緒論

IDM ：集成電路制造商（Integrated Device Manufactory），集設計、制造和封裝測試于一體，如Intel、Samsung

Fable ：只做芯片設計，如高通、海思

Foundry : 標準工藝加工、代客加工，沒有自己的產品 臺積電 中芯國際

MOSFET的工藝流程簡介

1、硅片清洗和打標記

2、氧化硅生長（保護硅片和掩膜層） 氧化：Si平面工藝的關鍵

3、光刻

4、腐蝕：HF去除養護層oxide

5、柵氧生長：干氧氧化工藝

6、多晶硅柵作為掩膜，刻蝕氧化膜

7、S和D形成：摻雜 工藝：離子注入

8、淀積絕緣層：SiN SiO2 工藝：CVD

9、金屬化：接觸孔、通孔及互連 材料：Al，Cu 工藝：PVD CVD

第一章 Si單晶及Si片的制備

米勒指數 ：用來描述晶體晶面晶向的參數

CMP ：Chemical Mechanical Polishing 化學機械拋光：化學作用和機械作用相結合的技術

第二章 氧化

選擇擴散 ：雜質在SiO2中的擴散速度遠小于Si中的擴散速度

Si的熱氧化 ：在高溫條件下，硅片與氧氣或水汽等氧化劑的化學反應生成SIO2

干氧氧化 ：高溫下，氧氣與硅片反應生成SIO2

水汽氧化 ：高溫下，硅片與高純水蒸氣反應生成SIO2

濕氧氧化 ：氧氣中攜帶一定量的水汽

附面層 ：速度及濃度分布受到擾動的區域，也稱為滯留區

第三章 擴散

摻雜 ：將所需要的雜質，以一定的方式摻入到半導體基片規定的區域內，并達到規定的數量和符合要求的分布

擴散 ：將摻雜雜質導入放有硅片的高溫爐中，從而達到將雜質擴散到硅片的目的

間隙式擴散 ：雜志在晶格的間隙中運動

替位式擴散 ：雜志原子從一個晶格點替位位置運動到另外一個替位位置

恒定表面源擴散/恒定表面濃度擴散 ：在擴散過程中，Si表面的雜質濃度始終保持不變

有限表面源擴散/恒定雜質總量擴散 ： 在擴散過程中，雜質源限定于擴散前淀積在晶片表面極薄層內的雜質總量Q，沒有補充，也不會減少

預淀積（預擴散） ：在較低溫度（800-900）溫度下，短時間淺結恒定源擴散，即–

再分布（主擴散） ：將預淀積的晶片在較高溫度下（1000-1200）進行深結擴散，最終達到所要求的表面濃度及結深，即—

OED ：氧化增強擴散

發射區推進（陷落）效應 ：NPN管的工藝中，發射區下方的內基區B的擴散深度大于發射區外的基區擴散濃度

二維擴散（橫向擴散） ：雜質在垂直Si表面擴散的同時，也進行平行Si表面的橫向擴散

結深xj ：pn結的幾何位置與擴散層表面的距離

方塊電阻 ：結深為xj的一個正方形擴散層的薄層電阻

第四章 離子注入

離子注入 ：將帶電的、且具有能量的離子入射到襯底中

劑量Q ：單位面積硅片表面注入的離子數

注入能量E ：離子注入的能量用電子電荷與電勢差的乘積來表示，單位是Kev

能量損失機制 1）核阻擋：與晶格原子的原子核碰撞低能量主要作用2）電子阻擋：與晶格原子的自由電子及束縛電子碰撞高能量下起主要作用

LSS理論 ：注入離子在靶內的分布理論

總射程R ：注入離子在靶內走過的路程之和

投影射程Xp ：總射程R在離子入射方向（垂直靶片）的投影長度，即離子注入的有效深度

平均投影射程Rp ：投影射程Xp的平均值（離子注入深度的平均值），具有統計分布規律-幾率分布函數

標準偏差（投影偏差） delta Rp 反映了Rp的分散程度（分散寬度）

陰影效應 ：注入離子受到掩膜的阻擋

位移閾值Ed ：靶原子離開其平衡位置所需要的最低能量

快速退火 RTA rapid thermal annealing ：利用高功率密度的位置作用于晶片表面，使注入層在短時間內達到高溫，以達到消除損傷的目的

第五章 物理氣相淀積

介電薄膜（SiO2 SiN） ：用來隔離導電層，作為擴散及離子注入的掩蔽膜，或是防止摻雜物的流失，或用來覆蓋器件免受雜質，水汽或刮傷的損害

多晶硅（polysilicon） ：MOS器件的柵淀積材料，多層金屬導通材料或淺結的接觸材料

