2018-1-2

1.存儲系統(tǒng)
存儲器系統(tǒng)可分為兩個層次
（1）緩存–主存：解決速度問題，數(shù)據(jù)調(diào)動由硬件自動完成，對程序員透明。
（2）主存–輔存：解決容量問題，數(shù)據(jù)調(diào)動由硬件和操作系統(tǒng)共同完成。

2.主存儲器
（1）驅(qū)動器，譯碼器和讀/寫電路均制作在存儲芯片里，MAR，MDR制作在CPU芯片內(nèi)。存儲芯片與CPU芯片通過總線連接。
（2）半導(dǎo)體存儲芯片：RAM與ROM
RAM在程序運(yùn)行過程中可讀可寫，故一般用于存放 用戶程序。
RAM按照電路結(jié)構(gòu)和存儲原理：靜態(tài)RAM與動態(tài)RAM。
靜態(tài)RAM：觸發(fā)器工作原理，廣泛用于高速緩沖存儲器（速度高，無需刷新）
動態(tài)RAM：電容存儲電荷的原理，由于電容存儲的電荷會自動消失，所以在2s內(nèi)必須刷新一次。廣泛用于主存（集成度高，功耗小，價格便宜，隨著容量不斷擴(kuò)大，速度不斷提高）
ROM在程序運(yùn)行過程中只能讀出，故一般用于存放 系統(tǒng)程序。
ROM：可編程與不可編程。
（3）存儲器與CPU的連接：
地址線：通常將CPU地址線的低位與存儲芯片的地址線相連，高位或在存儲芯片擴(kuò)充時使用，或作為片選信號。
數(shù)據(jù)線：必要時可以進(jìn)行位擴(kuò)展。
片選線：片選有效信號與CPU的訪存控制信號MREQ（應(yīng)該是低電平有效）有關(guān)。

需要補(bǔ)充的一點(diǎn)是：按照存儲介質(zhì)進(jìn)行分類，可以分為：
（1）半導(dǎo)體存儲器：優(yōu)點(diǎn)是體積小，功耗低，存儲時間短；缺點(diǎn)是當(dāng)電源消失時，所存信息也隨即消失。
按照材料不同也可分為：雙極型（TTL）半導(dǎo)體存儲器與MOS半導(dǎo)體存儲器，前者速度快，功耗大，容量小，后者集成度高，制造簡單，成本低廉，功耗小，因而應(yīng)用比較廣泛。
（2）磁性材料
（3）光盤

總結(jié)

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