模拟电路技术之基础知识(四)
到運放了,運用差分放大電路和直接耦合方式
筆記總目錄
文章目錄
- 第四章 集成運算放大電路
- 集成運算放大電路結(jié)構(gòu)特點
- 集成運放的電路結(jié)構(gòu)特點
- 集成運放電路的組成及其各部分的作用
- 集成運放的電壓傳輸特性
- 集成運放中的電流源電路
- 基本電流源電路
- 一.鏡像電流源
- 二.比例電流源
- 三.微電流源
- 多路電流源
- 有源負(fù)載放大電路
- 集成運放的電路簡介
- 雙極性集成運放電路原理
- 單極性集成運放電路原理(cmos)
- 集成運放的性能指標(biāo)及低頻等效電路
- 集成運放的種類及選擇
- 集成運放的使用
第四章 集成運算放大電路
集成運算放大電路結(jié)構(gòu)特點
集成運放的電路結(jié)構(gòu)特點
一、因為硅片上無法制作大電容,所以集成運放采用直接耦合方式
二、因為相鄰元件具有良好的對稱性,所以電路采用各種差分放大電路(作輸入級)和恒流源電路(做偏置電路或有源負(fù)載)。
三、允許復(fù)雜的電路形式
四、硅片上不宜制作高阻值電阻,所以用有源元件(晶體管或場效應(yīng)管)取代電阻
五、常采用復(fù)合形式
集成運放電路的組成及其各部分的作用
一、輸入級
輸入級又稱前置級,它是一個雙端輸入的高性能差分電路。一般要求輸入電阻高,差模放大倍數(shù)大,抑制共模信號能力強,靜態(tài)電流小。
二、中間級
中間級是整個放大電路的主放大器,其作用是使集成運放具有較強的放大能力,多采用共射(或共源)放大電路。
三、輸出級
輸出級具有輸出電壓線性范圍寬、輸出電阻小(即帶負(fù)載能力強)、非線性失真小等特點。集成運放的輸出多采用互補輸出電路
四、偏置電路
偏置電路用于設(shè)置運放各級放大電路的靜態(tài)工作點。
集成運放的電壓傳輸特性
如圖曲線為電壓傳輸特性,即
uo=f(up?uN)u_o=f(u_p-u_N)uo?=f(up??uN?)
分為放大區(qū)(線性區(qū))和飽和區(qū)(非線性區(qū))
電壓放大倍數(shù)稱為差模開環(huán)放大倍數(shù),記為AodA_{od}Aod?
uo=Aod(up?uN)u_o=A_{od}(u_p-u_N)uo?=Aod?(up??uN?)
集成運放中的電流源電路
基本電流源電路
一.鏡像電流源
T0T_0T0?和T1T_1T1?特性完全相同
基準(zhǔn)電流IRI_RIR?:IR=(VCC?UBE)/RI_R=(V_{CC}-U_{BE})/RIR?=(VCC??UBE?)/R
(UCE和UBE相同)(U_{CE}和U_{BE}相同)(UCE?和UBE?相同)
UBE1=UBE0,IB1=IB0,IC1=IC0=ICU_{BE1}=U_{BE0},I_{B1}=I_{B0},I_{C1}=I_{C0}=I_{C}UBE1?=UBE0?,IB1?=IB0?,IC1?=IC0?=IC?
IR=IC0+IB1+IB0=IC+2ICβI_R=I_{C0}+I_{B1}+I_{B0}=I_{C}+\frac{2I_{C}}{\beta}IR?=IC0?+IB1?+IB0?=IC?+β2IC??
IC=ββ+2?IRI_{C}=\frac{\beta }{\beta+2}\cdot I_{R}IC?=β+2β??IR?
(若β>>2,則IC≈IR)(若\beta >>2,則I_{C}\approx I_{R})(若β>>2,則IC?≈IR?)
電路中的負(fù)反饋:
當(dāng)ICI_{C}IC?增大,使得IRI_{R}IR?增大,URU_{R}UR?電壓增大,集電極電位降低,則基極電位降低,進而IBI_{B}IB?減小,則ICI_{C}IC?減小
二.比例電流源
可以在兩管子的發(fā)射極加上兩個Re{R_e}Re?,這樣可以控制電流與IRI_RIR?成比例關(guān)系
由電路的下面一個回路可得
UBE0+IE0Re0=UBE1+IE1Re1U_{BE0}+I_{E0}R_{e0}=U_{BE1}+I_{E1}R_{e1}UBE0?+IE0?Re0?=UBE1?+IE1?Re1?
由晶體管發(fā)射極電流和b—e間電壓的關(guān)系為IE≈ISeUBEUTI_E\approx I_Se^{\frac{U_{BE}}{U_T}}IE?≈IS?eUT?UBE??
