12月17日，在“SEMICON Japan 2021 Hybrid”的Semi Technology Symposium的尖端材料、設(shè)備的分析環(huán)節(jié)，筆者做了題目為《日本的半導(dǎo)體設(shè)備、材料的競(jìng)爭(zhēng)力與其根本原因》的演講。

但是，筆者擅長(zhǎng)的領(lǐng)域在于半導(dǎo)體的前段工序，對(duì)于后段工序以及封裝方面，筆者不是很了解。于是，有關(guān)后段工序、封裝方面的演講，由龜和田忠司先生負(fù)責(zé)，我們二人共同完成了演講（下圖1）。龜和田忠司先生在英特爾工作三十多年，有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。

圖1：半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝、在SEMICON Japan上演講工作的分配。

筆者與龜和田先生首先決定了演講內(nèi)容的框架，從八月份開(kāi)始?xì)v經(jīng)四個(gè)月的時(shí)間準(zhǔn)備了此次演講。演講內(nèi)容的框架大致如下：

1.明確日本企業(yè)在前段工序、后段工序（封裝）中的設(shè)備、材料占比。

2.在前段工序、后段工序（封裝）中，為什么日本企業(yè)的設(shè)備、材料占比較高？

3.為什么日本企業(yè)的市占率較高（較低）、分析其理由。構(gòu)建包含前段工序、后段工序的假說(shuō)。筆者（湯之上 隆）與龜和田先生合作完成了本次演講。兩人歷經(jīng)四個(gè)月的時(shí)間，調(diào)查和研究以上內(nèi)容，最終得出了精彩的結(jié)論。

一言以蔽之，日本人和歐美人之間迥異的思維方式、行動(dòng)方式與設(shè)備、材料的占比有很大的關(guān)系。首先，從湯之上負(fù)責(zé)的部分（前段工序）開(kāi)始論述。

雖然半導(dǎo)體的前段工序中有500一一1,000（甚至更多）道工藝，但是工藝卻很簡(jiǎn)單（下圖2）。

首先以直徑為200毫米一一300毫米的硅晶圓（Silicon Wafer）為基板，然后進(jìn)行以下規(guī)定的工序（反復(fù)30次一一50次，甚至更多）：清洗→成膜→光刻形成線(xiàn)路（Lithography Patterning）→蝕刻（Etching）→拋光（Ashing）或者清洗→檢測(cè)。除以上工藝之外，還有離子注入、熱處理、CMP等工藝。

圖2：前段工序的簡(jiǎn)單概要

通過(guò)前段工序，在硅晶圓上形成晶體管、電容、排線(xiàn)等的3D 結(jié)構(gòu)。此外，在硅晶圓上同時(shí)形成約1,000個(gè)芯片（Chip）。前道工序中使用的主要設(shè)備的廠(chǎng)家如下圖3所示，日本企業(yè)占比較高的有涂布顯影設(shè)備（Coater & Developer，92%）、熱處理設(shè)備（也被稱(chēng)為“縱型擴(kuò)散爐”，93%）、單片式清洗設(shè)備（63%）和批量式（Batch）清洗設(shè)備（86%）、測(cè)長(zhǎng)SEM（80%）等。

此外，日本在CMP設(shè)備方面雖然不占有TOP 1的優(yōu)勢(shì)，但日本的荏原制作所在邏輯半導(dǎo)體方面占有30%的市占率，因此，CMP設(shè)備屬于日本企業(yè)占比較高的范圍。

圖3：在半導(dǎo)體前段工序中，各家企業(yè)在各類(lèi)設(shè)備中的占比，以及日本企業(yè)的占比。

然而，日本企業(yè)在干蝕（Dry Etching）設(shè)備、CVD設(shè)備和濺射等成膜設(shè)備、各類(lèi)檢測(cè)設(shè)備方面的占比較低。但是，這些設(shè)備采用了很多日本產(chǎn)的零部件。

