?DDR3的內部是一個存儲陣列，將數據“填”進去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是內存芯片尋址的基本原理。對于內存，這個單元格可稱為存儲單元,那么這個表格（存儲陣列）就是邏輯 Bank（Logical?Bank，下面簡稱Bank）。?

DDR3內部Bank示意圖，這是一個NXN的陣列，B代表Bank地址編號，C代表列地址編號，R代表行地址編號。

如果尋址命令是B1、R2、C6，就能確定地址是圖中紅格的位置

目前DDR3內存芯片基本上都是8個Bank設計，也就是說一共有8個這樣的“表格”。

尋址的流程也就是先指定Bank地址，再指定行地址，然后指列地址最終的確尋址單元。

?在實際工作中，Bank地址與相應的行地址是同時發出的，此時這個命令稱之為“行激活”（Row?Active）。在此之后，將發送列地址尋址命令與具體的操作命令（是讀還是寫），這兩個命令也是同時發出的，所以一般都會以“讀/寫命令”來表示列尋址。根據相關的標準，從行有效到讀/寫命令發出之間的間隔被定義為tRCD，即RAS?to?CAS?Delay（RAS至CAS延遲，RAS就是行地址選通脈沖，CAS就是列地址選通脈沖），我們可以理解為行選通周期。tRCD是DDR的一個重要時序參數，廣義的tRCD以時鐘周期（tCK，Clock?Time）數為單位，

比如tRCD=3，就代表延遲周期為3個時鐘周期，具體到確切的時間，則要根據時鐘頻率而定，DDR3-800，時鐘頻率為?100MHz，tRCD=3，代表30ns的延遲。

?????????????????????圖中顯示的是tRCD=3

?

接下來，相關的列地址被選中之后，將會觸發數據傳輸，但從存儲單元中輸出到真正出現在內存芯片的?I/O?接口之間還需要一定的時間（數據觸發本身就有延遲，而且還需要進行信號放大），這段時間就是非常著名的?CL（CAS?Latency，列地址脈沖選通潛伏期）。CL?的數值與?tRCD?一樣，以時鐘周期數表示。如?DDR3-800，時鐘頻率為?100MHz，時鐘周期為?10ns，如果?CL=2?就意味著?20ns?的潛伏期。不過CL只是針對讀取操作。

由于芯片體積的原因，存儲單元中的電容容量很小，所以信號要經過放大來保證其有效的識別性，這個放大/驅動工作由S-AMP負責，一個存儲體對應一個S- AMP通道。但它要有一個準備時間才能保證信號的發送強度（事前還要進行電壓比較以進行邏輯電平的判斷），因此從數據I/O總線上有數據輸出之前的一個時鐘上升沿開始，數據即已傳向S-AMP，也就是說此時數據已經被觸發，經過一定的驅動時間最終傳向數據I/O總線進行輸出，這段時間我們稱之為 tAC（Access?Time?from?CLK，時鐘觸發后的訪問時間）。

??????????????????????圖中標準CL=2，tAC=1

?

??目前內存的讀寫基本都是連續的，因為與CPU交換的數據量以一個Cache?Line（即CPU內Cache的存儲單位）的容量為準，一般為64字節。而現有的Rank位寬為8字節（64bit），那么就要一次連續傳輸8次，這就涉及到我們也經常能遇到的突發傳輸的概念。突發（Burst）是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式，連續傳輸的周期數就是突發長度（Burst?Lengths，簡稱BL）。

在進行突發傳輸時，只要指定起始列地址與突發長度，內存就會依次地自動對后面相應數量的存儲單元進行讀/寫操作而不再需要控制器連續地提供列地址。這樣，除了第一筆數據的傳輸需要若干個周期（主要是之前的延遲，一般的是tRCD+CL）外，其后每個數據只需一個周期的即可獲得。

?

