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编程问答

MICROCHIP的PIC16F1519-I/PT中英文简略规格书

發(fā)布時(shí)間：2023/12/14 编程问答 29 豆豆

生活随笔收集整理的這篇文章主要介紹了 MICROCHIP的PIC16F1519-I/PT中英文简略规格书小編覺得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

PIC16(L)F1516/7/8/9通用，帶有XLP技術(shù)的28/40/44針Flash微控制器

本數(shù)據(jù)表中包含的設(shè)備
?pic16f1516
?pic16f1517
pic16f1518 pic16lf1518
?pic16f1519
高性能的RISC CPU
?C編譯器優(yōu)化架構(gòu)
?只有49指令
?操作速度:
- dc - 20 MHz時(shí)鐘輸入@ 2.5V
- dc - 16mhz時(shí)鐘輸入@ 1.8V
- dc - 200 ns指令周期
?中斷能力與自動(dòng)上下文保存
?16級深層硬件堆棧，可選溢出/下流復(fù)位
?直接、間接和相對尋址模式:
兩個(gè)全16位文件選擇寄存器(FSRs)
- fsr可以讀取程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
內(nèi)存
?高達(dá)28kbytes線性程序內(nèi)存尋址
?高達(dá)1024字節(jié)的線性數(shù)據(jù)內(nèi)存尋址
?High Endurance Flash Data Memory (HEF):
-128B的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
?100 k擦除/寫周期
靈活的振蕩器結(jié)構(gòu)
?16 MHz內(nèi)部振蕩器塊:
-軟件可選擇的頻率范圍從16 MHz到31 kHz
?31 kHz低功率內(nèi)部振蕩器
?外部振蕩器塊:
-四種晶體/諧振模式高達(dá)20 MHz
-三種外部時(shí)鐘模式，最高20 MHz
?自動(dòng)防故障裝置時(shí)鐘監(jiān)控:
-允許安全關(guān)閉，如果外圍時(shí)鐘停止
?雙速振蕩器啟動(dòng)
?振蕩器啟動(dòng)定時(shí)器(OST)

模擬功能
?模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC):
10位分辨率
多達(dá)28個(gè)頻道
汽車收購能力
-轉(zhuǎn)換可在睡眠期間
?基準(zhǔn)電壓模塊:
固定電壓參考(FVR)與1.024V, 2.048V和4.096V輸出電平
?溫度指示器
ultra Low-Power (XLP) Management PIC16LF1516/7/8/9 with XLP
?睡眠模式:20 nA @ 1.8V，典型
?看門狗定時(shí)器:300na @ 1.8V，典型
?次級振蕩器:600 nA @ 32 kHz
工作電流:30?A/MHz @ 1.8V，典型
特殊的微控制器的功能
?操作電壓范圍:
- 2.3 v - 5.5 v (PIC16F1516/7/8/9)
- 1.8 v - 3.6 v (PIC16LF1516/7/8/9)
在軟件控制下可自行編程
?加電復(fù)位(運(yùn)動(dòng))
?升高計(jì)時(shí)器(PWRT)
?低功率限電復(fù)位(lpor)
?擴(kuò)展看門狗定時(shí)器(WDT)
通過兩個(gè)引腳的在線串行編程?(ICSP?)
?通過兩個(gè)引腳的在線調(diào)試(ICD)
?增強(qiáng)的低壓編程(LVP)
?可編程代碼保護(hù)
?低功耗睡眠模式
外圍亮點(diǎn)
?多達(dá)35個(gè)I/O引腳和1個(gè)輸入專用引腳:
-高電流接收器/源25 mA/25 mA
-單獨(dú)可編程弱引體向上
-單獨(dú)可編程中斷更改(IOC)引腳
?Timer0: 8位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器與8位預(yù)調(diào)節(jié)器
?增強(qiáng)Timer1:
-16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器與預(yù)調(diào)節(jié)器
-External Gate輸入模式
-低功率32 kHz次級振蕩器驅(qū)動(dòng)器
?Timer2: 8位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器與8位周期寄存器，預(yù)標(biāo)器和后標(biāo)器
?兩個(gè)Capture/Compare (CCP)模塊

