近日，杭州國家“芯火”平臺宣布，其第一顆芯片——超大窗口阻變隨機存儲器芯片正式誕生，命名“杭州芯火壹號”HX001。

該芯片由杭州國家“芯火”雙創(chuàng)平臺、浙江大學微納電子學院協(xié)同開發(fā)完成，其中阻變器件選擇插層結(jié)構(gòu)，采用雙層或多層的插層結(jié)構(gòu)來固定導(dǎo)電細絲在電極、插層和阻變層界面處的位置。

制備Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結(jié)構(gòu)，可有效地減少阻變器件的阻變參數(shù)的離散性。

具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni結(jié)構(gòu)的阻變器件不需要Forming操作，從而有效提高憶阻器的窗口，存儲窗口可大于106，并減少了對器件的后端集成。

同時，采用十字交叉陣列將單元面積做到40F2，大大提高了阻變器件的集成密度。

經(jīng)過功能和性能檢測，HX001芯片的工作電壓小于5V；所讀取的憶阻器阻值窗口遠大于106；在150℃環(huán)境下，分別在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s時加約0.1V小電壓，對憶阻器進行數(shù)據(jù)保持特性測試，憶阻器均能保持電阻阻值穩(wěn)定。

根據(jù)模型外推，憶阻器所存儲的數(shù)據(jù)可在150℃環(huán)境溫度下保持10年以上，憶阻器單元面積小于40F2。

目前，HX001芯片已經(jīng)多家單位評測試用，用戶均認為該芯片產(chǎn)品具有較好的存儲特性和可靠性，優(yōu)于市場同類產(chǎn)品，具有較好的市場應(yīng)用前景。

項目已申請一項國家發(fā)明專利。

憶阻器（Memoristor）是表示磁通與電荷關(guān)系的電路器件。阻變式存儲器（RRAM）是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。

作為阻變式存儲器芯片一個重要的電子元件，憶阻器的電阻會隨外加電壓的高低而變化。

RRAM將比閃存更快記憶信息，消耗更少電力，占用更少空間。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布：150℃下可保存10年的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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