雖然有關內存結構與時序的基礎概念，在本刊2001年第2期的專題中就已有闡述，但在這里為了保證專題的可讀性，我們需要再次加強這方面的系統認識。正確并深刻理解內存的基礎概念，是閱讀本專題的第一條件。因為即使是RDRAM，在很多方面也是與SDRAM相似的，而至于DDR與DDR-Ⅱ、QBM等形式的內存更是與SDRAM有著緊密的聯系。

SDRAM內存模組與基本結構

我們平時看到的SDRAM都是以模組形式出現，為什么要做成這種形式呢？這首先要接觸到兩個概念：物理Bank與芯片位寬。

PC133時代的168pin SDRAM DIMM

1、?物理Bank

傳統內存系統為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接受的數據容量就是CPU數據總線的位寬，單位是bit(位)。當時控制內存與CPU之間數據交換的北橋芯片也因此將內存總線的數據位寬等同于CPU數據總線的位寬，而這個位寬就稱之為物理Bank(Physical Bank，下文簡稱P-Bank)的位寬。所以，那時的內存必須要組織成P-Bank來與CPU打交道。資格稍老的玩家應該還記得Pentium剛上市時，需要兩條72pin的SIMM才能啟動，因為一條72pin -SIMM只能提供32bit的位寬，不能滿足Pentium的64bit數據總線的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一條內存開機。下面將通過芯片位寬的講述來進一步解釋P-Bank的概念。

不過要強調一點，P-Bank是SDRAM及以前傳統內存家族的特有概念，在RDRAM中將以通道(Channel)取代，而對于像Intel E7500那樣的并發式多通道DDR系統，傳統的P-Bank概念也不適用。

2、?芯片位寬

上文已經講到SDRAM內存系統必須要組成一個P-Bank的位寬，才能使CPU正常工作，那么這個P-Bank位寬怎么得到呢？這就涉及到了內存芯片的結構。

每個內存芯片也有自己的位寬，即每個傳輸周期能提供的數據量。理論上，完全可以做出一個位寬為64bit的芯片來滿足P-Bank的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處于劣勢。所以芯片的位寬一般都較小。臺式機市場所用的SDRAM芯片位寬最高也就是16bit，常見的則是8bit。這樣，為了組成P-Bank所需的位寬，就需要多顆芯片并聯工作。對于16bit芯片，需要4顆(4×16bit=64bit)。對于8bit芯片，則就需要8顆了。

以上就是芯片位寬、芯片數量與P-Bank的關系。P-Bank其實就是一組內存芯片的集合，這個集合的容量不限，但這個集合的總位寬必須與CPU數據位寬相符。隨著計算機應用的發展，一個系統只有一個P-Bank已經不能滿足容量的需要。所以，芯片組開始可以支持多個P-Bank，一次選擇一個P- Bank工作，這就有了芯片組支持多少(物理)Bank的說法。而在Intel的定義中，則稱P-Bank為行(Row)，比如845G芯片組支持4個行，也就是說它支持4個P-Bank。另外，在一些文檔中，也把P-Bank稱為Rank(列)。

回到開頭的話題，DIMM是SDRAM集合形式的最終體現，每個DIMM至少包含一個P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM標準中，每個模組最多可以包含兩個P-Bank的內存芯片集合，雖然理論上完全可以在一個DIMM上支持多個P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4個芯片選擇信號(Chip Select，簡稱片選或CS)，理論上可以控制4個P-Bank的芯片集合。只是由于某種原因而沒有這么去做。比如設計難度、制造成本、芯片組的配合等。至于DIMM的面數與P-Bank數量的關系，在2001年2月的專題中已經明確了，面數≠P-Bank數，只有在知道芯片位寬的情況下，才能確定P -Bank的數量，大度256MB內存就是明顯一例，而這種情況在Registered模組中非常普遍。有關內存模組的設計，將在后面的相關章節中繼續探討。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的内存颗粒位宽和容量_SDRAM内存模组的物理Bank与芯片位宽（高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版）...的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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