1. 隨機訪問存儲器（RAM）

? 隨機訪問存儲器可以分為靜態隨機訪問存儲器（SRAM）和動態隨機訪問存儲器（DRAM）。

? SRAM通常作為高速緩存存儲器，它的速度比DRAM要快，抗干擾性比DRAM好，造價也更高；DRAM通常作為計算機的主存以及顯存。

? SRAM和DRAM都是易失性存儲器，斷電后，存儲的信息就會丟失。

2. DRAM和主存

? DRAM將每個位存儲在一個電容中，DRAM很容易漏電而丟失信息，因此DRAM存儲器必須周期性地讀寫來刷新存儲器的每一位，DRAM常用來構成計算機的主存儲器。

? DRAM芯片的結構如下圖：

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? DRAM芯片單元被組織成二維陣列，行列中的每格稱作超單元，每個超單元由若干位組成。每個DRAM芯片連接到存儲控制器，存儲控制器要讀出某個超單元的內容，首先發送行地址給DRAM芯片，DRAM芯片將一整行內容拷貝到內部行緩沖區，然后存儲控制器發送列地址給DRAM芯片，DRAM芯片再從內部行緩沖區當中將選中的超單元的內容發送給存儲控制器。DRAM芯片組織成二維陣列是為了降低芯片地址引腳數量。

? 主存儲器通常包含多個DRAM芯片，CPU發送一個地址給存儲控制器，存儲控制器將地址轉換成行地址和列地址，然后發送給每個DRAM芯片，選中每個DRAM芯片的指定超單元，合并后輸出給存儲控制器。

3. 只讀存儲器（ROM）

? ROM名字上叫作只讀存儲器，這是因為一開始的ROM存儲器只能被寫一次，而后來出現了可以寫多次的ROM，因此ROM實際上通常已經是可讀也可寫的存儲器了，ROM最主要的特性是它是非易失性的，即斷電后內容不會丟失。

? EEPROM叫作電子可擦寫可編程ROM，是現在常用的一種ROM，閃存就是基于EEPROM的一種新型的存儲器，基于閃存的新型磁盤有固態硬盤（SSD）。

4. 磁盤

? 磁盤的基本單位從大到小一次是：柱面、磁道、扇區，磁盤一次讀寫一個扇區的數據。早起的磁盤每個磁道包含的扇區數目是相同的，即由最靠近中心軸的磁道決定，這樣遠離中心的磁道上扇區之間的分隔就越大。而現代的磁盤是將柱面分為多個區，同一個區中的柱面中的磁道具有相同的扇區數，越靠近外面的區，其中的磁道所包含的扇區的數目越多。

總結

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