2 月 28 日消息，三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其 256GB SD Express microSD 存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達 800MB/s。此外，1TB UHS-1 microSD 存儲卡現(xiàn)已進入量產階段。

“來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新 microSD 卡為應對這一問題提供了有效解決方案。”三星電子品牌存儲事業(yè)部全球副總裁 Hangu Sohn 表示，“盡管存儲卡尺寸極小，但能夠帶來 SSD（固態(tài)硬盤）級別的強大性能和超大容量，幫助用戶充分利用要求嚴格的現(xiàn)代和未來應用。”

三星首款 SD Express microSD 存儲卡

三星推出了采用 SD Express 接口的全新 microSD 卡，號稱“能夠以小巧外形尺寸提供與 SSD 相媲美的性能”。

三星表示，傳統(tǒng) microSD 存儲卡采用 UHS-1 接口，讀取速度上限為 104MB/s，而 SD Express 系列產品的最大讀取速度可達 985MB/s，但截至目前，SD Express microSD 存儲卡尚未投入商用。

注：SD Express 是全新 SD 存儲卡接口，支持 PCIe Gen3x1 協(xié)議（基于 2019 年 2 月發(fā)布的 SD 7.1 規(guī)范），理論傳輸速度可達 985MB/s。

三星稱其 SD Express microSD 存儲卡的順序讀取速度可達 800MB/s，是 SATA SSD（最高 560MB/s）的 1.4 倍、傳統(tǒng) UHS-1 接口存儲卡（最高 200MB/s）的 4 倍以上，能夠在 PC 和移動設備等多種應用端得到更好的計算體驗。

為確保 SD Express microSD 存儲卡性能穩(wěn)定、質量可靠，三星采用了動態(tài)散熱保護（Dynamic Thermal Guard）技術，號稱“即使長時間使用，也能確保存儲卡溫度始終處于理想水平”。

1TB UHS-1 microSD 存儲卡

三星在全新 1TB microSD 存儲卡上堆疊了八層三星第 8 代 1Tb V-NAND，實現(xiàn)了大容量封裝。全新 1TB microSD 存儲卡已通過測試，號稱具備防水、耐極端溫度、防摔、防磨損、防 X 射線和防磁等六重防護特性。

256GB SD Express microSD 存儲卡將于今年內推出，1TB UHS-1 microSD 存儲卡預計將于今年第三季度投入市場。

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總結

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