模拟电路——晶体管基础
本文參考:楊建國老師的《新概念模擬電路——晶體管》
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模擬電路的精髓在于兩個字:放大
晶體管更多的時候我們稱它為三極管
晶體管是流控器件,用小電流控制大電流(順帶提一下場效應管是壓控器件,小電壓控制大電壓)
一、晶體管箭頭的作用:
晶體管中箭頭方向代表了管子的類型:箭頭向外的,是 NPN 型,箭頭朝里的,是 PNP 型。晶體管有箭頭的管腳表示三極管的發射極。
二、晶體管的電流方向
對于 NPN 管,發射極電流iE是流出的,基極電流iB和集電極電流iC都定義為流入的。
對于 PNP管 ,發射極電流iE是流入的,基極電流iB和集電極電流iC都定義為流出的。
三、晶體管的三個公式
1、基爾霍夫電流定律:
2、集電極電流𝑖C唯一受控于基極電流𝑖B:
(β為晶體管的放大倍數)
3、由公式2可以推導出:
四、晶體管的伏安特性曲線
輸出伏安特性中的區域劃分
1)放大區。圖中標注的中心空白區域。在此區域內,晶體管的 iC幾乎不受電壓 uCE 控制,近似滿足下式:
2)飽和區。圖中標注的豎線區域。在此區域內,iC 隨著電壓 uCE 增大而增加。為了簡單表示,一般認為當 uCE<UCES,屬于飽和區。(其中 UCES 稱為晶體管的飽和壓降,是飽和區和放大區的分界電壓,晶體管一般為 0.3V/0.7v。很顯然,在飽和區時,隨著 IB 的增加,飽和壓降會上升。)
3)截止區。IB=0 的那根線。當 IB=0 時,iC并不為 0,而是存在與 uCE 相關的漏電流。
定義當 IB=0 的區域為截止區。截止區的含義是使得晶體管處于幾乎沒有任何電流流進流出
的狀態,就像完全關閉一樣。
總結
以上是生活随笔為你收集整理的模拟电路——晶体管基础的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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