEE。 OK！ 解釋清楚！問題解決！

至此，我們基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都測試過了，把工程中需要用到的功能做了測試，也學到了一些新的知識，還是實踐出結論啊，當初沒有自己測試之前看了網上的有關類似的介紹，還是很多誤解，這下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問題

讀問題的出現

前面其實測試過，讀取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以讀到該地址的全字：

uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) {return *(__IO uint32_t*)address; }

所以在后面使用過程中，有這么一個函數：

一開始還真的不知道哪里出了問題？折騰了好一陣才發現調用函數讀取ID時就會卡死。

問題的解決：

因為還有另外一個藍牙版本的產品，如果是藍牙設備的ID，因為藍牙設備的ID是6位的，所以當時讀取藍牙的ID的時候使用的是（藍牙版本是沒問題的）：

其實折騰了好一會兒，后來想著藍牙是讀一個字節，要不要試著把 全字 分為 4個字節，單獨讀取試一試？

于是學藍牙把程序分為4個字節讀取：

代碼也放一下，方便復制：

u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address) {u32 keepid;u8 i;keepid = FLASH_Readbyte(address);i = FLASH_Readbyte(address + 1);keepid = (i<<8)|keepid;i = FLASH_Readbyte(address + 2);keepid = (i<<16)|keepid;i = FLASH_Readbyte(address + 3);keepid = (i<<24)|keepid;return keepid; }CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check() {CHID_STRUCT PowerOn_ID;PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);return PowerOn_ID; }

測試一下，發現就好了，至于原因，目前還不知道為什么……（最后問題解決有說明，內存字節對齊問題）

寫問題的出現

本來以為解決了上面問題OK了，可是后面測試的時候發現寫的時候也有問題：

一直用的寫全字函數為：

FLASH_Status FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();return i; }

在程序中會調用此函數進行 ID 保存：

但是使用時候發現：

問題的解決：

其實這個問題也莫名其妙，真是說不出來為什么，估計是得詳細的查看數據手冊，但是還是 因為 在藍牙的版本上面沒有此類問題：

所以這里還是嘗試改成 以 字節 方式寫入：

FLASH_Status FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;u8 i = 0;u8 writedata[6]={0};writedata[0] = (u8)Data;writedata[1] = (u8)(Data>>8);writedata[2] = (u8)(Data>>16);writedata[3] = (u8)(Data>>24);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); for(i=0; i<4; i++){while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);}HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();return state; }

使用此種方式寫入，就不會出現問題！

其實也可以嘗試修改地址，使得成為 4 的倍數，可能也不會出問題，這里就不測試了（最后問題解決有還是測試了，內存字節對齊問題）

2.4.3小結使用的芯片為 STM32L071RBT6

最后問題的解決

先直接說結論，就是EEPROM地址定義的問題，應該是4字節對齊（4的整數倍），讀取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 讀寫全字問題的關鍵在于，存儲地址的定義上，如上面一張圖所示：

（我在EEPROM區域定義了10個地址，用來存放無線設備的ID數據，如果是藍牙芯片，那么ID為6個字節，如果是Enocean芯片，那么ID為4個字節，為了保持代碼的統一，我在使用保存4個字節的ID數據的地址定義時候沿用的是藍牙的 EEPROM區域定義）

那么正如我圖中猜想的一樣，藍牙的 ID 6個字節，我是都是通過一個字節一個字節操作，組合起來進行的，所以一切正常。

但是對于 4個字節的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出問題了，換成一個字節一個字節的操作，看上去是解決問題了。

但是實際上多了一些隱藏問題，暫時也說不清楚，在產品使用的時候，讀寫ID還是會有莫名其妙的問題，最終還是對當初的這個猜想，地址是不是也需要4字節對齊？進行了修改測試，于是乎，對于 4 個字節 ID的處理，地址改成：

把地址修改成 4 的倍數以后，上面的讀取全字的兩個函數便可以正常使用，而不會出上面莫名其妙的問題。

總結

在STM32L0 系列讀取 EEPROM 的時候，需要注意：

字節操作，傳入合理范圍內的任何地址參數都可以；

半字操作，地址需要 2 字節對齊，就是 2的倍數；

全字操作，地址需要 4 字節對齊，就是 4 的倍數；

總結

以上是生活随笔為你收集整理的STM32L051测试 （四、Flash和EEPROM的读写）的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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