突發連續讀取模式：只要指定起始列地址與突發長度，后續的尋址與數據的讀取自動進行，而只要控制好兩段突發讀取命令的間隔周期（與BL相同）即可做到連續的突發傳輸。

談到了突發長度時。如果BL=4，那么也就是說一次就傳送4×64bit的數據。但是，如果其中的第二筆數據是不需要的，怎么辦？還都傳輸嗎？為了屏蔽不需要的數據，人們采用了數據掩碼（Data?I/O?Mask，簡稱DQM）技術。通過DQM，內存可以控制I/O端口取消哪些輸出或輸入的數據。這里需要強調的是，在讀取時，被屏蔽的數據仍然會從存儲體傳出，只是在“掩碼邏輯單元”處被屏蔽。DQM由北橋控制，為了精確屏蔽一個P-Bank位寬中的每個字節，每個DIMM有8個DQM 信號線，每個信號針對一個字節。這樣，對于4bit位寬芯片，兩個芯片共用一個DQM信號線，對于8bit位寬芯片，一個芯片占用一個DQM信號，而對于 16bit位寬芯片，則需要兩個DQM引腳。

?

在數據讀取完之后，為了騰出讀出放大器以供同一Bank內其他行的尋址并傳輸數據，內存芯片將進行預充電的操作來關閉當前工作行。還是以上面那個Bank示意圖為例。當前尋址的存儲單元是B1、R2、C6。如果接下來的尋址命令是B1、R2、C4，則不用預充電，因為讀出放大器正在為這一行服務。但如果地址命令是B1、R4、C4，由于是同一Bank的不同行，那么就必須要先把R2關閉，才能對R4尋址。從開始關閉現有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP（Row?Precharge?command?Period，行預充電有效周期），單位也是時鐘周期數。

?

在不同Bank間讀寫也是這樣，先把原來數據寫回，再激活新的Bank/Row。

數據選取脈沖（DQS）

DQS 是DDR中的重要功能，它的功能主要用來在一個時鐘周期內準確的區分出每個傳輸周期，并便于接收方準確接收數據。每一顆芯片都有一個DQS信號線，它是雙向的，在寫入時它用來傳送由北橋發來的DQS信號，讀取時，則由芯片生成DQS向北橋發送。完全可以說，它就是數據的同步信號。

在讀取時，DQS與數據信號同時生成（也是在CK與CK#的交叉點）。而DDR內存中的CL也就是從CAS發出到DQS生成的間隔，DQS生成時，芯片內部的預取已經完畢了，由于預取的原因，實際的數據傳出可能會提前于DQS發生（數據提前于DQS傳出）。由于是并行傳輸，DDR內存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是±0.75ns，對于DDR333，則是±0.7ns，有關它們的時序圖示見前文，其中CL里包含了一段DQS 的導入期。

DQS 在讀取時與數據同步傳輸，那么接收時也是以DQS的上下沿為準嗎？不，如果以DQS的上下沿區分數據周期的危險很大。由于芯片有預取的操作，所以輸出時的同步很難控制，只能限制在一定的時間范圍內，數據在各I/O端口的出現時間可能有快有慢，會與DQS有一定的間隔，這也就是為什么要有一個tAC規定的原因。而在接收方，一切必須保證同步接收，不能有tAC之類的偏差。這樣在寫入時，芯片不再自己生成DQS，而以發送方傳來的DQS為基準，并相應延后一定的時間，在DQS的中部為數據周期的選取分割點（在讀取時分割點就是上下沿），從這里分隔開兩個傳輸周期。這樣做的好處是，由于各數據信號都會有一個邏輯電平保持周期，即使發送時不同步，在DQS上下沿時都處于保持周期中，此時數據接收觸發的準確性無疑是最高的。

在寫入時，以DQS的高/低電平期中部為數據周期分割點，而不是上/下沿，但數據的接收觸發仍為DQS的上/下沿

?

?

?

3.容量的計算

?

