摘要

在過去的幾年中，納米壓印光刻引起了越來越多的興趣。事實上，似乎有越來越多的潛在納米壓印應用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對于特定的最終用途應用各有優缺點，總體贏家和輸家仍有待分選。德克薩斯大學 (UT)-Austin 于 1998 年開發了其版本的納米壓印、步進和閃光壓印 (SFIL)。光固化液體以分步重復、逐個芯片的方式，而不是熱輔助成型的全聚合物涂層晶片。SFIL 從一開始就專門針對半導體制造應用。在這些應用中，SFIL 具有作為室溫、低壓印力方法的優勢。因此，SFIL 可以實現多級半導體器件制造所需的精細對準和覆蓋控制。2001 年，SFIL 概念獲得了 Molecular Imprints, Inc. (MII) 的商業開發許可，該公司成立的目的是開發具有 SFIL 功能的工具和相關流程。

圖 1. SFIL 壓印結果顯示為 (a) 密堆積微透鏡，2 微米正方形；(b) 包含 30 納米線和間距的 45 納米節點邏輯芯片圖案；(c) 32nm節點內存芯片觸點，41nm半間距；(d) 具有 100nm 直徑通孔的橫截面、多層壓印絕緣體。圖片 1(a-c) 由 Molecular Imprints, Inc. 提供。

介紹

自 UT-Austin 最初開發以來的八年里，SFIL 工具已經變得非常復雜。最初的 UT 工具具有零重疊/對準功能，僅處理手動加載的 125 毫米晶圓，并且需要幾分鐘才能執行一次壓印。現在 MII 的最新工具可以實現亞 10nm、3σ 對準。最新一代 SFIL 工具的吞吐量接近每小時 5 個 200 毫米晶圓。當然，單個工具的成本比光步進器低得多，而且每代工具的生產量都在提高。但在許多新興應用中，可能不需要類似光步進器的吞吐量。

實驗

雖然在短期內將 SFIL 用于半導體的柵極或接觸層的大批量制造是不可行的，但 SFIL 是目前可用于 32nm 節點小批量原型設計的少數方法之一。另一個引起半導體社區興趣的 SFIL 應用是使用多層模板直接、同時壓印多個器件級別：見圖 1(d).4, 5 SFIL 可以將布線和通孔級別打印到低-k 介電材料在單個壓印光刻步驟中，從而將與后端 (BEOL) 處理相關的步驟數量減少 2 倍或更多。

發展

半導體行業有非常嚴格的要求，并且對光刻技術有著根深蒂固的偏見。這種偏好使得一些人很難認真考慮任何非照片下一代光刻方法。然而，SFIL 在成本和分辨率方面的潛在優勢是顯著的。此外，納米圖案的新市場正在迅速出現，許多非半導體應用將需要非常高分辨率的圖案，而這基本上只能從納米壓印中獲得，因為這些新興行業中很少有能夠證明花費 5000 萬到 1 億美元購買一個先進的技術是合理的。光刻或 EUV 圖案化工具。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的纳米压印光刻技术展望的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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