其中，采用最多的是石英產(chǎn)品、陶瓷產(chǎn)品等。其次，前段工序中使用的主要材料的企業(yè)占比如下圖4所示。日本企業(yè)在硅晶圓、各類(lèi)光刻膠、各類(lèi)CMP粉漿、各類(lèi)高純度溶液等產(chǎn)品中的占比極高。可以說(shuō)，日本各家材料廠(chǎng)商的氣勢(shì)絕不亞于設(shè)備廠(chǎng)家，存在感極高。

圖4：在半導(dǎo)體前段工序中，各家企業(yè)在各類(lèi)材料中的占比，以及日本企業(yè)的占比。

如上所示，日本企業(yè)在設(shè)備方面的占比尤其高，即使是占比較低的設(shè)備，其采用的零部件也多為日本制造。此外，就大部分材料而言，日本企業(yè)的占比是比較高的。根據(jù)以上內(nèi)容，我們將日本占比較高的、較低的產(chǎn)品進(jìn)行分類(lèi)。

如果對(duì)日本企業(yè)占比較高的設(shè)備、材料、零部件進(jìn)行分類(lèi)，可以得出下圖5，其要點(diǎn)有二、如下所示。第一，日本企業(yè)在液體（或者氣體、流體）等相關(guān)的設(shè)備、材料方面的占比較高。第二，日本企業(yè)在加熱后凝固的材料和零部件方面的占比較高。

圖5：將日本企業(yè)占比較高的設(shè)備、材料、零部件進(jìn)行分類(lèi)。

第一類(lèi)下有兩小類(lèi)，其一，旋轉(zhuǎn)晶圓的單片式設(shè)備和相關(guān)液體材料。具體而言，涂覆顯影設(shè)備（Coater & Developer）、光刻膠（Resist）、CMP（Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械拋光，用于邏輯半導(dǎo)體）和漿液、單片式清洗設(shè)備和各類(lèi)藥液。上圖中黃色箭頭為相關(guān)關(guān)系。

其二，另一種設(shè)備是晶圓本身不旋轉(zhuǎn)，氣體和液體在設(shè)備內(nèi)部循環(huán)（即為旋轉(zhuǎn)），主要為批量式清洗設(shè)備和縱型擴(kuò)散爐。就縱型擴(kuò)散爐而言，大多采用石英零部件。而日本企業(yè)在石英材料中的占比極高。類(lèi)似的還有硅晶圓和各類(lèi)陶瓷產(chǎn)品。這些產(chǎn)品的共同點(diǎn)如下：加熱后凝固的材料、零部件。

如上所示，我們對(duì)日本企業(yè)占比較高的設(shè)備、材料、零部件進(jìn)行分類(lèi)后發(fā)現(xiàn)，日本企業(yè)在化學(xué)領(lǐng)域（而不是物理）發(fā)揮了充分的優(yōu)勢(shì)。

我們將日本企業(yè)占比較低的設(shè)備進(jìn)行分類(lèi)后，如下圖6所示，一言以蔽之，日本企業(yè)基本上是在 “干（Dry）設(shè)備”方面的占比較低（除去ArF液浸），此處主要有兩點(diǎn)。

圖6：日本企業(yè)占比較低的設(shè)備的特點(diǎn)。

1.在使用了光、電子束（Beam）的設(shè)備方面，日本企業(yè)的占比較低，這些屬于檢測(cè)設(shè)備、曝光設(shè)備。但是日本企業(yè)在CD-SEM方面的占比較高，因此此處為例外。

2.在使用了等離子（Plasma）的真空設(shè)備方面，日本企業(yè)的占比較低，具體而言，有干蝕刻（Dry Etching）設(shè)備、CVD設(shè)備、PVD設(shè)備（濺射設(shè)備），此外，最先進(jìn)的曝光設(shè)備一一EUV（極紫外光）曝光設(shè)備也隸屬于此范疇。

以上這些設(shè)備的特點(diǎn)如下：不是把晶圓卡（Chuck）在Stage上移動(dòng)，即使晶圓移動(dòng)了，也僅有XY軸方向的移動(dòng)，不會(huì)旋轉(zhuǎn)晶圓。此外，可以斷言，日本企業(yè)在“物理（而非化學(xué)）”相關(guān)的設(shè)備方面占比較低。

