SRAM讀寫時序；

讀/寫周期波形圖精確地反映了SRAM工作的時間關系。我們把握住地址線、控制線、數據線三組信號線何時有效，就能很容易看懂這個周期時序圖。
在讀周期中，地址線先有效，以便進行地址譯碼，選中存儲單元。為了讀出數據，片選信號CS和讀出使能信號OE也必須有效(由高電平變為低電平)。從地址有效開始經tAQ(讀出)時間，數據總線I/O上出現了有效的讀出數據。之后CS非、OE非信號恢復高電平，tRC以后才允許地址總線發生改變。tRC時間即為讀周期時間。
在寫周期中，也是地址線先有效，接著片選信號CS非有效，寫命令WE非有效(低電平)，此時數據總線I/O上必須置寫入數據,在tyo時間段將數據寫入存儲器。之后撤銷寫命令WE和CS。為了寫入可靠，I/O?線的寫入數據要有維持時間thD,?CS非的維持時間也比讀周期長。twc時間稱為寫周期時間。為了控制方便，一般取?tRc=twc,通常稱為存取周期。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? SRAM的工作原理:
在靜態存儲器器件中，一位由6只晶體管組成，稱為一個存儲元，如圖所示：
N1和N2構成觸發器，P1和P2分別作為Q1和Q2的負載電阻。N1截止而N2導通時的狀態稱為"1"。相反的狀態稱為"0"。
讀出時，置選擇線為高電平，使兩個開關管導通，從讀/寫線輸出原存的信息。
寫入時，寫入數據使讀/寫線呈相應電平（例如寫"1"時，讀/寫線"1"為高電平，讀/寫線"0"為低電平），再使選擇線為高電平，于是觸發器被置為相應的狀態（寫"1"時，置為"1"狀態，即N1截止N2導通）。顯然，無論存儲元保存的信息是"1"還是"0",N1,N2,P1和P2，4只MOS管總有兩只處于導通狀態。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的SRAM逻辑结构的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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