三星3纳米芯片成功流片 距离规模化量产不远了
大家都知道,芯片的制程很大程度上能決定芯片的性能,最近有消息稱三星的3納米工藝流片成功,這篇文章就跟大家聊聊。
據外媒報道,三星日前表示,采用GAA 架構的3 納米制程技術已正式流片(Tape Out),對全球只有這兩家能做到5 納米制程以下的半導體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。
外媒報道指出,三星3 納米制程流片進度是與新思科技(Synopsys)合作,加速為GAA 架構的生產流程提供高度優化參考方法。因三星3 納米制程不同于臺積電或英特爾的FinFET 架構,而是GAA 架構,三星需要新設計和認證工具,因此采用新思科技的Fusion DesignPlatform。
制程技術的物理設計套件(PDK)已在2019年5 月發布,并2020 年通過制程技術認證。預計此流程使三星3 納米GAA 結構制程技術用于高性能運算(HPC)、5G、行動和高階網站小編(本站小編)應用芯片生產。
蘋果此前已經預訂了臺積電未來Mac的4納米芯片生產的初始容量,最近還根據增強的5納米工藝,訂購臺積電開始為即將推出的iPhone 13生產A15芯片。
另外知情人士也透漏了臺積電更長期的計劃,稱新的3納米芯片工藝將提供15%的性能提升,同時提高30%的能效,并將在明年底投入大規模生產。
臺積電聲稱,在2022年下半年開始量產時,其N3技術將成為全球最先進的技術。N3將依靠經過驗證的FinFET晶體管架構,以獲得最佳性能、功率效率和成本效益,比N5提供高達15%的速度增益或消耗高達30%的功率,并提供高達70%的邏輯密度增益。
2021年是摩爾定律發展的重要里程碑,IBM在2納米、臺積電在1納米雙雙取得突破。身為先進制程的“技術推動者”,臺積電目前已是全球芯片業市值最大的公司,獲得市場主流觀點一致樂觀看好。
綜合以上信息,在芯片代工領域,臺積電和三星競爭十分激烈,希望這篇文章能給大家帶來幫助!
總結
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