至此，我們已經(jīng)展示并歸類(lèi)了日本企業(yè)占比較高的領(lǐng)域和較低的領(lǐng)域。下面我們分析一下為什么會(huì)出現(xiàn)這種現(xiàn)象。為了完成分析，我們采訪(fǎng)了20位生產(chǎn)設(shè)備、材料領(lǐng)域的專(zhuān)家一一“為什么這個(gè)領(lǐng)域的設(shè)備、材料的占比高或者低”？當(dāng)時(shí)，我們聆聽(tīng)到了豐富的見(jiàn)解。筆者將搜集到的見(jiàn)解和自己的認(rèn)知匯總出下圖7。

圖7：比較日本企業(yè)占比較高的領(lǐng)域和占比較低的領(lǐng)域。

首先，日本企業(yè)占比較高的產(chǎn)品有以下：液體、流體、粉末，產(chǎn)品最初的形狀不是固定的，且“質(zhì)地柔軟”。因此實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的標(biāo)準(zhǔn)非常多，且非常復(fù)雜。在這種情況下，日本人基于自己的經(jīng)驗(yàn)和直覺(jué)，得出最合適的見(jiàn)解。即，很多無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化的“隱性知識(shí)”、“技巧”最終演變成了“匠人、工匠精神”。

此外，以上這些領(lǐng)域都需要在車(chē)間里不斷的改善和改良，且認(rèn)真、極具忍耐力的日本人優(yōu)化了每個(gè)細(xì)節(jié)。最終，以自下而上（Bottom Up）的方式，生產(chǎn)出設(shè)備、材料、零部件。因此，可以說(shuō)這就是日本企業(yè)占比較高的根本原因所在。

另一方面，在日本企業(yè)占比較低的領(lǐng)域，即AMAT（美國(guó)應(yīng)用材料）、Lam Research（Lam，泛林集團(tuán)）、KLA（科磊）、ASML（阿斯麥）四家歐美企業(yè)是如何研發(fā)的呢？首先，他們根據(jù)市場(chǎng)（Marketing），把握需求（Needs）。而且，各類(lèi)設(shè)備在最初研發(fā)階段都有科技（Science）成分存在。

在需求（Needs）和科技（Science）的引領(lǐng)下，根據(jù)強(qiáng)有力的自上而下（Top Down）的領(lǐng)導(dǎo)方式，構(gòu)架整個(gè)設(shè)備。且多以模組化（Module）的形式呈現(xiàn)。

另外，在研發(fā)設(shè)備的各個(gè)階段，進(jìn)行模擬（Simulation）實(shí)驗(yàn)。同時(shí)，將技術(shù)（Technology）和技巧（Know How）“軟件化”，融入設(shè)備。最后，將以上元素匯聚于一體，生產(chǎn)出擁有全球標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。

因此，可以看出，歐美社會(huì)的“堅(jiān)硬強(qiáng)勢(shì)”的“契約精神”被反映得淋漓盡致。

總體而言，大部分日本的設(shè)備廠(chǎng)家是為各個(gè)半導(dǎo)體廠(chǎng)家“量身定制”設(shè)備，而歐美的設(shè)備廠(chǎng)家基本上是僅生產(chǎn)一種具有全球標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。總而言之，在設(shè)備研發(fā)方面，日本企業(yè)呈發(fā)散趨勢(shì)、歐美企業(yè)呈集約趨勢(shì)，大相徑庭。

因此，日本企業(yè)在液體、流體等形狀不固定的材料方面占有較高比例，而歐美廠(chǎng)家在使用光、電子束（Beam）、等離子的真空設(shè)備方面占有較高比較的原因正在于此。但是，還有更重要的部分！

至此，我們論述了日本人和歐美人在設(shè)備研發(fā)等方面的不同點(diǎn)。日本人、歐美人在思維方式和行動(dòng)方式方面的差異，直接影響了他們對(duì)設(shè)備的研發(fā)。

