內(nèi)存性能參數(shù)詳解
先說說最有效提高你機器內(nèi)存性能的幾個參數(shù)：CL，TRP，TRCD
CAS Latency “列地址選通脈沖潛伏期” BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay，這個值一般是1.5~3之間，一般體質(zhì)較好的能達(dá)到2（1.5好像沒見過，嘿嘿），偶用的kingmax ddr333就能上到這個值，值越低表示內(nèi)存?zhèn)鬏敂?shù)據(jù)所需時鐘周期越短，當(dāng)然性能也就越高啦。
RAS Precharge Time “行預(yù)充電時間” BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。與CL一樣，它也是越小越好。不過必須得注意一下內(nèi)存的自身素質(zhì)，很多時候設(shè)置為最小值會導(dǎo)致系統(tǒng)失敗。
RAS－to－CAS Delay“行尋址至列尋址延遲時間” BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。與CL一樣，數(shù)值越小越好。
一般想提高系統(tǒng)內(nèi)存性能的用戶，設(shè)置好以上幾個數(shù)值就好了，試試吧，呵呵，誰都想讓自己的愛機跑的更快一些吧：）其他參數(shù)可以點擊下面的鏈接


Automatic Configuration“自動設(shè)置”

　　（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）

　　在各大品牌主板中可能出現(xiàn)的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調(diào)整你的內(nèi)存時序，你應(yīng)該關(guān)閉它，之后會自動出現(xiàn)詳細(xì)的時序參數(shù)列表。

　　Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）

　　這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內(nèi)存芯片都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少尋址沖突，提高效率，建議設(shè)為4（Auto也可以，它是根據(jù)SPD中的L-Bank信息來自動設(shè)置的）。

　　Burst Length“突發(fā)長度”（可能的選項：4/8）

　　一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平臺，建議設(shè)為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平臺，建議設(shè)為4。但具體的情況要視具體的應(yīng)用而定（操作強度大就設(shè)為8，很普遍的日常應(yīng)用就設(shè)為4）。
Command Rate“首命令延遲”

　　（可能的選項：1/2）

　　這個選項目前已經(jīng)非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進行芯片的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是具體的尋址命令。這個參數(shù)的含義就是指在芯片選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體尋址的尋址命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此，當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。
Active to Precharge Delay“行有效至行預(yù)充電時間”

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的内存性能参数详解（转载）的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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