上圖為X8data的單顆DDR3架構圖，行（Row）地址線復用14根，列（Column）地址線復用10根，Bank數量為8個，IO?Buffer?通過8組數位線（DQ0-DQ7）來完成對外的通信，故此單顆DDR3芯片的容量為2的14次方乘2的10次方乘8乘8，結果為1Gbit，因為1B包含8bit，1GB/8=128MB。

如果我們要做成容量為1GB的內存條則需要8顆這樣的DDR3內存芯片，每顆芯片含8根數位線（DQ0-DQ7）則總數寬為64bit，這樣正好用了一個Rank。

假果還用128MB的DDR3芯片去做2GB內存條，結果就會有所不同。我們最好選用4根數位線（DQ0-DQ3），數量是16顆，這樣也是用了一個Rank。

在K2的項目中我們要做容量為8GB的內存條，則數量用64顆128M的DDR3，這樣位寬高達64X4=256bit，要做成4個Rank。

1．結構框圖：

2．管腳功能描述

?

?

?

3．狀態圖：

Power?on:?上電

Reset?Procedure:?復位過程

Initialization:?初始化

ZQCL:?上電初始化后，用完成校準ZQ電阻。ZQCL會觸發DRAM內部的校準引擎，

??????一旦校準完成，校準后的值會傳遞到DRAM的IO管腳上，并反映為輸出驅動和ODT阻值。

ZQCS:?周期性的校準，能夠跟隨電壓和溫度的變化而變化。校準需要更短的時間窗口，

??????一次校準，可以有效的糾正最小0.5%的RON和RTT電阻。

Al：Additive?latency.是用來在總線上保持命令或者數據的有效時間。

????在ddr3允許直接操作讀和寫的操作過程中，AL是總線上的數據出現到進入器件內部的時間。

????下圖為DDR3標準所支持的時間操作。

Write?Leveling:為了得到更好的信號完整性，DDR3存儲模塊采取了FLY_BY的拓撲結構，

?????來處理命令、地址、控制信號和時鐘。FLY_BY的拓撲結構可以有效的減少stub的數量和他們的長度，

?????但是卻會導致時鐘和strobe信號在每個芯片上的flight?time?skew,這使得控制器（FPGA或者CPU）

?????很難以保持Tdqss?,tdss和tdsh這些時序。這樣，ddr3支持write?leveling這樣一個特性，

?????來允許控制器來補償傾斜（flight?time?skew）。存儲器控制器能夠用該特性和從DDR3反饋的數據調成DQS和CK之間的關系。

?????在這種調整中，存儲器控制器可以對DQS信號可調整的延時，來與時鐘信號的上升邊沿對齊。

?????控制器不停對DQS進行延時，直到發現從0到1之間的跳變出現，然后DQS的延時通過這樣的方式被建立起來了，由此可以保證tDQSS。

?

MRS:?MODE?Register?Set,?模式寄存器設置。為了應用的靈活性，不同的功能、特征和模式等在四個在DDR3芯片上的Mode?Register中，

?????通過編程來實現。模式寄存器MR沒有缺省值，因此模式寄存器MR必須在上電或者復位后被完全初始化，

?????這樣才能使得DDR可以正常工作。正常工作模式下，MR也可以被重新寫入。模式寄存器的設置命令周期，

????????tMRD兩次操作的最小時間，其具體時序圖，如下圖所示。模式寄存器，分為MR0、MR1、MR2和MR4。

????MR0用來存儲DDR3的不同操作模式的數據：包括突發長度、讀取突發種類、CAS長度、測試模式、DLL復位等。

????MR1用來存儲是否使能DLL、輸出驅動長度、Rtt_Nom、額外長度、寫電平使能等。MR2用來存儲控制更新的特性，

????Rtt_WR阻抗，和CAS寫長度。MR3用來控制MPR。

?

