國科大《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程分享之一：典型顯微系統(tǒng)的光學(xué)成像原理

中國科學(xué)院大學(xué)（以下簡稱國科大）微電子學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院，國科大微電子學(xué)院開設(shè)的《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程是國內(nèi)少有的研究討論光刻技術(shù)的研究生課程，而開設(shè)課程的韋亞一研究員及其團隊具有多年的學(xué)術(shù)界及工業(yè)界的光刻技術(shù)經(jīng)驗積累，并出版有多本專著，其中《計算光刻與版圖優(yōu)化》一書更是列入中國科學(xué)院大學(xué)研究生教學(xué)輔導(dǎo)書系列。本號獲授權(quán)將陸續(xù)介紹《集成電路先進光刻技術(shù)與版圖設(shè)計優(yōu)化》課程中學(xué)生的一些專題調(diào)研結(jié)果，以及《計算光刻與版圖優(yōu)化》書籍相關(guān)內(nèi)容，未經(jīng)許可，禁止轉(zhuǎn)載。

一、專題調(diào)研之一《典型顯微系統(tǒng)的光學(xué)成像原理》，作者：曹冰倩、史徵羽

二、《計算光刻與版圖優(yōu)化》介紹

計算光刻作為當(dāng)前高端芯片制造的核心技術(shù)，其對光刻分辨率的極大提升是推動集成電路先進制造工藝從45nm發(fā)展到7nm以下技術(shù)節(jié)點的關(guān)鍵技術(shù)，也是瓦森納協(xié)議限制對中國出口的技術(shù)。

適值我國高端芯片技術(shù)及產(chǎn)業(yè)遭受他國“卡脖子”之際，在微電子專業(yè)研究生研討課講義的基礎(chǔ)上，中國科學(xué)院微電子研究所計算光刻科研團隊出版了中文專著《計算光刻與版圖優(yōu)化》。
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這本書是國內(nèi)首部系統(tǒng)地介紹集成電路制造計算光刻與版圖優(yōu)化的理論和關(guān)鍵技術(shù)的專著，不僅適合集成電路研究、設(shè)計、制造的從業(yè)者閱讀，還適合高等院校微電子相關(guān)專業(yè)的本科生、研究生閱讀和參考。