主同步串行端口(MSSP)與SPI和I2C:
7位地址屏蔽
-SMBus / PMBusTM兼容性
?增強(qiáng)通用同步異步接收發(fā)射機(jī)(euusart)模塊:
-RS-232, RS-485和LIN兼容
-Auto-Baud檢測
-Auto-wake-up上開始

注1:I -調(diào)試，集成在芯片上;調(diào)試，可使用調(diào)試頭文件。
2:單腳輸入。
數(shù)據(jù)表索引:(無陰影的設(shè)備在本文檔中進(jìn)行了描述。)

數(shù)據(jù)表索引:(無陰影的設(shè)備在本文檔中進(jìn)行了描述。)
1: DS40001624 PIC16(L)F1512/13 Data Sheet, 28引腳Flash, 8位微控制器。
2: DS40001452 PIC16(L)F1516/7/8/9 Data Sheet, 28/40/44-Pin Flash, 8位mcu。
3: DS40001458 PIC16(L)F1526/27 Data Sheet, 64-Pin Flash, 8-bit mcu。

圖1:pic16 (l) f1516/1518的28引腳spdip, soic, ssop包裝圖

圖2:pic16 (l) f1516/1518的28針uqfn (4x4)包裝圖

圖3:pic16 (l) f1516/1518的28針QFN (6x6)包裝圖

圖4:pic16 (l) f1517/1519的40引腳pdip封裝圖

圖5:pic16 (l) f1517/1519的40針uqfn (5x5)包裝圖

圖6:pic16 (l) f1517/1519的44針TQFP封裝圖

表1:28/40/44針分配表

1.0設(shè)備概述
在此數(shù)據(jù)中描述了PIC16(L)F1516/7/8/9
表。系統(tǒng)框圖如圖1-1所示
PIC16 (L) F1516/7/8/9設(shè)備。表1-2
引出線的描述。
參考表1-1提供的外設(shè)
設(shè)備。
表1-1:設(shè)備外設(shè)
總結(jié)

圖1-1:pic16 (l) f1516/7/8/9方框圖

?表1-2:pinout描述

圖示:AN =模擬輸入或輸出CMOS= CMOS兼容輸入或輸出OD =開路漏極
TTL = TTL兼容輸入ST =施密特觸發(fā)器輸入與CMOS電平I2C =施密特觸發(fā)器輸入與I2C
HV =高電壓XTAL =晶體級
注1:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。默認(rèn)的位置。
2:外圍引腳位置選擇使用APFCON寄存器(寄存器12-1)。備用位置。
3: PORTD和RE<2:0>只在PIC16(L)F1517/9上可用。

?表1-2:pinout描述(續(xù))

表1-2:pinout描述(續(xù))

2.0增強(qiáng)的中端CPU
這個(gè)系列的設(shè)備包含一個(gè)增強(qiáng)的中程
8位CPU核心。CPU有49條指令。中斷
功能包括自動(dòng)上下文保存。的
硬件棧是16層深，并有溢出和
下溢復(fù)位功能。直接、間接、和
有相對尋址模式。兩個(gè)文件
選擇寄存器(fsr)提供讀取能力
程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
?自動(dòng)中斷上下文保存
?16級堆疊溢出和下流
?文件選擇寄存器
?指令集

圖2-1:核心框圖

2.1自動(dòng)中斷
儲(chǔ)蓄
在中斷期間，某些寄存器是自動(dòng)的
保存在陰影寄存器和恢復(fù)時(shí)返回
從中斷。這節(jié)省了堆棧空間和用戶
代碼。參見第7.5節(jié)“自動(dòng)上下文保存”，
為更多的信息。
2.2 16級堆棧溢出和
下溢
這些設(shè)備有一個(gè)外部堆棧內(nèi)存15位
寬，16字深。一個(gè)堆棧溢出或流下將設(shè)置適當(dāng)?shù)奈?STKOVF或STKUNF)
在PCON寄存器中，如果啟用，將導(dǎo)致軟件復(fù)位。請參閱3.6節(jié)“堆棧”了解更多細(xì)節(jié)。
2.3文件選擇寄存器
有兩個(gè)16位文件選擇寄存器(FSR)。市場
可以訪問所有的文件寄存器和程序存儲(chǔ)器，
它允許一個(gè)數(shù)據(jù)指針用于所有內(nèi)存。當(dāng)一個(gè)
FSR指向程序存儲(chǔ)器，還有一個(gè)附加的
在指令周期中使用INDF來允許
待獲取的數(shù)據(jù)。通用記憶現(xiàn)在可以了
也是線性的，提供了能力
訪問大于80字節(jié)的連續(xù)數(shù)據(jù)。有
還有支持fsr的新指令。看到
更多細(xì)節(jié)請參閱3.7節(jié)“間接尋址”。
2.4指令集
有49條增強(qiáng)中程的說明
CPU，支持CPU的特性。看到
第24.0節(jié)“指令集摘要”了解更多信息
細(xì)節(jié)。

