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這里說的CT，不是醫(yī)院里面的CT，而是閃存的一種技術(shù)：Charge Trap。

閃存不只有Floating Gate，還有Charge Trap。

浮柵極材料是導(dǎo)體，一般為多晶硅。

CTF（Charge Trap Flash）與FGF （Floating Gate Flash）最大不同是存儲(chǔ)電荷的元素不同，后者是用導(dǎo)體存儲(chǔ)電荷，而前者是用高電荷捕捉（Trap）密度的絕緣材料（一般為氮化硅，SI3N4）來存儲(chǔ)電荷。CTF的絕緣材料上面就像布了很多陷阱，電子一旦陷入其中，就難以逃脫，而FGF是導(dǎo)體材料，電子可以在里面自由移動(dòng)。有人是這樣來形容兩者區(qū)別的：FGF的浮柵極就像水，電子可在里面自由移動(dòng)；而CTF就像是奶酪，電子在里面移動(dòng)是非常困難的。

相對(duì)FGF來說，CTF的一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是：對(duì)Tunnel氧化層不敏感，厚度變薄，或者擦除導(dǎo)致老化，CTF表示壓力不大。

CTF相比FGF，有很多好處，如上面提到的，對(duì)tunnel氧化層要求不是那么苛刻；更小的cell-to-cell interface；tunnel氧化層磨損更慢；更節(jié)能；據(jù)說工藝實(shí)現(xiàn)也容易；可以在更小的尺寸上實(shí)現(xiàn)。但是，CTF也不是完勝。在Read disturb和Program disturb上，CTF較FGF影響更大。為什么？因?yàn)閠unnel氧化層可以更薄，同樣的導(dǎo)通電壓，tunnel電場就更強(qiáng)，因此電子越容易跑到Charge Trap里面。總的看來，CTF的一個(gè)特點(diǎn)就是，電子容易進(jìn)不容易出。

CTF看來很好，但很奇怪的是，2D閃存很少看到CTF，不知道為什么。CT技術(shù)現(xiàn)在主要是應(yīng)用在3D閃存上。

轉(zhuǎn)載于:https://www.cnblogs.com/Caden-liu8888/p/7379892.html

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的《浅谈CT》总结的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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