高通被人骂了两年火龙 到底是谁的锅？
這兩年啊，想換安卓的小伙伴，肯定都聽過這么一段吐槽：
“888 ， 8Gen1 ， X 都不買！”
雖然這是一句玩笑話，但也能看得出來，這兩年安卓的旗艦產(chǎn)品，給大家折騰的有多“爽”。
發(fā)布會上的“最強(qiáng)性能”每年都能聽到，但功耗卻也飆的停不下來。
咱把時間再往前撥三年。
那時候，誰沒事兒會吹自己用了多好多好的散熱黑科技哦。。
但是沒辦法，大家罵歸罵，想換安卓機(jī)也沒啥別的選擇。
但是吧，心里還是不由得想問一句。
發(fā)熱問題不可避免
咱知道，只要做功，就一定會帶來發(fā)熱。
而對芯片來說，這發(fā)熱則主要由動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗兩部分構(gòu)成。
（ Dynamic Power ）主要指的是芯片在工作時產(chǎn)生的熱量，包括電路的充放電，晶體管工作狀態(tài)的跳變。
（ Static Power ）主要是指芯片中各種類型的漏電流和競爭電流等等。
拿開關(guān)來舉例子的話，動態(tài)功耗就像是咱們反復(fù)開關(guān)這個開關(guān)而產(chǎn)生的功耗。
而靜態(tài)功耗就像是這個開關(guān)為了維持它當(dāng)前的狀態(tài)（是導(dǎo)通還是截止），靜置在原地所產(chǎn)生的功耗。
那咱們做的芯片嘛。。。
然而，芯片才不和你講什么“理想”。
這幾年咱們把“開關(guān)”越做越小，動態(tài)功耗的的確確是降低了不少。
但是隨著芯片設(shè)計進(jìn)入納米領(lǐng)域之后，靜態(tài)功耗的漏電問題就開始翻車，而且越來越嚴(yán)重。
歸其原因，可以理解為“開關(guān)”做的太薄了，擋不住兩邊的電子“偷渡”。。。
所以想要減少這漏電呢，就需要整點新的結(jié)構(gòu)，新的材料。
重新構(gòu)建這又薄，又能阻擋“偷渡”的開關(guān)。
在芯片做到 28nm 的時候，這個技術(shù)就是 FinFET （鰭式場效應(yīng)晶體管）。
而現(xiàn)在工藝慢慢做到 5nm ， FinFET 也不太管用了。
漏電水平仿佛一個圈，重新回到當(dāng)年 28nm 工藝時的困境。
這時候，大家伙倒騰出來解決問題的未來新工藝，叫做 GAA （全環(huán)柵晶體管）。
這倆工藝和之前的區(qū)別，簡單來講就是從二維拓展到三維。
不過吧，可能是出于保守和以及工藝驗證的原因，目前還沒人用上 GAA 。
所以目前沒得選，大家的 5nm 就只能繼續(xù)用著老工藝 FinFET 。
到底是工藝不行么？
那既然大家都是硬抗這漏電，那為啥隔壁人家隔壁蘋果就可以把能耗比控制的那么好？
這就不得不提廣為人知的第一個背鍋俠了：
和蘋果不同，高通這兩代的 SoC 都是找三星代工生產(chǎn)。
別看三星，臺積電啊都稱呼自己的技術(shù)叫 5nm 。
但是在如今 FinFET 的時代，工藝的名稱和芯片的物理參數(shù)其實并沒有直接對應(yīng)，更像是一種技術(shù)節(jié)點的稱呼。
這兩家 5nm 工藝做出來的晶體管密度差距，里面甚至還能塞下一個英特爾的 14 nm 。單從晶體管密度來說，臺積電的 5nm 工藝可以做到在每立方毫米里擺下 1713 萬個晶體管，也就是171.3 MTR。
而三星的 5nm 卻只能做到126.5MTR的水平。
在這里我提一點額外的小知識，之所以在晶體管密度上有這些差別，這和兩家廠商的技術(shù)迭代路線有關(guān)。
我們長話短說，對臺積電來講，我們可以理解成臺積電的7nm -> 5nm是一次完整的技術(shù)迭代路線。
另一邊的三星則是激進(jìn)了許多，在他們的計劃中，可能7nm -> 3nm才是一次完整的技術(shù)迭代，他們打算首發(fā)直接在 3nm 工藝上全新的 GAA。
所以對于三星來講，它的 5nm 工藝相比自家的 7nm 進(jìn)步就略顯保守。
不過說實話，從單個晶體管的角度來講，這點差距其實也還好。
前倆月，一個新聞把托尼給看笑了。。。
根據(jù)@wccftech 報道，三星晶圓代工部門在 4nm 制程上的良品率只有 35%的水平。
而還在研發(fā)中的三星 3nm GAA 技術(shù)良品率更是僅僅 10%~20%的水平。
根據(jù) DigiTimes 報道，三星在 5nm 、 4nm 、 3nm 工藝上都存在著良品率謊報的情況。
咱甚至不清楚，現(xiàn)在這個良品率是謊報前，還是謊報后的數(shù)字。
也不知道是不是這個原因，嚇得高通決定把 4nm 的 8 Gen1 plus 來交給臺積電來代工。
哦對了，那么隔壁臺積電的 4nm 工藝良品率是多少呢？
70% 。。當(dāng)然了，我們在這兒分析工藝和密度差距，只能說算是在旁敲側(cè)擊的推理三星和臺積電工藝的差距。
但是在托尼看來，這次發(fā)熱的“黑鍋”，可不能全丟給三星的代工。
還是架構(gòu)頂不住？
為什么托尼覺得全都怪三星是不對的呢？
因為天璣 9000 來了。
曾經(jīng)被我們寄予厚望，交給臺積電代工的天璣 9000，功耗也不是非常理想。
數(shù)據(jù)來源，極客灣▼
在一些測試場景下，甚至還打不過自己的小兄弟天璣 8100。
所以。。。問題會不會是出在它們采用的 ARM 公版架構(gòu)上？
