三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm
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三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm
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三星不僅是世界第一大DRAM內存芯片供應商,技術水平也是最先進。
據BusinessKorea,三星要求研發人員停止1b工藝DRAM芯片的開發,也就是跳過12nm,直接跨代到1c,即11nm。
此前的說法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困難,搞不定。不過就最新的報道來看,似乎并非如此,當然,最終實情如何,還得拿實物量產說話。
報道指出,三星此舉目的在于重新拉開與競爭對手SK海力士、美光的技術差距,其原因在于1a DRAM芯片量產上,三星實際上落后于競爭對手。
事實上,這并非三星第一次在DRAM芯片上計劃“彎道超車”,當年對手都在搞28nm DRAM時,三星聚焦更先進的25nm工藝,結果高風險最終促成高收益。
總結
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