MPR:?Multi-purpose?register.?多用途寄存器。MPR的功能是讀出一個預先設定的系統時序校準比特序列。

?????為了使能MPR功能，需要在MRS的寄存器MR3的A2位寫1，并且在此之前需要將ddr3的所有bank處于idle狀態；

?????一旦MPR被使能后，任何RD和RDA的命令都會被引入到MPR寄存器中，當MPR寄存器被使能后，

?????除非MPR被禁止（MR3的A2=0），否則就只有RD和RDA被允許。在MPR被使能的時候，RESET功能是被允許的。

Precharge?Power?Down:?bank在in-progress命令后關閉

Active?Power?Down:bank在in-progress命令后依然打開

Idle：所有的bank必須預先充電，所有時序滿足，DRAM的ODT電阻，RTT必須為高阻。

??CWL:CAS?write?latency.?以時鐘周期為單位，在內部寫命令和第一位輸入數據的時間延時，該單位始終為整數。

????????在操作過程中，所有的寫延時WL被定義為AL（Additive?Latency）+CWL。

Rtt:?Dynamic?ODT.DDR3引入的新特性。在特定的應用環境下為了更好的在數據總線上改善信號完整性，

???????不需要特定的MRS命令即可以改變終結強度（或者稱為終端匹配）。在MR2中的A9和A10位設置了Rtt_WR。Ddr3中，

???????有兩種RTT值是可以選擇的，一種是RTT_Nom,另一種是RTT_WR;Rtt_Nom是在沒有寫命令的時候被選擇的，

???????當有了寫命令后，ODT就會變成Rtt_wr，當寫命令結束后，又會回到Rtt_nom。也就是說，RTT在ODT使能后，出現，

???????當總線上沒有數據的時候，采用的RTT值為RTT_nom;而當總線上有了數據后，要求此時的ODT的值為Rtt_wr。

???????具體的DDR3的ODT產生時序見圖2。當ODT被使能后，必須要保持高電平ODTH4個時鐘周期才可以有效；

???????如果寫命令被放入寄存器并且ODT是高，那么ODT必須保持ODTH4或者ODTH8，這樣ODT才可以有效。

?

ACT?=?ACTIVATE????????????????????????PREA?=?PRECHARGE?ALL???????????????????????????SRX?=?自刷新推出

MPR?=?多用處寄存器?????????????????READ?=?RD，RDS4，RDS8????????????????????????WRITE=WR，WRS4，WRS8

MRS=模式寄存器集???????????????????READ?AP=RDAP,RDAPS4,RDAPS8???????????????WRITE=WRAP,WRAPS4,WRAPS8

PDE=掉電進入???????????????????????????REF=REFRESH???????????????????????????????????????????ZQCL=ZQ?LONG?CALIBRATION

PDX=掉電推出???????????????????????????RESET=啟動復位過程????????????????????????????????ZACS=ZA?SHORT?CALIBTATION

PRE=預充電???????????????????????????????SRE=自刷新進入

?

4、工作原理

在描述了上述的一些基本概念后，就可以對圖1中的DDR3工作原理進行基本的描述了理解了。

首先，芯片進入上電，在上電最小為200us的平穩電平后，等待500usCKE使能，

在這段時間芯片內部開始狀態初始化，該過程與外部時鐘無關。在時鐘使能信號前（cke），

必須保持最小10ns或者5個時鐘周期，除此之外，還需要一個NOP命令或者Deselect命令出現在CKE的前面。

然后DDR3開始了ODT的過程，在復位和CKE有效之前，ODT始終為高阻。

在CKE為高后，等待tXPR(最小復位CKE時間)，然后開始從MRS中讀取模式寄存器。

然后加載MR2、MR3的寄存器，來配置應用設置；然后使能DLL，并且對DLL復位。

接著便是啟動ZQCL命令，來開始ZQ校準過程。等待校準結束后，DDR3就進入了可以正常操作的狀態。

對于基本的配置過程，現在就可以結束了。下面，結合CH1的控制器FPGA,說明對DDR3相關的配置。

?

