英特尔:首次采用 EUV 技术的 Intel 4 制程节点已大规模量产
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10 月 15 日消息,“英特爾中國”官方公眾號周五晚間宣布,英特爾已于近日開始采用極紫外光刻(EUV)技術大規模量產 Intel 4 制程節點。官方表示,英特爾正以強大執行力推進“四年五個制程節點”計劃,并將用于新一代的領先產品。
據介紹,Intel 4 是英特爾首個采用 EUV 技術生產的制程節點,在性能、能效和晶體管密度等方面“均實現顯著提升”,EUV 技術將驅動如 AI、先進移動網絡、自動駕駛及新型數據中心和云應用等算力需求最高的應用。
各制程進度具體如下:
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Intel 7 和 Intel 4 已經實現大規模量產,Intel 3 正在按計劃推進,目標 2023 年底量產。
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采用 RibbonFET 全環繞柵極晶體管和 PowerVia 背面供電技術的 Intel 20A 和 Intel 18A 同樣“進展順利”,目標是 2024 年。
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產品代號為 Meteor Lake 的英特爾酷睿 Ultra 處理器今年 12 月 14 日發布,采用 Intel 4 制程節點。
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至強處理器 Sierra Forest 將于明年上半年上市,具備高能效的能效核(E-core),采用 Intel 3 制程節點
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至強處理器 Granite Rapids 同樣明年上半年上市,緊隨 Sierra Forest 之后推出,具備高性能的性能核(P-Core)。
此前報道,英特爾曾在 9 月舉辦的 ON 技術創新峰會上介紹了 Intel 4 工藝。
英特爾表示,與 lntel 7 相比,Intel 4 實現了兩倍的面積微縮,帶來了高性能邏輯庫,并引入了多個創新:
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簡化工藝的 EUV 光刻技術
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lntel 4 針對高性能計算應用進行了優化,可支持低電壓(<0.65V)和高電壓(>1.1V)運行。與 lntel 7 相比,intel 4 的 iso 功率性能提高了 20% 以上。
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高密度 MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器實現卓越的供電性能
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總結
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