ISBN 978-7-121-40226-5

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目 錄

第1章 概述 1

1．1 集成電路的設(shè)計流程和設(shè)計工具 3

1．1．1 集成電路的設(shè)計流程 3

1．1．2 設(shè)計工具（EDA tools） 5

1．1．3 設(shè)計方法介紹 7

1．2 集成電路制造流程 9

1．3 可制造性檢查與設(shè)計制造協(xié)同優(yōu)化 19

1．3．1 可制造性檢查（DFM） 20

1．3．2 設(shè)計與制造技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO） 20

本章參考文獻 21

第2章 集成電路物理設(shè)計 22

2．1 設(shè)計導(dǎo)入 23

2．1．1 工藝設(shè)計套件的組成 23

2．1．2 標(biāo)準(zhǔn)單元 24

2．1．3 設(shè)計導(dǎo)入流程 25

2．1．4 標(biāo)準(zhǔn)單元類型選取及IP列表 26

2．2 布圖與電源規(guī)劃 26

2．2．1 芯片面積規(guī)劃 26

2．2．2 電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計 27

2．2．3 SRAM、IP、端口分布 28

2．2．4 低功耗設(shè)計與通用功耗格式導(dǎo)入 28

2．3 布局 30

2．3．1 模塊約束類型 30

2．3．2?擁塞?31

2．3．3 圖形密度 32

2．3．4 庫交換格式優(yōu)化 32

2．3．5 鎖存器的位置分布 33

2．3．6 有用時鐘偏差的使用 33

2．4 時鐘樹綜合 35

2．4．1 CTS Specification介紹 35

2．4．2 時鐘樹級數(shù) 35

2．4．3 時鐘樹單元選取及分布控制 36

2．4．4 時鐘樹的生成及優(yōu)化 36

2．5 布線 36

2．5．1 非常規(guī)的設(shè)計規(guī)則 36

2．5．2 屏蔽 37

2．5．3 天線效應(yīng) 37

2．6 簽核 39

2．6．1 靜態(tài)時序分析 39

2．6．2 功耗 44

2．6．3 物理驗證 45

本章參考文獻 47

第3章 光刻模型 48

3．1 基本的光學(xué)成像理論 48

3．1．1 經(jīng)典衍射理論 48

3．1．2 阿貝成像理論 53

3．2 光刻光學(xué)成像理論 54

3．2．1 光刻系統(tǒng)的光學(xué)特征 54

3．2．2 光刻成像理論 67

3．3 光刻膠模型 74

3．3．1 光刻膠閾值模型 74

3．3．2 光刻膠物理模型 75

3．4 光刻光學(xué)成像的評價指標(biāo) 77

3．4．1 關(guān)鍵尺寸及其均勻性 77

3．4．2 對比度和圖像對數(shù)斜率 78

3．4．3 掩模誤差增強因子 79

3．4．4 焦深與工藝窗口 80

3．4．5 工藝變化帶（PV-band） 82

本章參考文獻 82

第4章 分辨率增強技術(shù) 84

4．1 傳統(tǒng)分辨率增強技術(shù) 86

4．1．1 離軸照明 86

4．1．2 相移掩模 89

4．2 多重圖形技術(shù) 92

4．2．1 雙重及多重光刻技術(shù) 93

4．2．2 自對準(zhǔn)雙重及多重圖形成像技術(shù) 99

4．2．3 裁剪技術(shù) 104

4．3 光學(xué)鄰近效應(yīng)修正技術(shù) 107

4．3．1 RB-OPC和MB-OPC 108

4．3．2 亞分辨輔助圖形添加 109

4．3．3 逆向光刻技術(shù) 110

4．3．4 OPC技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 113

4．4 光源?掩模聯(lián)合優(yōu)化技術(shù) 117

4．4．1 SMO技術(shù)的發(fā)展歷史與基本原理 117

4．4．2 SMO技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 119

本章參考文獻 123

第5章 刻蝕效應(yīng)修正 125

5．1 刻蝕效應(yīng)修正流程 126

5．2 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正 128

5．2．1 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正的方法 128

5．2．2 基于規(guī)則的刻蝕效應(yīng)修正的局限性 129

5．3 基于模型的刻蝕效應(yīng)修正 132

5．3．1 刻蝕工藝建模 132

5．3．2 基于模型的刻蝕效應(yīng)修正概述 134

5．3．3 刻蝕模型的局限性 135

5．4 EPC修正策略 136

5．5?非傳統(tǒng)的刻蝕效應(yīng)修正流程 139

5．5．1 新的MBRT刻蝕效應(yīng)修正流程 139

5．5．2 刻蝕效應(yīng)修正和光刻解決方案的共優(yōu)化 139

5．6 基于機器學(xué)習(xí)的刻蝕效應(yīng)修正 140

5．6．1 基于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的刻蝕偏差預(yù)測 140

5．6．2 刻蝕鄰近效應(yīng)修正算法 141

5．6．3 基于機器學(xué)習(xí)的刻蝕偏差預(yù)測模型案例 142

本章參考文獻 143

第6章 可制造性設(shè)計 145

6．1 DFM的內(nèi)涵和外延 145

6．1．1 DFM的內(nèi)涵 145

6．1．2 DFM的外延 148

6．2 增強版圖的健壯性 149

6．2．1 關(guān)鍵區(qū)域圖形分析（CAA） 149

6．2．2 增大接觸的可靠性 150

6．2．3 減少柵極長度和寬度變化對器件性能的影響 151

6．2．4 版圖健壯性的計分模型 152

6．3 與光刻工藝關(guān)聯(lián)的DFM 153

6．3．1 使用工藝變化的帶寬（PV-band）來評估版圖的可制造性 153

6．3．2 使用聚集深度來評估版圖的可制造性 155

6．3．3 光刻壞點的計分系統(tǒng)（scoring system） 157

6．3．4 對光刻工藝友好的設(shè)計 160

6．3．5 版圖與掩模一體化仿真 161

6．4 與CMP工藝關(guān)聯(lián)的DFM 162

6．4．1 CMP的工藝缺陷及其仿真 162

6．4．2 對CMP工藝友好的版圖設(shè)計 164

6．4．3 填充冗余金屬（dummy fill） 165

6．4．4 回避困難圖形 165

6．5 DFM的發(fā)展及其與設(shè)計流程的結(jié)合 166

6．5．1?全工藝流程的DFM 166

6．5．2 DFM工具及其與設(shè)計流程的結(jié)合 168

6．6 提高器件可靠性的設(shè)計（DFR） 170

6．6．1 與器件性能相關(guān)的DFR 170

6．6．2 與銅互連相關(guān)的DFR 172

6．7 基于設(shè)計的測量與DFM結(jié)果的驗證 172

6．7．1 基于設(shè)計的測量（DBM） 172

6．7．2 DFM規(guī)則有效性的評估 174

本章參考文獻 174

第7章 設(shè)計與工藝協(xié)同優(yōu)化 177

7．1 工藝流程建立過程中的DTCO 178

7．1．1 不同技術(shù)節(jié)點DTCO的演進 178

7．1．2 器件結(jié)構(gòu)探索 181

7．1．3 設(shè)計規(guī)則優(yōu)化 183

7．1．4 面向標(biāo)準(zhǔn)單元庫的DTCO 194

7．2 設(shè)計過程中的DTCO 201

7．2．1 考慮設(shè)計和工藝相關(guān)性的物理設(shè)計方法 201

7．2．2 考慮布線的DTCO 205

7．2．3 流片之前的DTCO 213

7．3 基于版圖的良率分析及壞點檢測的DTCO 216

7．3．1 影響良率的關(guān)鍵圖形的檢測 217

7．3．2 基于版圖的壞點檢測 222

本章參考文獻 226

附錄A 專業(yè)詞語檢索 229

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》课程分享之一：典型显微系统的光学成像原理的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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