3.0組織記憶
這些設(shè)備包含以下類型的內(nèi)存:
?程序內(nèi)存
——配置的話
——設(shè)備ID
——用戶ID
- Flash程序內(nèi)存
?數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
——核心寄存器
-特殊功能寄存器
-通用內(nèi)存
——常見的內(nèi)存
以下特性與訪問和關(guān)聯(lián)
程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的控制:
?PCL和PCLATH
?堆棧
?間接尋址
3.1程序內(nèi)存組織
增強(qiáng)的中程核心有一個(gè)15位程序
計(jì)數(shù)器能夠?qū)ぶ芬粋€(gè)32K x 14程序
內(nèi)存空間。內(nèi)存大小如表3-1所示
為這些設(shè)備實(shí)現(xiàn)。訪問一個(gè)位置
超過這些界限將導(dǎo)致一個(gè)環(huán)繞內(nèi)部
實(shí)現(xiàn)的內(nèi)存空間。重置向量是
而中斷向量在0004h(見
圖3-1和圖3-2)。
Flash 3.2高耐用性
這個(gè)設(shè)備有一個(gè)128字節(jié)的高耐久段
程序閃存(PFM)代替數(shù)據(jù)
eepm。這個(gè)地區(qū)特別適合
預(yù)期的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
在最終產(chǎn)品的生命周期內(nèi)經(jīng)常更新。
參見第11.2節(jié)“Flash程序內(nèi)存”
的詳細(xì)信息
烤瓷。參見第3.2.1.2節(jié)“用FSR間接讀取”
，以獲取有關(guān)使用FSR寄存器的更多信息
讀取存儲(chǔ)在PFM中的字節(jié)數(shù)據(jù)。

3.2.1讀取程序內(nèi)存為
數(shù)據(jù)
中有兩種訪問常量的方法
程序內(nèi)存。第一種方法是使用表
RETLW指令。第二種方法是設(shè)置
指向程序內(nèi)存的FSR。
3.2.1.1 RETLW指令
可以使用RETLW指令來提供訪問
到常數(shù)表。例3-1所示為推薦的cre吃這樣一個(gè)表的方法。

BRW指令使這種類型的表非常
簡單的實(shí)現(xiàn)。如果代碼必須保持可移植性
與前幾代的微控制器相比，然后
BRW指令不可用，所以舊的表讀取
方法必須使用。
3.2.1.2 FSR間接讀
程序內(nèi)存可以作為數(shù)據(jù)訪問
設(shè)置FSRxH寄存器的第7位并讀取
匹配INDFx登記。MOVIW指令會(huì)
將尋址詞的下八位放在
W登記。寫入程序內(nèi)存是不可能的
通過INDF寄存器執(zhí)行。指令
通過FSR訪問程序內(nèi)存需要一個(gè)
額外的指令周期要完成。例3 - 2
演示通過控件訪問程序內(nèi)存
身上。
HIGH指令將設(shè)置位<7>，如果標(biāo)簽指向a
程序存儲(chǔ)器中的位置 3.3數(shù)據(jù)存儲(chǔ)組織
數(shù)據(jù)內(nèi)存被劃分為32個(gè)內(nèi)存組
銀行里有128個(gè)字節(jié)。每行由
(圖3 - 3):
?12核寄存器
?20個(gè)特殊函數(shù)寄存器(SFR)
?高達(dá)80字節(jié)的通用RAM (GPR)
?16字節(jié)的普通RAM
通過寫銀行號碼來選擇活動(dòng)銀行
進(jìn)入銀行選擇登記(BSR)。未實(shí)現(xiàn)的
內(nèi)存將讀取為' 0 '。所有數(shù)據(jù)均可存儲(chǔ)
直接訪問(通過使用
文件注冊)或間接通過兩個(gè)文件選擇
寄存器(FSR)。見第3.7節(jié)“間接”
地址是“獲取更多信息”。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用12位地址。上五位
的地址定義了銀行地址，較低的
7位選擇單個(gè)SFR, GPR和普通
銀行的內(nèi)存位置。 3.3.1核心寄存器
核心寄存器直接包含這些寄存器
影響基本操作。核心寄存器占用
每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)庫的前12個(gè)地址
(地址:x00h/x08h至x0Bh/x8Bh)。這些
表3-2列出了寄存器。的詳細(xì)
信息，如表3-7所示。 3.3.1.1狀態(tài)寄存器
STATUS寄存器，如寄存器3-1所示，包含:
?ALU的算術(shù)狀態(tài)
?Reset狀態(tài)
STATUS寄存器可以是任何
指令，就像其他寄存器一樣。如果狀態(tài)
寄存器是受影響指令的目的地
Z, DC或C位，然后寫入這三個(gè)位是
禁用。這些位是根據(jù)
設(shè)備的邏輯。此外，TO和PD位不是
可寫的。因此，使用的指令的結(jié)果
作為目的地的狀態(tài)寄存器可能不同于
的意圖。

