数字集成电路--通用设计规则+实例
一、數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介
? 數(shù)字集成電路是基于數(shù)字邏輯(即0、1邏輯)設(shè)計(jì)和運(yùn)行的,用于處理數(shù)字信號(hào)的集成電路。
根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元、器件數(shù)量,可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成電路(SSI,Small Scale Integration)、中規(guī)模集成電路(MSI,Medium Scale Integration)、大規(guī)模集成電路(LSI,Large Scale Integration )、超大規(guī)模集成電路(VLSI,Very Large Scale Intergration)。
應(yīng)用實(shí)例:
小規(guī)模集成電路:邏輯門、觸發(fā) 器等
中規(guī)模集成電路:譯碼器、MUX、加法器、計(jì)數(shù)器
大規(guī)模集成電路:RAM、ROM、微處理器、DSP、ASIC等
? ?根據(jù)數(shù)字集成電路的基本邏輯門的類型可分為雙極型晶體管集成電路(部分已被淘汰)和MOS場(chǎng)效應(yīng)管集成電路。MOS場(chǎng)效應(yīng)管集成電路又可分別NMOS、PMOS和COSM邏輯門。本文著重將MOS場(chǎng)效應(yīng)管集成電路的基本方法。
二、什么是NMOS和PMOS?
(NMOS和PMOS場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)使用的基本原理,詳細(xì)可見課本《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》場(chǎng)效應(yīng)管部分);
NMOS導(dǎo)通時(shí),柵極為高電平
PMOS導(dǎo)通時(shí),柵極為低電平;
??上面兩條說明:①NMOS可作為高電平開關(guān),邏輯值為1時(shí)高電平有效導(dǎo)通,邏輯值為0時(shí)低電平無效截止;②PMOS可作為低電平開關(guān),邏輯值為0低電平有效導(dǎo)通,邏輯值為1時(shí)高電平無效截止。
? 但由場(chǎng)效應(yīng)管電特性可知,MOS器件開關(guān)具有非理想性。①僅當(dāng)控制電壓高于閾值電壓時(shí)起作用;②導(dǎo)通時(shí)存在導(dǎo)通電阻Ron;③存在閾值電壓損失導(dǎo)致,NMOS管傳遞“0”強(qiáng)“1”弱,PMOS管傳遞“1”強(qiáng)“0”弱。因此提出CMOS開關(guān)。
三、 什么是CMOS?
CMOS即互補(bǔ)邏輯門,既能傳遞強(qiáng)“1”也能傳遞強(qiáng)“0”。因?yàn)楦唠娖介_關(guān)NMOS傳遞“0”強(qiáng),低電平開關(guān)PMOS傳遞“1”強(qiáng),所以CMOS自帶非運(yùn)算。
實(shí)例1:CMOS反相器
分析:
輸入U(xiǎn)i為高電平(VDD/邏輯“1”):高電平開管NMOS導(dǎo)通,低電平開關(guān)PMOS截止,輸出Uo低阻連接到GND,輸出低電平(0V/邏輯"0");
輸出Ui為低電平(0V/邏輯"0"):高電平開管NMOS截止,低電平開關(guān)PMOS導(dǎo)通,輸出Uo低阻連接到VDD,輸出高電平(VDD/邏輯“1”);
四、CMOS復(fù)合邏輯電路的通用設(shè)計(jì)規(guī)則
1、將任意邏輯函數(shù)變換成反函數(shù)的形式:F= ?G ;(因?yàn)檩斎敫唠娖絅MOS導(dǎo)通,輸出為低電平,低電平同理,即CMOS自帶非運(yùn)算)
2、對(duì)邏輯函數(shù)G: NMOS網(wǎng)絡(luò):與運(yùn)算對(duì)應(yīng)串聯(lián),或運(yùn)算對(duì)應(yīng)并聯(lián); PMOS網(wǎng)絡(luò):與運(yùn)算對(duì)應(yīng)并聯(lián),或運(yùn)算對(duì)應(yīng)串聯(lián);
3、NMOS網(wǎng)絡(luò)連接“地”與輸出,PMOS網(wǎng)絡(luò)連接電源和輸出;
4、即可得F的CMOS電路。
實(shí)例2:
思路:先將邏輯函數(shù)化為“非”的形式,再按照上文的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行設(shè)計(jì)。
邏輯函數(shù)F設(shè)計(jì)出的邏輯門如圖所示。
(感謝閱讀,文章到此結(jié)束,歡迎讀者批評(píng)指正。)
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的数字集成电路--通用设计规则+实例的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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