首先，歐美人是理論先行。而且，在研發(fā)初期，進(jìn)行充分的討論，然后才固定一條方針。在此基礎(chǔ)上，創(chuàng)造規(guī)則（Rule）、情節(jié)（Story）、邏輯（Logic）。反過(guò)來(lái)說(shuō)，歐美技術(shù)人員的下屬們比較笨拙、做實(shí)驗(yàn)的水平也不高（倒不如說(shuō)，歐美的文化就是技術(shù)人員不做任何實(shí)驗(yàn)，而是把實(shí)驗(yàn)交給一種被稱(chēng)為T(mén)echnician（技師）的人員）。

另一方面，日本的技術(shù)人員以出色的感知和經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，直接親自動(dòng)手做實(shí)驗(yàn)。此外，日本人很擅長(zhǎng)在固定的框架內(nèi)優(yōu)化某個(gè)項(xiàng)目。但是，日本人不擅長(zhǎng)制作規(guī)則和規(guī)定。

如上所述，日本人和歐美人在思維方式、行動(dòng)方式方面大相徑庭，且這與他們?cè)谠O(shè)備等領(lǐng)域的占比有很大的關(guān)系。至此，就半導(dǎo)體生產(chǎn)的前段工序，我們分析了日本企業(yè)占比較高（較低）的領(lǐng)域、具體比例、分類(lèi)、原因。

接下來(lái)，我們論證后段工序。在論述后段工序之前，我們會(huì)先談以下內(nèi)容：隨著3D封裝（3D Packing，以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“3D IC”）時(shí)代的到來(lái)，在前段工序、后段工序（封裝）中間，出現(xiàn)了Paradigm Shift（典范轉(zhuǎn)移）。

在筆者擔(dān)任微縮化加工技術(shù)員的1987年一一2002年期間，并沒(méi)有特別在意后段工序和封裝領(lǐng)域。此外，在筆者擔(dān)任同志社大學(xué)經(jīng)營(yíng)學(xué)教師的2003年一一2008年期間，計(jì)劃對(duì)后段工序進(jìn)行調(diào)查時(shí)，相關(guān)人士說(shuō)：“您知道《士農(nóng)工商、后段工序》嗎”？即，在半導(dǎo)體工藝的世界里，有明確的“等級(jí)制度（Hierachy）”（如下圖8）。

在2010年前后，半導(dǎo)體前段工序處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。其中，光刻技術(shù)人員是所謂的“香餑餑”，甚至出現(xiàn)了以下言論：“沒(méi)有光刻、就不會(huì)有蝕刻”、“只要做好光刻，就會(huì)通過(guò)后面的工藝自動(dòng)做成晶體管”。

圖8：前段工序和后段工序的Paradigm Shift（典范轉(zhuǎn)移）。

此外，甚至都沒(méi)有把后段工序（封裝）放入前段工序的“士農(nóng)工商”序列，正如日本江戶(hù)時(shí)代的“最底層的賤民”一樣，被看做是位于社會(huì)底層的最底層（筆者認(rèn)為自己也是其中的一員）。

然而，如今時(shí)代變了！在現(xiàn)代社會(huì)的尖端半導(dǎo)體中，各家Foundry代工廠(chǎng)（如TSMC等）、英特爾和三星電子等IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合型）廠(chǎng)家、OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，外包半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝和測(cè)試）廠(chǎng)家都競(jìng)相開(kāi)始研發(fā)3D IC。就3D IC研發(fā)而言，最先進(jìn)行研發(fā)的是封裝設(shè)計(jì)。

融入3D IC的SoC（System on Chip，系統(tǒng)級(jí)芯片）、GPU、DRAM等芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化。要生產(chǎn)出以上“商品”，需要前段工序的技術(shù)要素。這樣，前段工序和后段工序（封裝）之間就出現(xiàn)了Paradigm Shift（典范轉(zhuǎn)移）現(xiàn)象。

可想而知，后段工序（封裝）開(kāi)始引起人們的關(guān)注，那么，日本企業(yè)在此處的設(shè)備、材料的占比如何呢？

下圖9是半導(dǎo)體后段工序的概要。在前段工序中，在單顆晶圓上形成1,000個(gè)左右的芯片（Chip），而在后段工序中，通過(guò)裁斷（Dicing）工藝，將一顆顆芯片（Chip）切割出來(lái)，封裝到IC載板上，再進(jìn)行各類(lèi)測(cè)試，最終完成產(chǎn)品。

