BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET，低壓側(cè)、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類型SOIC-8，來自國(guó)際品牌英飛凌（Infineon）。接下來重點(diǎn)詳述BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的特性、參數(shù)、應(yīng)用，帶您走進(jìn)BTS3410G的“世界”！

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管特性

邏輯電平輸入
自動(dòng)重啟熱開關(guān)
符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
過載、短路、過電壓、ESD保護(hù)
電流限制
模擬驅(qū)動(dòng)

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

Drain source voltage漏源電壓：42V
on-state resistance導(dǎo)通狀態(tài)電阻：200mΩ
Nominal load current額定負(fù)載電流：1.3A
Clamping energy鉗位能量：150mJ
Automobile quality standard汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用

適用于開關(guān)或線性應(yīng)用中的各種阻性、感性和容性負(fù)載；
μC兼容電源開關(guān)，適用于12V DC應(yīng)用；
取代機(jī)電繼電器和分立電路

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總結(jié)

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