上表中MRS可以設置Mode寄存器值

以?????????????????????????上圖為例CS#，RAS#，CAS#，WE#為L，L，H，H。則指令為Row/Bank?Active；隨后CS#拉高，command無效，

?????????????????????????????在第4個時鐘周期這4個信號變為L，H，L，H，對照表格，指令為Read，經過幾個時鐘周期延遲，在3CLK后讀數據。

?

?

?

5.?基本功能

??????DDR3?SDRAM是高速動態隨機存取存儲器，內部配置有8個BANK。DDR3?SDRAM使用8n預取結構，以獲得高速操作。8n預取結構同接口組合起來以完成在I/O腳上每個時鐘兩個數據字的傳輸。DDR3 ?SDRAM的一個單次讀或寫操作由兩部分組成：一是在內部DRAM核中進行的8n位寬四個時鐘數據傳輸，另一個是在I/O腳上進行的兩個對應n位寬、半時鐘周期的數據傳輸。

???????對DDR3?SDRAM的讀寫操作是有方向性的突發操作，從一個選擇的位置開始，突發長度是8或者是一個以編程序列的長度為4的Chopped突發方式。操作開始于Active命令，隨后是一個Read/Write命令。Active命令同時并發含帶地址位，以選擇Bank和Row地址（BA0-BA2選擇BANK、A0-A15選擇Row）。而Read/Write命令并發含帶突發操作的起始Column地址，并確定是否發布自動預充電命令（通過A10）和選擇BC4或BL8模式（通過A12）（如果模式寄存器使能）。

????????在正常操作之前，DDR3?SDRAM必要以預先定義的方式上電和初始化。

?

?