托尼給大家分析一下啊，驍龍 8Gen1、天璣 9000 這兩款 SoC 采用的架構(gòu)都非常一致，用上了 ARM 公版的 1 + 3 + 4 的結(jié)構(gòu)。
也就是 1 個 X2 超大核+3 個 A710 大核+ 4 個 A510 小核。
光看發(fā)布會上講的性能嘎嘎頂，但是這幾個核發(fā)熱起來是個什么水平呢？
只能說是慘不忍睹。
單單一顆核心！
要知道，當(dāng)年的一代神 U ，驍龍 865 整顆 CPU 在測試下，也才只能跑到 6.7w 。。。
雖然說 8Gen1、天璣 9000 的跑分性能都上去了吧，但是這接近翻倍的發(fā)熱也不是一般手機(jī)能扛得住的。
這兩年托尼知道的，能壓制住這散熱的手機(jī)長這樣：
沒錯，還得是往里面塞風(fēng)扇。
根據(jù)其他媒體的測試，在 8Gen1 完全發(fā)力的情況下， CPU 和 GPU 的峰值功耗更是能雙雙突破了 10W ！
隔壁蘋果這兩年也有一款能突破 10w 的芯片，差友們不妨猜猜是啥？
是移動端的 M1 。
同樣是 10w 功耗 ，你 M1 能干啥。。。這 8Gen1 能干啥。。。
《上帝在制造 8Gen1》▼
而且還有一個情況，現(xiàn)在 ARM 是對 64 位應(yīng)用有優(yōu)化的，高負(fù)載的情況下可以用超大核 X2 ，低負(fù)載的情況下準(zhǔn)備了小核 A510。
可由于安卓陣營還沒根除 32 位應(yīng)用，ARM僅保留了大核 A710來運行 32 位程序。
所以安卓手機(jī)一旦運行 32 位應(yīng)用，不管應(yīng)用負(fù)載大小，都得丟到大核 A710上跑。哪怕這個應(yīng)用就是個記事本，A710也得運行。
這結(jié)果。。。不熱才怪。
蘋果就不一樣了，從 A7 就開始自己研究架構(gòu)，今年已經(jīng)更新到 A15 了。
而且，蘋果也是個心狠手辣的角色，在 2017 年就把 32 位應(yīng)用這個包袱給丟掉了。
所以看下來，蘋果整體功耗控制得更好。
已經(jīng)熱了，然后呢？
咱們這一通盤點下來，可以理解為什么安卓這邊的高端芯片發(fā)熱這么嚴(yán)重了。
漏電越來越嚴(yán)重的制程工藝+三星的 5nm “注水” + ARM 公版架構(gòu)設(shè)計太激進(jìn)+ ARM 為了兼容 32 位應(yīng)用而做出了犧牲。
最終造成的結(jié)果，讓消費者是啞巴吃黃連。手機(jī)熱的實在不行。。。
好在呢，廠商們也不是直愣愣一根筋，不知道改的人。
畢竟在探索全新工藝的路上，誰還能說自己絕不翻車呢？
臺積電當(dāng)年在 28nm 的時候因為工藝問題，還被人戲稱為“臺漏電”。
而三星所押寶的，自然是計劃中的 3nm 工藝 GAA ，根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，GAA 這套工藝甚至能把制程拉到等效 1nm 都沒問題。
對手機(jī)廠商來講，大家對 32 位應(yīng)用的“排斥”也是越來越明顯了。行動也越來越快。
今年不少手機(jī)內(nèi)置的應(yīng)用商店在上架 APP 的時候，也開始強(qiáng)制要求開發(fā)者同時上傳 32 位和 64 位的應(yīng)用，大家都用上 64 為應(yīng)用，那大核浪費現(xiàn)象也就沒了。
現(xiàn)在，高通更是以 14 億美元收購了 Apple 前首席架構(gòu)師 Gerard Williams 成立的初創(chuàng)公司 Nuvia 。
雖然距離重新組建自己的架構(gòu)自研團(tuán)隊還有些距離。
但也是希望能借助他們團(tuán)隊的研發(fā)經(jīng)驗，來減少自己對 ARM 架構(gòu)的依賴，有朝一日，高通自己的芯片趕上蘋果也不是不可能。
順帶一提，接下來沒幾天，就是高通的新產(chǎn)品發(fā)布會了。
到時候帶來的產(chǎn)品，就算不是大家心心念念的 8 Gen1 Plus ，也多半是臺積電代工的新芯片。
雖然大家目前普遍不太看好 ARM 這次的架構(gòu)。
但是指不定，這回臺積電能超常發(fā)揮，能給咱們帶來驚喜呢？
圖片、資料來源：
部分圖片來自于互聯(lián)網(wǎng)
部分?jǐn)?shù)據(jù)來自于極客灣
三星4nm為什么不如臺積電4nm？
數(shù)字IC后端設(shè)計工程師修煉之路 | 閻浮提
https://www.qualcomm.com/news/releases/2021/01/13/qualcomm-acquire-nuvia
https://zh.wikipedia.org/zh-mo/FinFET
https://m.eprice.com.tw/mobile/talk/102/5717005/1/
深度分析 | 5nm芯片為何集體翻車?10年前困擾臺積電三星的問題又回來了 – 芯合匯
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的高通被人骂了两年火龙 到底是谁的锅？的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
- 上一篇： 男子体检报告单上竟然有子宫 老婆怀疑有问
- 下一篇： 续航大增却更便宜！特斯拉拟交付4680电