例如，CLRF STATUS將清除上面三個(gè)
位，并設(shè)置Z位。這就剩下STATUS寄存器了
如' 000u u1uu '(其中u = unchanged)。
因此，建議只使用BCF、BSF、
SWAPF和MOVWF指令用于修改
狀態(tài)寄存器，因?yàn)檫@些指令沒有
影響任何狀態(tài)位。對于其他指示，請不要
影響任何狀態(tài)位(參見24.0節(jié))
“指令集總結(jié)”)。
3.4注冊定義:狀態(tài)

注1:C位和DC位操作為Borrow
和Digit Borrow out bits，分別為in
減法。

3.4.1專用函數(shù)寄存器
特殊函數(shù)寄存器是由
控制所需操作的應(yīng)用程序
設(shè)備中的外圍功能。特殊的功能
的核心寄存器之后占用20個(gè)字節(jié)
每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(地址為x0Ch/x8Ch
通過x1Fh / x9Fh)。關(guān)聯(lián)的寄存器
外圍設(shè)備的操作在
適當(dāng)?shù)耐鈬鹿?jié)的這一數(shù)據(jù)表。
3.4.2通用滑塊
在每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中有多達(dá)80字節(jié)的GPR
銀行。特殊功能寄存器占20個(gè)
每個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的核心寄存器后面的字節(jié)
銀行(地址:x0Ch/x8Ch至x1Fh/x9Fh)。
3.4.2.1 GPR線性訪問
一般用途的RAM可以在
非銀行方法，通過fsr。這可以簡化
訪問大內(nèi)存結(jié)構(gòu)。參見3.7.2章
“線性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器”獲取更多信息。
3.4.3常見的內(nèi)存
有16個(gè)字節(jié)的公共RAM可從所有
銀行。

3.4.4設(shè)備內(nèi)存映射
內(nèi)存映射為PIC16(L)F1516/7和
PIC16(L)F1518/9如表3-3和
表3 - 4,分別。

?記下
1.Pin1的視覺索引特征可能會(huì)有所不同，但必須位于孵化區(qū)域內(nèi)。 2.§的顯著性特征
3.尺寸D不包括模具閃光燈、突出物或門式毛刺，其中應(yīng)
每端不超過0.15毫米。尺寸E1不包括鉛間閃光或突出物，每邊不得超過0.25mm。 4.按每臺(tái)ASMEY14.5M計(jì)算的尺寸和公差
BSC；基本尺寸。理論上精確的值顯示，沒有公差。
參考文獻(xiàn)：參考尺寸，通常沒有公差，僅供參考使用。 5.基準(zhǔn)A和B將在基準(zhǔn)H中確定。

?在具體調(diào)試過程中，我們會(huì)遇到各種奇怪的顯示異常，需要具體情況具體分析。本人調(diào)試PIC16F1519-I/PT也有9年多了，基本上沒有解決不了的問題。如有疑問，歡迎大家加Q?1547237878 ? Tel 18620382326?

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的MICROCHIP的PIC16F1519-I/PT中英文简略规格书的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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