光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是由感光樹脂、増感劑和溶劑等按照一定比例混合而成的對光敏感的液體，根據其化學反應機理和顯影原理，可分為正性光刻膠和負性光刻膠兩類。
1. 清洗 ??
清洗是為了去除樣品表面的灰塵、顆粒、有機物等雜質。去除有機物常用的化學試劑為丙麗、酒精和按９：１配比的濃硫酸／雙氧水，灰塵通常用氨水／雙氧水去除。超聲清洗后用去離子水沖洗干凈，最后用經過濾后純凈的氮氣吹干樣品表面。
2. 甩膠 ?
利用旋轉產生的離屯、力，將膠液均勻甩開，平鋪到材料表面。甩膠的目的是在材底表面均勻的涂一層光刻膠。將樣品固定在勻膠機的吸盤上，使用注射器噴嘴將待涂覆的溶液或者膠液滴注到基底材料的表面。通過極短的時間讓勻膠機達到理想的轉速，勻膠機利用旋轉產生的離心力，將膠液均勻甩開，平鋪到材料表面。光刻膠最終的厚度與光刻膠的粘稠度、勻膠機轉速、甩膠時間有關。一般來說光刻膠粘稠度越低，光刻膠厚度越小；轉速越快，厚度越小。光刻膠厚度越小越容易制作更微小的圖形。
3. 前烘 ?
前烘又叫軟烘，是在曝光前對基片進行加熱，目的是將光刻膠中的溶劑蒸發，増加附著性，同時也將光阻中的殘余內應力釋放。前烘方式通常有熱板傳導加熱、烘箱對流加熱和紅外線福射加熱。前烘對后面的曝光、顯影都有影響。
4. 曝光 ?
將涂好光刻膠的基片通過光刻機的對準系統將基片和掩膜版對準。用紫外光進行照射。被照射過的光刻膠的性質發生變化，在下一步顯影時會被去除，被掩膜版擋住的部分的光刻膠會被保留下來。紫外光源是高壓乗燈，常用的波長為４３５．８ｎｍ（ｇ線）、３６５ｎｍ（ｉ線）和２４８ｎｍ（遠紫外線）。曝光方式通常分為以下3種；接觸式曝光。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。但是光刻膠會污染掩膜板，掩膜板的磨損導致其壽命很短。接近式曝光。掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為１０-５０um。可避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。投影式曝光。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會Ｗ需要轉移圖形的４倍制作。優點是提高了分辨率，掩膜板的制作更加容易，掩膜板上的缺陷影響減小。本論文采用的曝光方式是接觸式紫外曝光。
5. 顯影 ?
顯影就是用顯影液去除已曝光部分的光刻膠，在基片上形成所需圖形。曝光部分的光刻膠與濕影液作用并溶解于水，未曝光部分不與顯影液作用被保留下來。經過濕影過程后，用去離子水將殘留的顯影液沖洗干凈，最后用氮氣吹干。
6. 后烘 ?
后烘后烘又稱堅膜，去除濕影后光刻膠內殘留的溶劑，提高光刻膠粘附性和抗刻蝕能力。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的光刻掩膜技术的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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