一、前言
DRAM和SRAM都是RAM,那他們有什么區(qū)別呢？
二、從基本電路單元的角度分析區(qū)別（類似于微觀吧）
讓我們從基本電路單元開始分析吧！
廢話不多說，直接上圖，下圖是SRAM的基本單元電路

它是由六個mos管構(gòu)成。

下圖是DRAM的基本單元電路：

它是由一個mos管和一個電容構(gòu)成。

三、從計算機(jī)中RAM發(fā)揮的作用分析（類似于宏觀吧）

為什么是這樣的呢?讓我們來分析一波吧！！！！
SRAM的基本單元電路是由6個MOS管構(gòu)成，而DRAM的基本單元電路是由1個MOS管構(gòu)成，若存儲器有4000個存儲單元，則SRAM需要24000個MOS管，而DRAM則需要4000個MOS管，由此得出SRAM的芯片引腳自然就多，功耗大，價格貴，速度快，因為MOS管多，散熱大，所以集成度低。因為SRAM的基本單元電路的存儲原理是觸發(fā)器，只要不掉電，就很穩(wěn)定，所以就不需要刷新，而DRAM的基本單元電路的存儲原理是電容，電容會漏電，要保持原狀態(tài)，就需要刷新。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的DRAM与SRAM的比较的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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