圖9：后段工藝的概要。

此處，與前段工序不同、后段工序中相對(duì)復(fù)雜的是有機(jī)基板（一般為有機(jī)基板，用于搭載芯片，據(jù)說(shuō)因用途、企業(yè)不同而不同）。即，后段工序中沒(méi)有像前段工序中的硅晶圓（Silicon Wafer）那樣的全球標(biāo)準(zhǔn)，因此，要理解后段工序是有難度的。

此外，與前段工序的技術(shù)節(jié)點(diǎn)（Technology Node）相比，后段工序的設(shè)計(jì)規(guī)則（Design Rule）有三位數(shù)的差異（前段工序?yàn)榧{米級(jí)、后段工序?yàn)槲⒚准?jí)，如下圖10）。就目前而言，TSMC在前段工序中已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)5納米節(jié)點(diǎn)，而后段工序中使用的有機(jī)基板的設(shè)計(jì)規(guī)則還停留在5微米。

圖10：半導(dǎo)體前段工序的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和后段工序的設(shè)計(jì)規(guī)則之間的差異，封裝的附加值。

那些完全沉浸于“唯微縮化是最重要的工藝”想法的前段工序的技術(shù)人員看了上圖后，或許會(huì)有人認(rèn)為“半導(dǎo)體后段工序也就是MEMS的水平”。其實(shí)，這是大錯(cuò)特錯(cuò)！如果后段工序中的有機(jī)基板的設(shè)計(jì)規(guī)則可以緊跟前段工序的微縮化發(fā)展，那么，封裝的最終產(chǎn)品就可以賣(mài)個(gè)好價(jià)錢(qián)！

那么，如果封裝技術(shù)沒(méi)有跟上前段工序中的微縮化技術(shù)，就會(huì)嚴(yán)重影響最終產(chǎn)品的銷(xiāo)售價(jià)格！此處，就是封裝的最大附加值！也就是說(shuō)，并不是僅發(fā)展微縮化就足夠了。

后段工序（封裝）相關(guān)的“玩家”、決策人、流程都是十分復(fù)雜的。請(qǐng)看下圖11，我們把英特爾的用于服務(wù)器方向的處理器（Processor）作為一個(gè)事例來(lái)分析。

圖11：后段工序（封裝）的決策者、流程。

就后段工序的工藝而言，既有OAST（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing，外包半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝和測(cè)試）封裝的情況，也有英特爾自行封裝的情況。為了易于讀者理解，我們假設(shè)全部由OSAT進(jìn)行封裝。

（1）首先，由英特爾決定把芯片（Chip）封裝在哪家公司的基板上、英特爾決定基板的原材料。

（2）被英特爾選定的味之素Fine-Techno、三菱氣體化學(xué)等基板材料廠(chǎng)家把基板材料供給由英特爾選定的基板廠(chǎng)家（揖斐電電子、新光電氣）。

（3）揖斐電電子、新光電氣根據(jù)英特爾的規(guī)格要求，生產(chǎn)有機(jī)基板，然后將基板出貨給日月光（ASE）、安靠（Amkor）等OSAT廠(chǎng)家。

（4）OSAT再采購(gòu)各類(lèi)用于后段工序的設(shè)備、材料，如DISCO（迪思科）的切割設(shè)備（Dicer）等。

（5）英特爾再把在前段工序中完成的晶圓（Wafer）交給OSAT。

（6）OSAT利用后段工序的各類(lèi)設(shè)備、材料，為英特爾封裝、測(cè)試各類(lèi)最終產(chǎn)品。

如上所示，即生產(chǎn)出了英特爾的用于服務(wù)器的處理器（Processor），那么，日本企業(yè)在有機(jī)基板材料、有機(jī)基板、后段工序材料、后段工序設(shè)備領(lǐng)域中的占比如何呢？這些領(lǐng)域中有哪些主要“玩家”呢？

下圖12 各家企業(yè)在有機(jī)基板材料中的占比，就用于低端、普通印刷線(xiàn)路板（Printed Circuit Board， PCB）的銅箔壓層板而言，日本企業(yè)的市占率幾乎為零，幾乎被中國(guó)大陸、臺(tái)灣的企業(yè)“瓜分”。

