FSMC，即靈活的靜態存儲控制器，能夠與同步或異步存儲器和 16 位 PC 存儲器卡連接，STM32F4 的 FSMC 接口支持包括 SRAM、 NAND FLASH、 NOR FLASH 和 PSRAM 等存儲器。

所有的外部存儲器共享地址、數據和控制信號，但有各自的片選信號。FSMC一次只能訪問一個外部器件。

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STM32的FSMC主要功能：（詳情看手冊）

● 支持對同步器件（NOR Flash 和 PSRAM）的突發模式訪問

● 8 或 16 位寬的數據總線

● 每個存儲區域有獨立的片選控制

● 每個存儲區域可獨立配置

● 可對時序進行編程，以支持各種器件

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FSMC 包含四個主要模塊：

● AHB 接口（包括 FSMC 配置寄存器）

● NOR Flash/PSRAM 控制器

● NAND Flash/PC 卡控制器

● 外部器件接口

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外部器件地址映射

從FSMC的角度，外部存儲器被劃分為4個固定大小的存儲區域，每個區域的大小為256MB，如下圖：

● 存儲區域 1 可連接多達 4 個 NOR Flash 或 PSRAM 存儲器器件。此存儲區域被劃分為 4 個

NOR/PSRAM 區域，帶 4 個專用片選信號。

● 存儲區域 2 和 3 用于連接 NAND Flash 器件（每個存儲區域一個器件）

● 存儲區域 4 用于連接 PC 卡設備

從上圖可知FSMC總共管理1GB空間，擁有4個存儲塊（Bank），這里我們討論存儲塊1（Bank1），Bank1分為4個區，每個區64M字節空間，每個區都有獨立的寄存器對所連接的存儲器進行配置。Bank1的256M字節空間由28根地址線（HADDR[27:0]）尋址。

這里HADDR是內部AHB地址總線，其中HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0],而HADDR[26:27]對4個區進行尋址，如下圖：

HARRD[25:0]包含外部存儲器地址，由于HARRD為字節地址，而存儲器按字尋址，所以根據存儲器數據的寬度的不同，實際向存儲器發送的地址也將有所不同，如下圖：

當 Bank1 接的是 16 位寬度存儲器的時候：HADDR[25:1]-->FSMC[24:0]。

當 Bank1 接的是 ?8 位寬度存儲器的時候：HADDR[25:0]-->FSMC[25:0]。

不論外部接 8 ?位/16 ?位寬設備，FSMC_A[0]?永遠接在外部設備地址?A[0] 。
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STM32的FSMC支持數據與地址線復用或非復用兩種模式

非復用模式：16位數據線及26位地址線分開始用。推薦在144腳及以上的STM32產品上使用該模式。

復用模式：低16位數據/地址線復用。在該模式下，推薦使用地址鎖存器以區分數據與地址。

若不使用鎖存器:當NADV為低時，ADx(x=0…15)上出現地址信號Ax，當NADV變高時，ADx上出現數據信號Dx。
若使用鎖存器:可同時在ADx上得到Ax和Dx。

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?FSMC?綜合了?SRAM／ROM、?PSRAM?和?NOR Flash?產品的信號特點，定義了不同的異步時序模型。選用不同的時序模型時，需要設置不同的時序參數。在實際擴展時，根據選用存儲器的特征確定時序模型，從而確定各時間參數與存儲器讀／寫周期參數指標之間的計算關系；利用該計算關系和存儲芯片數據手冊中給定的參數指標，可計算出?FSMC?所需要的各時間參數，從而對時間參數寄存器進行合理的配置。

模式1 —— SRAM/CRAM

模式A —— SRAM/PSRAM(CRAM)

模式2/B —— NOR閃存

模式C —— NOR閃存

模式D —— 帶地址擴展的異步操作

復用模式—— 地址/數據復用的NOR閃存異步操作

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對于NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲塊1，可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設置（其中x=1~4，對應4個區）。?
通過這3個寄存器，可以設置FSMC訪問外部存儲器的時序參數，拓寬了可選用的外部存儲器的速度范圍。

1.SRAM/NOR閃存片選控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：擴展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時序，需設置為1
WREN：寫使能位。我們要向TFTLCD寫數據，需設置為1
MWID[1:0]：存儲器數據總線寬度。00，表示8位數據模式；01表示16位數據模式；10和11保留。
MTYP[1:0]：存儲器類型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。
MBKEN：存儲塊使能位。需設置為1

2.SRAM/NOR閃存片選時序寄存器（FSMC_BTRx）-讀時序控制

ACCMOD[1:0]：訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：數據保持時間，等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。
ADDSET[3:0]：地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大為15。

3.SRAM/NOR閃存寫時序寄存器（FSMC_BWTRx）-寫時序控制

ACCMOD[1:0]：訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：數據保持時間，等于: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。
ADDSET[3:0]：地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大值為1111 = 15。
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總結

以上是生活随笔為你收集整理的STM32之FSMC-SRAM/NOR原理的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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