武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)不是國(guó)企。長(zhǎng)江存儲(chǔ)，即長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，于2016年07月26日成立，總部在武漢市東湖開發(fā)區(qū)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的公司類型為非自然人投資或控股的法人獨(dú)資企業(yè)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的登記機(jī)關(guān)為武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，注冊(cè)資本為3860000萬(wàn)元人民幣。長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的法定代表人事趙偉國(guó)，股東為長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的經(jīng)營(yíng)范圍：半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)；集成電路和相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、測(cè)試、封裝、制造和銷售；貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口（不含國(guó)家禁止或限制進(jìn)出口的貨物或技術(shù)）。

2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批NAND閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，為消費(fèi)者提供NAND閃存解決方案。

2014年10月，3D NAND項(xiàng)目在武漢新芯啟動(dòng)；2015年6月，9層3D NAND測(cè)試芯片通過了電器性能驗(yàn)證。

總結(jié)

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