圖12：上圖第一行黃色部分為“中國(guó)臺(tái)灣”、綠色部分為“美國(guó)”、第一行和第二行的最右側(cè)褐色部分為“其他”，第二行中間紅色部分為“韓國(guó)斗山集團(tuán)”。

就用于高端封裝的銅箔壓層板而言，日本企業(yè)占比為65%（甚至更多）；就用于封裝的壓層（Build Up）材料和用于封裝的阻焊劑（Solder Resist）而言，日本企業(yè)幾乎“霸占”了100%的市場(chǎng)。

下圖13是全球主要基板廠(chǎng)家，大部分基板廠(chǎng)家都集中在亞洲地區(qū)。其中，日本的揖斐電電子（IBIDEN）、新光電氣（Shinko）的技術(shù)尤其出色，如果沒(méi)有這兩家公司，就無(wú)法生產(chǎn)出用于服務(wù)器的處理器（Processor）。總而言之，揖斐電電子、新光電氣是獨(dú)一無(wú)二的存在。

圖13：主要基板廠(chǎng)家。出自：AZ Supply Chain Solutions。

下圖14是各家企業(yè)在各類(lèi)后段工序材料中的占比。就邊框（Lead-frame）而言，日本的占比僅為37%。但是，就作為封裝材料的塑封材料（Mold）而言，日本占有65%以上的市占率，此外，就TSMC研發(fā)的用于蘋(píng)果手機(jī)的InFO（Integrated Fan-Out WLP，集成扇出型晶圓級(jí)封裝）等材料、用于FOWLP（Fan Out Wafer Level Packaging，扇出型晶圓級(jí)封裝）的塑封（Mold）材料而言，日本企業(yè)占有88%的比例。

此外，日本企業(yè)在底部填充材料（Under-fill）中占有92%的份額，也近乎“獨(dú)霸”。

圖14：各家企業(yè)在后段工序材料中的占比。出自：IHS Markit、Yole、各家日本材料廠(chǎng)家。

最后，下圖15是各家企業(yè)在后段工序設(shè)備中的占比。日本企業(yè)在半導(dǎo)體切割機(jī)（Dicer）方面占有90%的占比；日本企業(yè)在芯片焊接機(jī)（Die Bonding）方面的占比僅有10%；在塑封設(shè)備（Molding）方面占有65%的份額，測(cè)試設(shè)備為55%，都過(guò)半。

圖15：各家企業(yè)在后段工序設(shè)備中的占比。出自：各家公司財(cái)報(bào)、樂(lè)天證券、野村證券。

如上所述，在有機(jī)基板材料、有機(jī)基板、后段工序材料、后段工序設(shè)備中，總的來(lái)說(shuō)，日本企業(yè)的市占率頗高，在全球范圍內(nèi)擁有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

我們分析一下?lián)碛休^高市占率的日本企業(yè)，可以發(fā)現(xiàn)以下三點(diǎn)。

第一，日本企業(yè)專(zhuān)注于某一項(xiàng)材料、某一種設(shè)備，且擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，占有壓倒性?xún)?yōu)勢(shì)，是其他企業(yè)遠(yuǎn)不能及的。舉例來(lái)說(shuō)，迪斯科（Disco）的切割設(shè)備（Dicer，80%），味之素Fine-techno的封裝壓層（Build-up）材料（96%），太陽(yáng)油墨（Ink）的用于封裝的阻焊劑（Solder Resist，85%）等。

第二，日本企業(yè)專(zhuān)注于高端技術(shù)，利用世界一流的技術(shù)，成為其他企業(yè)無(wú)法趕超的行業(yè)第一。比方說(shuō)，三菱氣體化學(xué)（30%）、昭和電工材料（30%）的用于封裝的銅箔壓層板，揖斐電電子和新光電氣的有機(jī)基板等。

