集成电路发展历史
? ? 這學期由于課程的原因所以得學習集成電路版圖,現在將我所學到的集成電路給總結一下。每節課之后我都會這更新自己學到的東西。
? ? 一般來說,要學一門課,得先了解這門課的歷史,所以我先將自己學到的集成電路的一些歷史寫在這塊。或許不是很全,但是都是我學到的一些東西。
第一個晶體管,1947年在AT&T貝爾實驗室制造(看上去似乎像是三極管)
1952年提取出第一個單晶鍺
1954年提取出第一個單晶硅
第一集成電路裝置,TI, 1958年(是不是看上去十分簡陋,哈哈。)
第一款IC產品,在1961年被仙童相機制造出來。(下圖就是第一款IC產品)
1964年 ?摩爾提出摩爾定律(當價格不變時,集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。)直到2010年,這個摩爾定律才不適用
(接下來就慢慢是集成電路飛速發展的時代了,各種各樣的公司以及芯片被制造出來。)
1967年 ?應用材料公司成立?
1971年 全球第一個微處理器4004有intel公司推出,采用MOS工藝。
1974年:RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802
1979年:Intel推出5MHz 8088微處理器,之后,IBM基于8088推出全球第一臺PC
1985年:80386微處理器問世,20MHz
1989年:486微處理器推出,25MHz,1μm工藝,后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝
1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工藝;
1997年:300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝
1999年:奔騰Ⅲ問世,450MHz,采用0.25μm工藝,后采用0.18μm工藝
2009年:intel酷睿i系列全新推出,創紀錄采用了領先的32納米工藝,并且下一代22納米工藝正在研發。
(后面太多了,我就不一一寫了,集成電路發展迅速,芯片基本也會不停的被制造出來,比如比較出名的手機處理器驍龍和麒麟,今本上都是一年一更新甚至幾更新。芯片發展速度太快了。)
集成電路制造工藝流程:
襯底準備?→氧化 ?→光刻n+埋層區 →?n+埋層區注入→ ? 清潔表面 →?生長n-外延→ ?隔離氧化 →?光刻p+隔離區→ ? p+隔離注入→
?p+隔離推進→ ?光刻硼擴散區→ ?硼擴散 →?氧化→ ?光刻磷擴散區→ ?磷擴散→ ?氧化 →?光刻引線孔 →?清潔表面 →?蒸鍍金屬→ ?反刻金屬 ?→鈍化→ ?光刻鈍化窗口→ ?后工序(當然這只是集成電路制造工藝的主要流程,具體步驟的話可能或多或少都會有些差異。)
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總結
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