目錄

晶體管的結(jié)構(gòu)和符號

晶體管的放大原理

晶體管的共射輸入特性和輸出特性

1、輸入特性

2、輸出特性

3、晶體管的三個(gè)工作區(qū)域

溫度對晶體管特性的影響

主要參數(shù)

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晶體管的結(jié)構(gòu)和符號

孔的作用：散熱或便于安裝散熱器。

晶體管有三個(gè)極、三個(gè)區(qū)、兩個(gè)PN結(jié)。發(fā)射區(qū)的多子濃度高；基區(qū)的多子濃度很低，且很薄；集電區(qū)面積大。

發(fā)射結(jié)箭頭的方向代表發(fā)射結(jié)正偏電流的方向。

晶體管的放大原理

放大的條件：（發(fā)射結(jié)正偏）；，即（集電結(jié)反偏）。

因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)（，發(fā)射結(jié)正偏，加劇擴(kuò)散運(yùn)動）。因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合（）。因集電區(qū)面積大，大部分從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子在外電場作用下漂移到集電區(qū)，被集電極收集形成集電極電子電流（，集電結(jié)反偏，加劇漂移運(yùn)動）。

主流部分：擴(kuò)散運(yùn)動形成發(fā)射極電流，復(fù)合運(yùn)動形成基極電流，漂移運(yùn)動形成集電極電流。

支流部分：基區(qū)的空穴向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散，形成空穴電流。漂移運(yùn)動是雙向的，集電結(jié)少數(shù)載流子（集電區(qū)少子——空穴、基區(qū)少子——自由電子）因擴(kuò)散運(yùn)動形成了集電結(jié)的反向飽和電流。

電流分配：

直流電流放大系數(shù)：

交流電流放大系數(shù)：

集電結(jié)反向電流：

穿透電流：（基極開路，此時(shí)仍有發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，穿透電流的大小與集電結(jié)單向?qū)щ娦缘男阅芎脡挠嘘P(guān)，是衡量三極管質(zhì)量的一個(gè)重要參數(shù)）

晶體管的共射輸入特性和輸出特性

基本共射放大電路

1、輸入特性

，集電極和發(fā)射極之間短路，此時(shí)晶體管等效于一個(gè)PN結(jié)，所以輸入特性像PN結(jié)的伏安特性。

增大，集電結(jié)收集電子的能力增強(qiáng)，若想要保持不變，則發(fā)射結(jié)需要發(fā)射更多的電子，即要增大。

增大到一定程度，集電結(jié)收集電子的數(shù)目增大的不明顯，從外部看，增大到一定值，曲線右移就不明顯了。因此，對于小功率晶體管，大于1V的一條輸入特性曲線可以取代大于1V的所有輸入特性曲線。

2、輸出特性

，不是常數(shù)，當(dāng)特別小或特別大時(shí)，會減小。

理想晶體管：沒有穿透電流，處處相等，此時(shí)。

3、晶體管的三個(gè)工作區(qū)域

b、e之間的電壓，判斷晶體管是導(dǎo)通還是截止；導(dǎo)通后，還要判斷是放大還是飽和。飽和還是放大，從兩個(gè)角度去判斷：與之間的關(guān)系，是否大于（使得晶體管剛飽和時(shí)注入到基極的電流），如果是放大，則；從管壓降的角度，當(dāng)，晶體管截止，放大時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，c點(diǎn)的電位>b點(diǎn)的電位>e點(diǎn)的電位，當(dāng)c點(diǎn)的電位=b點(diǎn)的電位，稱此時(shí)的晶體管處于臨界放大狀態(tài)或臨界飽和狀態(tài)，如果c點(diǎn)的電位<b點(diǎn)的電位，則晶體管飽和。當(dāng)集電結(jié)零偏，則晶體管進(jìn)入飽和區(qū)。

狀態(tài)
截止
放大
飽和

晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，輸出回路的電流幾乎僅僅決定于輸入回路的電流，即可將輸出回路等效為電流控制的電流源。?

溫度對晶體管特性的影響

?T（℃）升高——>載流子更活潑，、增大，增大——>不變時(shí)增大，即不變時(shí)減小

溫度升高，導(dǎo)致集電極的電流增大。

主要參數(shù)

直流參數(shù)：、、、

交流參數(shù)：（隨著頻率增加而下降，使的信號頻率）、、

極限參數(shù)：（最大集電極電流，當(dāng)集電極電流增大到一定程度時(shí)，就要下降，當(dāng)值下降到線性放大區(qū)值的2/3時(shí)對應(yīng)的最大集電極電流；當(dāng)時(shí)，并不代表三極管會損壞，只是管子的放大倍數(shù)降低）、

（最大集電極耗散功率，發(fā)射結(jié)正偏，呈低阻，因而功耗主要集中在集電結(jié)上，計(jì)算時(shí)往往用取代）、

反向擊穿電壓（最大反向電壓）：O代表Open，表示開路；S代表Short，表示短路；R代表Resistance，表示電阻。，

?

晶體三極管的安全工作區(qū)

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的模拟电子技术基础笔记（4）——晶体三极管的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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