每個(gè)內(nèi)存芯片也有自己的位寬，即每個(gè)傳輸周期能提供的數(shù)據(jù)量。理論上，完全可以做出一個(gè)位寬為64bit的芯片來滿足P-Bank的需要，但這對(duì)技術(shù)的要求很高，在成本和實(shí)用性方面也都處于劣勢(shì)。所以芯片的位寬一般都較小。臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)所用的SDRAM芯片位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯(lián)工作。對(duì)于16bit芯片，需要4顆(4×16bit=64bit)。對(duì)于8bit芯片，則就需要8顆了。這就是就是芯片位寬、芯片數(shù)量與P-Bank的關(guān)系。P-Bank其實(shí)就是一組內(nèi)存芯片的集合，這個(gè)集合的容量不限，但這個(gè)集合的總位寬必須與CPU數(shù)據(jù)位寬相符。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用的發(fā)展，一個(gè)系統(tǒng)只有一個(gè)P-Bank已經(jīng)不能滿足容量的需要。所以，芯片組開始可以支持多個(gè)P-Bank，一次選擇一個(gè)P-Bank工作，這就有了芯片組支持多少(物理)Bank的說法。而在Intel的定義中，則稱P-Bank為行(Row)，比如845G芯片組支持4個(gè)行，也就是說它支持4個(gè)P-Bank。另外，在一些文檔中，也把P-Bank稱為Rank(列)。

SDRAM、DDR和DDRⅡ的總線位寬為64位，RDRAM的位寬為16位。而這兩者在結(jié)構(gòu)上有很大區(qū)別：SDRAM、DDR和DDRⅡ的64位總線必須由多枚芯片共同實(shí)現(xiàn)，計(jì)算方法如下：內(nèi)存模組位寬=內(nèi)存芯片位寬×單面芯片數(shù)量(假定為單面單物理BANK)；如果內(nèi)存芯片的位寬為8位，那么模組中必須、也只能有8顆芯片，多一枚、少一枚都是不允許的；如果芯片的位寬為4位，模組就必須有16顆芯片才行，顯然，為實(shí)現(xiàn)更高的模組容量，采用高位寬的芯片是一個(gè)好辦法。而對(duì)RDRAM來說就不是如此，它的內(nèi)存總線為串聯(lián)架構(gòu)，總線位寬就等于內(nèi)存芯片的位寬。

總結(jié)

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