解释ROM、RAM、SRAM、DRAM与FLASH在使用上的区别及其原因
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解释ROM、RAM、SRAM、DRAM与FLASH在使用上的区别及其原因
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- ROM(Read Only Memory):只讀存儲(chǔ)器,掉電時(shí)可以保存數(shù)據(jù)。
- 只讀存儲(chǔ)器,在單片機(jī)運(yùn)行時(shí),只能從中讀取數(shù)據(jù),不能向里面寫數(shù)據(jù)。特點(diǎn)是掉電不丟失數(shù)據(jù),在單片機(jī)中主要用來存儲(chǔ)代碼和常量等內(nèi)容。
- RAM(Random Access Memory):可讀可寫,掉電會(huì)丟失數(shù)據(jù)。
RAM又分為SRAM和DRAM。RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 - SRAM(Static RAM):靜態(tài)存儲(chǔ)器,讀寫速度快,生產(chǎn)成本高,多用于容量較小的高速緩沖存儲(chǔ)器。
- 缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多,因而價(jià)格昂貴,容量不大。
- DRAM(Dynamic RAM):動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,讀寫速度較慢,集成度高,生產(chǎn)成本低,多用于容量較大的主存儲(chǔ)器。
- DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大,主要是指DRAM的容量。
- SDRAM(Synchronous DRAM):同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器,需要刷新,速度較快,容量大,比DRAM多一個(gè)同步時(shí)鐘。
- DDR RAM(Double-Date-Rate RAM/DDR SDRAM):雙倍速率同步動(dòng)態(tài)RAM,需要刷新,速度快,容量大。
- 這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存。在很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
- FLASH存儲(chǔ)器(Flash EEPROM Memory): 又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù),同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì)),U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。它用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼,或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。
- 目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash:
- NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。
- NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的,通常是一次讀取512個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還加上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。
- 目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash:
總結(jié)
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