一、二極管

1、基礎知識點

將p型半導體和N型半導體進行原子級別的結合就形成了PN結，如下圖所示，因為接觸電場的存在會在PN結上形成固定的壓降，硅材料的一般為0.6v，鍺材料的一般為0.3~0.5v，鍺材料的溫度敏感性比較強，穩定性不如硅材料的。

PN結的伏安特性曲線如下圖所示，V2為正向導通的電壓，V1為反向擊穿的電壓；

V1點的電壓比較穩定（限制電流后可以做穩壓），這個點的電壓是可以通過不同的工藝做成不同值的。

V2點的電壓不是穩定的，不同的電流情況下管壓降是不一樣的，所以在我們用萬用表測量管壓降和實際在電路中使用可能是不同的。

2、不同類型的二極管

1>小信號開關二極管

以最常用的1N4148為例，參數如下：

伏安特性曲線如下圖所示：

?

2>肖特基二極管

?

?對比肖特基和小信號開關管，各有特點，小信號開關管的體電容比較小，漏電流也非常的小，肖特基的漏電流一般較大，體電容也非常的大。

二、三極管

1、三極管最主要的作用就是具有電流放大的作用，示意圖如下，

?

當滿足發射結BE正偏，集電極BC反偏的時候，發射結就會有從基極流向發射極的電流Ib，同時集電結反向導通，形成集電極電流，經過基極流向發射極，發射極的電流就是基極電流加上集電極的電流，有如下的關系：

2、BJT的輸入輸出特性

1>輸入特性曲線

?

注意一點：當Uce>1v時，特性曲線右移！Ube的值有所增加。

上圖的輸出特性為共射放大電路的輸出曲線，從上圖可以看出：

1>截止區：隨著Ib減小到一定的值后，無論怎么增加Uce，Ic的電流都維持在一個較小的值。

2>放大區：在曲線中間的放大去，集電極電流Ic=β*Ib。

3>飽和區：在Uce一開始逐漸增加時，Ic的電流時逐漸增加的，是一段近似線性的增加。一般進入飽和區時，三極管的ce壓降為0.3v左右。

3、三極管的帶寬

共射放大電路的帶寬與共基放大電路的帶寬

三種放大電路中共射放大電路的帶寬最窄，頻率特性最差，不適合放大高頻信號。產生這個問題的原因如下圖所示：

1>電阻r與Cbe構成低通濾波，無法避免且沒有被放大。

2>電阻r與Cbc構成低通濾波，但由于共射放大電路的接法有倍增低通效果。

共基放大電路因為輸入在E極，輸出在C極，又因IE≈IC，所以沒有電流放大能力，只有電壓放大能力，即具有電流跟隨的特點；輸入電阻小，電壓放大倍數、輸出電阻與共射電路相當，高頻特性好；輸入與輸出是同相的關系，屬同相放大。

共基極放大電路的輸入電容和RE是沒有構成低通濾波器的，為了驗證這個問題，我做了一個仿真。

1>在射極電阻后面加了一個10u電容，R4與R3構成低通濾波，截止頻率在16Hz，那么此時輸入信號的幅度會被足夠的衰減，那么我輸出的信號幅度肯定會很小，但是下面中綠色的波形為輸出波形。

經過R4與R3后確實被足夠的衰減了。

3、三極管的參數

?MMBT3904的參數，常用的有Ic的大小，開關參數上的ft，既要開關速度夠快，電流還大的三極管比較少，滿足這兩個條件還能找到的型號有MMBT3904 + MMBT3906(兩個對管) MMBT2222A + MMBT2907(兩個對管)

總結

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