引入DDR3內存的動因 目前DDR2尚未完全取代DDR內存，在目前的整機環境下，DDR2基本能夠滿足各類型計算機的應用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些優勢，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在內的眾多國際頂級廠商都致力于DDR3的開發與應用呢？ 最主要的原因是，由于DDR2的數據傳輸頻率發展到800MHz時，其內核工作頻率已經達到了200MHz，因此，再向上提升較為困難，這就需要釆用新的技術來保證速度的可持續發展性。另外，也是由于速度提高的緣故，內存的地址/命令與控制總線需要有全新的拓樸結構，而且業界也要求內存要具有更低的能耗。 CPU廠商的DDR3內存攻略 Intel計劃在明年年中為其芯片組加入DDR3內存的支持。Intel芯片組事業部總經理Malinowski說，到那時市場才能準備好接受DDR3內存。 Intel最新的965芯片組家族只支持DDR2，并放棄了對DDR的支持。 AMD方面則要積極得多，與當年對DDR2內存的曖昧形成鮮明對比，這顯然與AM2平臺CPU在DDR2內存下表現不盡如人意有關：要表現出AMD?CPU從DDR平臺遷移到DDR2平臺的優勢，其對DDR2內存頻率提高的要求比Intel?Core更甚，但現階段以DDR2?533/667為主的內存市場，則讓AM2?CPU更多地受制于DDR2內存的高時延而不是受益于DDR2內存的高頻率。 AMD計劃在下一代的K8L架構CPU中全面導入對DDR3內存的支持。在AMD的路線圖看，K8L?CPU將支持同時DDR2和DDR3內存，但很顯然，DDR2內存不是AMD最好的選擇，高頻率、低時序的DDR3內存必然會是AMD積極開拓的對象。 同時，加大對DDR3內存的支持力度，也可以讓AMD改善與Intel的競爭中的被動地位。 DDR3內存的發展 早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發DDR3內存標準，但從目前的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標準更是連影也沒見到。不過目前已經有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發出了 DDR3內存芯片，從中我們仿佛能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經有芯片可以生產出來這一點來看，DDR3的標準設計工作也已經接近尾聲。 半導體市場調查機構iSuppli預測DDR3內存將會在2008年替代DDR2成為市場上的主流產品，iSuppli認為在那個時候DDR3的市場份額將達到55%。不過，就具體的設計來看，DDR3與DDR2的基礎架構并沒有本質的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。 由于DDR2內存的各種不足，制約了其進一步的廣泛應用，DDR3內存的出現，正是為了解決DDR2內存出現的問題，具體有： 更高的外部數據傳輸率? 更先進的地址/命令與控制總線的拓樸架構? 在保證性能的同時將能耗進一步降低 為了滿足這些要求，DDR3內存在DDR2內存的基礎上所做的主要改進包括： 8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。 采用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制總線的負擔。? 采用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。 DDR3內存的封裝 從規格來看，DDR3仍將沿用FBGA封裝方式，故在生產上與DDR2內存區別不大。但是由設計的角度上來看，因DDR3的起跳工作頻率在1066MHz，這在電路布局上將是一大挑戰，特別是電磁干擾，因此也將反映到PCB上增加模塊的成本。 預計在DDR3進入市場初期，其價格將是一大阻礙，而隨著逐步的普及，產量的提升才能進一步降低成本。
DDR3內存的技術改進 那么，從技術看，DDR3內存與目前主流的DDR2內存相比，其特點體現在哪些方面呢？我們首先介紹DDR3內存針對DDR2中存在的不足的改進 邏輯Bank數量 DDR2?SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。 封裝（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。 突發長度（BL，Burst?Length） 由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst?Length）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit?Burst?Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。 尋址時序（Timing） 就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。 DDR3內存的新增功能　 如果上一部分介紹的DDR3內存對DDR2內存的改進更多的是某種程度上的修正或簡單提高的話，DDR3內存還有部分DDR2內存所不具備的功能，正是這些，讓DDR3內存的表現有了根本性的提高 重置（Reset） 重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終于在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有的操作，并切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所以有數據接收與發送器都將關閉。所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。 ZQ校準 ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（ODCE，On-Die?Calibration? Engine）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。 參考電壓分成兩個 對于內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF，在DDR3系統中將分為兩個信號。一個是為命令與地址信號服務的VREFCA，另一為數據總線服務的VREFDQ，它將有效的提高系統數據總線的信噪等級。 根據溫度自動自刷新（SRT，Self-Refresh?Temperature） 為了保證所保存的數據不丟失，DRAM必須定時進行刷新，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3采用了一種新型的自動自刷新設計（ASR，Automatic?Self-Refresh）。當開始ASR之后，將通過一個內置于DRAM芯片的溫度傳感器來控制刷新的頻率，因為刷新頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度傳感器則在保證數據不丟失的情況下，盡量減少刷新頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，并不見得市場上的DDR3內存都支持這一功能，因此還有一個附加的功能就是自刷新溫度范圍（SRT，Self-Refresh? Temperature）。通過模式寄存器，可以選擇兩個溫度范圍，一個是普通的的溫度范圍（例如0℃至85℃），另一個是擴展溫度范圍，比如最高到 95℃。對于DRAM內部設定的這兩種溫度范圍，DRAM將以恒定的頻率和電流進行刷新操作。 局部自刷新（RASR，Partial?Array?Self-Refresh） 這是DDR3的一個可選項，通過這一功能，DDR3內存芯片可以只刷新部分邏輯Bank，而不是全部刷新，從而最大限度的減少因自刷新產生的電力消耗。這一點與移動型內存（Mobile?DRAM）的設計很相似。 點對點連接（P2P，Point-to-Point） 這是為了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器將只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能一個插槽。因此內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與數據總線的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。不過目前有關DDR3內存模組的標準制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。 此外，DDR3還在功耗管理，多用途寄存器方面有不少新的設計。

?

轉載于:https://www.cnblogs.com/yidianyidi/p/8184068.html

總結

以上是生活随笔為你收集整理的内存相关概念详解的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。