得UBE≈UTlnIEISU_{BE}\approx U_Tln\frac{I_E}{I_S}UBE?≈UT?lnIS?IE??
所以可得UBE0?UBE1≈UTlnIE0IE1U_{BE0}-U_{BE1}\approx U_Tln\frac{I_{E0}}{I_{E1}}UBE0??UBE1?≈UT?lnIE1?IE0??
整理得IE1Re1=IE0Re0+UTlnIE0IE1I_{E1}R_{e1}=I_{E0}R_{e0}+U_Tln\frac{I_{E0}}{I_{E1}}IE1?Re1?=IE0?Re0?+UT?lnIE1?IE0??
當(dāng)β>>2\beta >>2β>>2時,IC0=IE0=IRI_{C0}=I_{E0}=I_RIC0?=IE0?=IR?,IC1=IE1I_{C1}=I_{E1}IC1?=IE1?
所以IC1=Re0Re1IR+UT1Re1lnIRIC1I_{C1}=\frac{R_{e0}}{R_{e1}}I_{R}+\frac{U_{T1}}{R_{e1}}ln\frac{I_R}{I_{C1}}IC1?=Re1?Re0??IR?+Re1?UT1??lnIC1?IR??
忽略對數(shù)項
IC1≈Re0Re1IRI_{C1}\approx \frac{R_{e0}}{R_{e1}}I_{R}IC1?≈Re1?Re0??IR?
可以通過改變Re0和Re1{R_{e0}}和{R_{e1}}Re0?和Re1?的值來改變IC1I_{C1}IC1?
IR≈VCC?UBE0Re0+Re1I_R\approx \frac{V_{CC}-U_{BE0}}{R_{e0}+R_{e1}}IR?≈Re0?+Re1?VCC??UBE0??
一般集成運放要求很小的電流,所以就有了
三.微電流源
我們可以加大R,使得電流減小,但是R沒法一直加大,因為在集成電路中做不了大電阻
要求提供很小的微電流,又不能使用大電阻
可以在T1T_1T1?的發(fā)射極加個電阻
因為UBE1和UBE0U_{BE1}和U_{BE0}UBE1?和UBE0?相差很小,所以
Ic1≈Ie1=UBE1?UBE0ReI_{c1}\approx I_{e1}=\frac{U_{BE1}-U_{BE0}}{R_e}Ic1?≈Ie1?=Re?UBE1??UBE0??
只要不太大的Re{R_e}Re?就可以獲得很小的電流
IC1=UT1Re1lnIRIC1I_{C1}=\frac{U_{T1}}{R_{e1}}ln\frac{I_R}{I_{C1}}IC1?=Re1?UT1??lnIC1?IR??
IR=VCC?UBE0RI_R=\frac{V_{CC}-U_{BE0}}{R}IR?=RVCC??UBE0??
設(shè)計時先選定IE0和IE1I_{E0}和I_{E1}IE0?和IE1?,然后確定R和Re{R_e}Re?
多路電流源
根據(jù)所需靜態(tài)電流,來選取發(fā)射極電阻的阻值
根據(jù)所需靜態(tài)電流,來確定集電結(jié)面積
根據(jù)所需靜態(tài)電流,來確定溝道尺寸
有源負(fù)載放大電路
集成運放的電路簡介
雙極性集成運放電路原理
單極性集成運放電路原理(cmos)
集成運放的性能指標(biāo)及低頻等效電路
參數(shù)
一.開環(huán)差模增益AodA_{od}Aod?
常用分貝(db)表示
其分貝數(shù)為20lg|AodA_{od}Aod?|,典型值為106db
四.輸入失調(diào)電壓UIOU_{IO}UIO?和溫漂dUIOdT\frac{d U_{IO}}{dT}dTdUIO??
使UOU_{O}UO?為零在輸入端所加的補償電壓
在溫度變化下變化的UIOU_{IO}UIO?即dUIOdT\frac{d U_{IO}}{dT}dTdUIO??
五.輸入失調(diào)電流IIO(∣IB1?IB2∣)I_{IO}(|I_{B1}-I_{B2}|)IIO?(∣IB1??IB2?∣)和溫漂dIIOdT\frac{d I_{IO}}{dT}dTdIIO??
IIO=∣IB1?IB2∣I_{IO}=|I_{B1}-I_{B2}|IIO?=∣IB1??IB2?∣
總結(jié)
集成運放的種類及選擇
集成運放的使用
一.輸入保護
左邊是限制輸入差模電壓幅值
右邊是限制輸入共模電壓幅值
R是限流電阻
二.輸出保護
限制輸出電壓,保護輸出端
三.電源保護
防止電源接反
四.集成運放低頻等效電路
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的模拟电路技术之基础知识(四)的全部內(nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
- 上一篇: 数字电路技术基础一二章
- 下一篇: 概率论与数理统计の笔记