不論是 NAND 閃存還是 DRAM 內(nèi)存，國內(nèi)市場幾乎都是 100% 依賴進(jìn)口，去年進(jìn)口的存儲芯片價值超過 1000 億美元，所以國內(nèi)近年來集中力量發(fā)展存儲芯片。

在國內(nèi)布局的三大存儲芯片基地中，紫光旗下的長江存儲 240 億美元的投資主要是 NAND 閃存，DRAM 內(nèi)存有福建晉華以及合肥長鑫，前者跟聯(lián)電合作，因為跟美光產(chǎn)生了專利糾紛被美國制裁，發(fā)展前景并不樂觀。

　　國內(nèi) DRAM 內(nèi)存的希望就剩下了合肥長鑫了，該公司 2016 年成立，官網(wǎng)資料很有限，只是提到“長鑫存儲致力于成為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)，不斷引進(jìn)先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)施，并研發(fā)行業(yè)頂尖技術(shù)。”

　　不過媒體報道稱，2017 年合肥長鑫投資 72 億美元興建 12 寸晶圓廠以發(fā)展 DRAM 產(chǎn)品，未來完成后，預(yù)計最大月產(chǎn)將高達(dá) 12.5 萬片規(guī)模。

　　此外，2017 年 10 月份兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團(tuán)）有限公司合作開展工藝制程 19nm 存儲器的 12 英寸晶圓存儲器（含 DRAM 等）研發(fā)項目，總投資 180 億元，合作主體也是合肥產(chǎn)投下屬的長鑫公司。

　　根據(jù)長鑫公司之前公布的計劃，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于 2018 年 1 月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。根據(jù)計劃，長鑫將于 2018 年年底推出 8Gb DDR4 工程樣品，2019 年三季度推出 8Gb LPDDR4，到 2019 年年底，產(chǎn)能將達(dá)到 2 萬片一個月。從 2020 年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021 年則完成 17nn 的研發(fā)。

　　長鑫發(fā)展 DRAM 內(nèi)存的關(guān)鍵不是資金，而是人才及技術(shù)，在三星美光 SK 海力士等公司壟斷了全球主要的內(nèi)存產(chǎn)能及技術(shù)之后，長鑫的 DRAM 內(nèi)存技術(shù)來源是哪里呢？

　　今天在上海舉辦的 GSA 峰會上，長鑫存儲的董事長兼 CEO 朱一明發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，其中就提到了長鑫 DRAM 內(nèi)存的技術(shù)來源。

　　根據(jù)朱一明所說，長鑫從成立開始，就與國內(nèi)外技術(shù)領(lǐng)先的合作伙伴廣泛開展研發(fā)合作，如 ASML、KLA-Tencor、Lam Research、TEL、Applied Material 和 TechInsight 等，不過 DRAM 內(nèi)存技術(shù)重要原來則是已經(jīng)破產(chǎn)的奇夢達(dá)。

　　奇夢達(dá)公司是英飛凌半導(dǎo)體剝離出來成立的 DRAM 芯片公司，早些年還可以在某些顯卡上看到他們的 GDDR 顯存，不過奇夢達(dá)已經(jīng)破產(chǎn)多年，但這主要是因為經(jīng)營不善，奇夢達(dá)在 DRAM 上還是有自己的技術(shù)的。

　　朱一明表示長鑫存儲通過與其合作，將一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)收歸囊中，這也是公司最初的技術(shù)來源之一。長鑫存儲在所接收技術(shù)和國際合作的基礎(chǔ)上，利用專用研發(fā)線，展開世界速度的快速迭代研發(fā)，已持續(xù)投入晶圓超過 15000 片。

總結(jié)

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