金屬薄膜 （鋁、銅或金屬硅化物）：形成低阻值金屬連線，歐姆接觸及整流金-半接觸

氧化 ：二氧化硅薄膜的一種特定生長技術

外延 ：在半導體單晶襯底上生長半導體單晶薄膜

PVD ：利用蒸發或濺射等物理過程實現物質的轉移，即原子或分子由源轉移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜

電子束蒸發 ：電子轟擊蒸發材料，使其融化蒸發

蒸發 ：在真空系統中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛稱為蒸汽原子，淀積在晶片上

濺射 ：真空系統中充入一定的惰性氣體，在高壓電場的作用下，氣體放電形成的離子被強電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上

射頻濺射或RF濺射 ：高頻電場經其他阻抗形式耦合進入淀積室

磁控濺射 ：磁場在靶材表面與電場垂直，電子沿電場方向加速、繞磁場方向螺旋前進，提高了電子碰撞電離效率

反應濺射：純金屬靶材，通入反應氣體，生成特定的化合物

偏壓濺射：在襯底與靶材之間加偏壓，以改變入射到襯底表面的帶點粒子的數量和能量

帶準直器的濺射 ：將大角度濺射的中性原子吸附在準直器的側壁或表面上，小角度的才能通過

第六章 化學氣相淀積

化學氣相淀積（CVD）Chemical Vapour Deposition ：一種或數種物質的氣體，以某種方式激活后，在襯底發生化學反應，并淀積出所需固體薄膜的生長技術

APCVD 常壓CVD ：氣相淀積在1個大氣壓下進行

LPCVD 低壓CVD ：在27-270Pa壓力下進行化學氣相淀積

**PECVD 等離子CVD ** ：RF激活氣體分子（等離子體），使其在低溫（室溫）下發生化學反應，淀積成膜

保型覆蓋：所有圖形上淀積的薄膜厚度相同，也稱共性覆蓋

第七章 外延工藝

外延 ：在單晶襯底上，按襯底晶向生長一層新的單晶薄膜的工藝技術

外延層 ：襯底上新生張的單晶層

外延片 ：生長了外延層的襯底片

氣相外延VPE 液相外延LPE 固相外延SPE

分子束外延MBE Molecular Beam Epitaxy：超高真空下，利用薄膜組分元素受熱蒸發所形成地原子束或分子束，直接射到襯底表面，形成外延層

同質外延 :外延層與襯底材料相同

異質外延：外延層與襯底材料不同

常壓外延 ：100kPa

低壓（減壓）外延：5-20kPa

擴散效應 ：襯底雜質與外延層雜質相互擴散，導致界面處雜質再分布

自摻雜效應（非故意摻雜）：襯底雜志及其他來源雜質非人為地摻入外延層

選擇性外延（SEG）：在特定區域有選擇地生長外延層

橫向（超速）外延（ELO）：選擇性外延地薄膜超過SiO2掩膜地臺階，開始橫向外延

SOI Silicon On Insulator 絕緣層上硅

SOS：；藍寶石上硅或尖晶石上硅

層錯：由于原子排列次序發生錯亂而產生地缺陷

第八章 光刻工藝

光刻：通過光化學反應，將光刻板（mask)上地圖形轉移到光刻膠上

光刻掩模版：印制了集成電路版圖圖形的石英板

光刻膠Photoresist ：PR，光致抗蝕劑、光阻

光刻的工藝流程

1、清洗硅片 2、預烘和打底膠 3、涂膠 4、前烘 5、對準 6、曝光 7、后烘 8、顯影 9、豎膜 10、圖形檢測

分辨率R ：表征光刻精度，即光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸

數值孔徑NA：表示凸鏡收集衍射光的能力

光刻膠對比度：描述光刻膠的曝光性能

調制轉移函數CMTF：描述光刻膠圖形質量

PSM移相掩膜

stepper步進-重復曝光

scanner 步進-掃描曝光

OPC光學鄰近修正

總結

以上是生活随笔為你收集整理的集成电路制造及工艺 主要名词解释的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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