用D触发器构造RAM存储器
文章目錄
- 1 用D觸發(fā)器構(gòu)造RAM存儲(chǔ)器
- 1.1 用D觸發(fā)器構(gòu)造RAM存儲(chǔ)器
- 1.2 地址譯碼器的搭建思路
1 用D觸發(fā)器構(gòu)造RAM存儲(chǔ)器
1.1 用D觸發(fā)器構(gòu)造RAM存儲(chǔ)器
為了構(gòu)造存儲(chǔ)器,我們首先來看一下生活中的容器:
類比到存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器應(yīng)該具有如下特征:
- 存儲(chǔ)器有寫入和讀取兩種操作。
- 寫入和讀取使用的是相同的端口。
- 寫入和讀取不能同時(shí)進(jìn)行。
之前學(xué)習(xí)的D型觸發(fā)器實(shí)際上就是1位存儲(chǔ)器:
我們可以把D觸發(fā)器的數(shù)據(jù)直接送給加法器:
為了是數(shù)據(jù)寫入端和數(shù)據(jù)讀出端統(tǒng)一,我們對(duì)D型觸發(fā)器做出如下改造:
通過增加1個(gè)繼電器和讀信號(hào),我們就實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)寫入端和數(shù)據(jù)讀出端的統(tǒng)一,并且讀寫是可控的。
下面對(duì)改造后的電路進(jìn)行分析:
我們將上面的電路進(jìn)行封裝,就得到了真正的1位存儲(chǔ)器:
類似的,我們可以很輕松的在1位存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上構(gòu)造8位存儲(chǔ)器:
基于8位存儲(chǔ)器,我們可以構(gòu)造更大的存儲(chǔ)器:
為了控制每一層的W、R信號(hào),我們需要增加1個(gè)地址譯碼器:
我們將上面的電路進(jìn)行封裝就到了1個(gè)32位的存儲(chǔ)器:
1.2 地址譯碼器的搭建思路
對(duì)于地址譯碼器,只針對(duì)00層,我們的需求如下:
真值表如下:
從而得到如下表達(dá)式:
根據(jù)表達(dá)式構(gòu)建電路:
為了得到全部的W、R信號(hào),我們需要按照如下的方式繼續(xù)進(jìn)行(下面的電路是錯(cuò)誤的):
參考資料:
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的用D触发器构造RAM存储器的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。