第三，有的企業(yè)涉及多個(gè)領(lǐng)域（如設(shè)備、工藝、材料等），通過(guò)提供多種材料為客戶(hù)提供綜合性的解決方案（Total Solution）。最具典型性的就是昭和電工材料，其通過(guò)JOINT Consortium（聯(lián)合國(guó)際財(cái)團(tuán)）的方式，成功為多家客戶(hù)提供多種材料。

此外，提供銅箔壓層板和塑封材料的住友電木株式會(huì)社也是其中的典型代表。綜上所述，擁有較高市占率的企業(yè)都至少能提供三種產(chǎn)品，其根本原因正如文章開(kāi)頭所述的日本的特點(diǎn)：誠(chéng)實(shí)地生產(chǎn)制造和管理質(zhì)量、踏實(shí)的研發(fā)能力、竭盡全力滿(mǎn)足客戶(hù)需求的態(tài)度等。這些都是日本企業(yè)獲得較高競(jìng)爭(zhēng)力的源泉。

可以說(shuō)，日本人的思維方式、行動(dòng)方式促使了日本企業(yè)獲得如此高的市占率。

文章至此，我們已經(jīng)分別分析了在半導(dǎo)體前段工序、后段工序（封裝）、相關(guān)設(shè)備和材料中，日本企業(yè)的占比、緣何有如此高（或者低）的占比。在半導(dǎo)體前段工序中，日本企業(yè)在涉及液體、流體、粉末等不具具體形狀的設(shè)備和材料方面，擁有較高的市占率。

另一方面，在涉及光、電子束（Beam）以及等離子（Plasma）設(shè)備方面，日本企業(yè)不占優(yōu)勢(shì)。筆者認(rèn)為，這些市占率的高低是由日本人與歐美人思維方式、行動(dòng)方式的不同直接相關(guān)。

在后段工序（封裝）中，就有機(jī)基板材料、有機(jī)基板、后段工序相關(guān)設(shè)備和材料而言，可以看出日本企業(yè)的占比是極高的。將這些企業(yè)分類(lèi)后，發(fā)現(xiàn)以下趨勢(shì)：有的企業(yè)專(zhuān)注于某一特定行業(yè)并獲得其他企業(yè)無(wú)法比肩的優(yōu)勢(shì)、有的企業(yè)以世界一流的技術(shù)獲得壓倒性的優(yōu)勢(shì)、有的企業(yè)發(fā)力多個(gè)領(lǐng)域且都獲得了較高的市占率。

可以說(shuō)，日本人的思維方式、行動(dòng)方式直接推動(dòng)了日本企業(yè)的較高市占率。的確，如今的日本企業(yè)在前段工序、后段工序（封裝）中擁有較高的市占率，未來(lái)能否繼續(xù)保持下去呢？那些懷著“我們公司是世界第一”傲慢態(tài)度的企業(yè)最終卻走向失敗的事例不勝枚舉。

可以舉出的半導(dǎo)體行業(yè)的事例如下：在上世紀(jì)八十年代，日本的DRAM業(yè)務(wù)可謂全球第一；日本的SoC業(yè)務(wù)在2010年后近乎覆沒(méi)。在設(shè)備和材料領(lǐng)域亦是如此，韓國(guó)和中國(guó)正舉全國(guó)之力在加速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。

此外，歐美國(guó)家正加速使用人工智能（AI）來(lái)開(kāi)發(fā)設(shè)備和材料，他們都很有可能會(huì)凌駕在日本的匠人精神之上。為了繼續(xù)保持和提高日本企業(yè)現(xiàn)有的較高市占率，必須毫不松懈地不斷研發(fā)。

根據(jù)需要，甚至可以采取歐美企業(yè)的研發(fā)方式。筆者在今年6月1日的眾議院演講中，提出了“應(yīng)該讓優(yōu)勢(shì)更強(qiáng)”的觀點(diǎn)！筆者認(rèn)為，日本的各家材料廠(chǎng)家、設(shè)備廠(chǎng)家應(yīng)該充分發(fā)揮和加強(qiáng)自身的優(yōu)勢(shì)、長(zhǎng)處，以在3D IC時(shí)代充分發(fā)揮自身的競(jìng)爭(zhēng)力。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的日本半导体设备和材料为何那么强？的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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